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    Devices including a multilayer gas barrier layer
    11.
    发明授权
    Devices including a multilayer gas barrier layer 有权
    装置包括多层阻气层

    公开(公告)号：US09552833B2

    公开(公告)日：2017-01-24

    申请号：US14918694

    申请日：2015-10-21

    Applicant: SEAGATE TECHNOLOGY LLC

    Inventor： Yuhang Cheng ,  Kurt W. Wierman ,  Michael Seigler ,  Scott Franzen

    IPC: G11B11/00 ,  G11B5/31 ,  G11B5/00

    CPC classification number: G11B5/314 ,  G11B5/255 ,  G11B5/3106 ,  G11B5/3136 ,  G11B5/40 ,  G11B2005/0021

    Abstract: Devices that include a near field transducer (NFT); a multilayer gas barrier layer positioned on at least a portion of the NFT, the multilayer gas barrier layer including at least a first and a second sublayer, where the second gas barrier sublayer is positioned on the first gas barrier sublayer, the first gas barrier sublayer is positioned adjacent the NFT and the second gas barrier sublayer is positioned adjacent the wear resistant layer, the first and second sublayers independently have thicknesses from 0.01 nm to 5 nm; and a wear resistance layer positioned on at least a portion of the gas barrier layer.

    Abstract translation: 包括近场传感器（NFT）的设备; 位于所述NFT的至少一部分上的多层阻气层，所述多层阻气层至少包括第一和第二子层，其中所述第二阻气层位于所述第一阻气层上，所述第一阻气层 位于NFT附近并且第二阻气层位于耐磨层附近，第一和第二子层独立地具有0.01nm至5nm的厚度; 以及位于所述阻气层的至少一部分上的耐磨层。

    DEVICES INCLUDING A DIFUSSION BARRIER LAYER
    12.
    发明申请
    DEVICES INCLUDING A DIFUSSION BARRIER LAYER 有权
    包括扩散障碍层的设备

    公开(公告)号：US20160275979A1

    公开(公告)日：2016-09-22

    申请号：US15060914

    申请日：2016-03-04

    Applicant: SEAGATE TECHNOLOGY LLC

    Inventor： Sarbeswar Sahoo ,  Martin Blaber ,  Hui Brickner ,  Tong Zhao ,  Yuhang Cheng ,  John Duda ,  Tae-Woo Lee

    IPC: G11B5/60 ,  G11B5/31

    CPC classification number: G11B5/314 ,  G11B5/6088 ,  G11B2005/0021

    Abstract: Devices having an air bearing surface (ABS), the devices including a write pole; a near field transducer (NFT) that includes a peg and a disc, wherein the peg is at the ABS of the device; a heat sink positioned adjacent the disc of the NFT; a dielectric gap positioned adjacent the peg of the NFT at the ABS of the device; and a conformal diffusion barrier layer positioned between the write pole and the dielectric gap, the disc, and the heat sink, wherein the conformal diffusion barrier layer forms at least one angle that is not greater than 135°.

    Abstract translation: 具有空气轴承表面（ABS）的装置，该装置包括一个写柱; 包括钉和盘的近场换能器（NFT），其中所述栓在所述装置的ABS处; 靠近NFT盘的散热片; 位于设备的ABS处的与NFT的钉相邻的电介质间隙; 以及位于写极和电介质间隙之间的适形扩散阻挡层，盘和散热器，其中，共形扩散阻挡层形成至少一个不大于135°的角度。

    Peg only near-field transducer
    14.
    发明授权
    Peg only near-field transducer 有权
    仅佩戴近场传感器

    公开(公告)号：US09275659B2

    公开(公告)日：2016-03-01

    申请号：US14276388

    申请日：2014-05-13

    Applicant: Seagate Technology LLC

    Inventor： Yuhang Cheng ,  Chubing Peng

    IPC: G11B11/00 ,  G11B5/31 ,  G11B5/40 ,  G11B5/00

    CPC classification number: G11B5/314 ,  G11B5/3106 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/40 ,  G11B2005/0021 ,  Y10T29/49032

    Abstract: An apparatus for a heat assisted magnetic recording device that includes a write pole, a near-field transducer, and a heat sink. The near-field transducer is comprised only of a peg disposed adjacent the write pole. The heat sink is disposed between the write pole and at least a portion of the near-field transducer.

    Abstract translation: 一种用于热辅助磁记录装置的装置，其包括写极，近场换能器和散热器。 近场换能器仅由设置在写极附近的钉构成。 散热器设置在写极和至少一部分近场换能器之间。

    Devices including at least one adhesion layer and methods of forming adhesion layers
    15.
    发明授权
    Devices including at least one adhesion layer and methods of forming adhesion layers 有权
    包括至少一个粘合层的装置和形成粘合层的方法

    公开(公告)号：US09129620B2

    公开(公告)日：2015-09-08

    申请号：US14632057

    申请日：2015-02-26

    Applicant: SEAGATE TECHNOLOGY LLC

    Inventor： Yuhang Cheng ,  Tong Zhao ,  Michael C. Kautzky ,  Ed F. Rejda ,  Kurt W. Wierman ,  Scott Franzen ,  Andrew J. Boyne ,  Michael Allen Seigler ,  Sethuraman Jayashankar

    IPC: G11B11/00 ,  G11B5/31 ,  G11B5/60 ,  G11B5/00 ,  G11B7/1387

    CPC classification number: G11B5/314 ,  B05D1/36 ,  G11B5/3106 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/4866 ,  G11B5/6088 ,  G11B5/84 ,  G11B5/85 ,  G11B5/851 ,  G11B5/858 ,  G11B7/1387 ,  G11B2005/0021

    Abstract: Devices that include a near field transducer (NFT), the NFT having a disc and a peg, and the peg having an air bearing surface; and at least one adhesion layer positioned on the air bearing surface of the peg, the adhesion layer including one or more of the following: tungsten (W), molybdenum (Mo), chromium (Cr), silicon (Si), nickel (Ni), tantalum (Ta), titanium (Ti), yttrium (Y), vanadium (V), magnesium (Mg), cobalt (Co), tin (Sn), niobium (Nb), hafnium (Hf), and combinations thereof; tantalum oxide, titanium oxide, tin oxide, indium oxide, and combinations thereof; vanadium carbide (VC), tungsten carbide (WC), titanium carbide (TiC), chromium carbide (CrC), cobalt carbide (CoC), nickel carbide (NiC), yttrium carbide (YC), molybdenum carbide (MoC), and combinations thereof and titanium nitride (TiN), zirconium nitride (ZrN), hafnium nitride (HfN), and combinations thereof.

    Abstract translation: 包括近场换能器（NFT），NFT具有盘和钉的装置以及具有空气轴承表面的钉; 以及至少一个粘合层，其位于所述钉的空气支承表面上，所述粘合层包括以下中的一种或多种：钨（W），钼（Mo），铬（Cr），硅（Si），镍 ），钽（Ta），钛（Ti），钇（Y），钒（V），镁（Mg），钴（Co），锡（Sn），铌（Nb），铪（Hf） ; 氧化钽，氧化钛，氧化锡，氧化铟及其组合; 碳化钒（VC），碳化钨（WC），碳化钛（TiC），碳化铬（CrC），碳化钴（CoC），碳化镍（NiC），碳化钇（YC），碳化钼（MoC） 和氮化钛（TiN），氮化锆（ZrN），氮化铪（HfN）及其组合。

    DEVICES INCLUDING A GAS BARRIER LAYER
    16.
    发明申请
    DEVICES INCLUDING A GAS BARRIER LAYER 审中-公开
    包括气体障碍层的装置

    公开(公告)号：US20150248905A1

    公开(公告)日：2015-09-03

    申请号：US14711992

    申请日：2015-05-14

    Applicant: SEAGATE TECHNOLOGY LLC

    Inventor： Yuhang Cheng ,  Scott Franzen ,  Ed F. Rejda ,  Kurt W. Wierman ,  Michael Allen Seigler

    IPC: G11B5/40 ,  G11B5/48

    CPC classification number: G11B5/40 ,  G11B5/3106 ,  G11B5/3136 ,  G11B5/314 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/486 ,  G11B5/4866 ,  G11B2005/0021

    Abstract: Devices that include a near field transducer (NFT); a gas barrier layer positioned on at least a portion of the NFT; and a wear resistance layer positioned on at least a portion of the gas barrier layer wherein the gas barrier layer includes tantalum oxide (TaO), titanium oxide (TiO), chromium oxide (CrO), silicon oxide (SiO), aluminum oxide (AlO), titanium oxide (TiO), zirconium oxide (ZrO), yttrium oxide (YO), magnesium oxide (MgO), beryllium oxide (BeO), niobium oxide (NbO), hafnium oxide (HfO), vanadium oxide (VO), strontium oxide (SrO), or combinations thereof; silicon nitride (SiN), aluminum nitride (Al), boron nitride (BN), titanium nitride (TiN), zirconium nitride (ZrN), niobioum nitride (NbN), hafnium nitride (HfN), chromium nitride (CrN), or combinations thereof silicon carbide (SiC), titanium carbide (TiC), zirconium carbide (ZrC), niobioum carbide (NbC), chromium carbide (CrC), vanadium carbide (VC), boron carbide (BC), or combinations thereof or combinations thereof.

    Abstract translation: 包括近场传感器（NFT）的设备; 位于所述NFT的至少一部分上的阻气层; 以及位于所述阻气层的至少一部分上的耐磨层，其中所述阻气层包括氧化钽（TaO），氧化钛（TiO），氧化铬（CrO），氧化硅（SiO），氧化铝（AlO ），氧化钛（TiO），氧化锆（ZrO），氧化钇（YO），氧化镁（MgO），氧化铍（BeO），氧化铌（NbO），氧化铪（HfO），氧化钒（VO） 氧化锶（SrO）或其组合; 氮化硅（SiN），氮化铝（Al），氮化硼（BN），氮化钛（TiN），氮化锆（ZrN），氮化硼（NbN），氮化铪（HfN），氮化铬（CrN） 碳化硅（SiC），碳化钛（TiC），碳化锆（ZrC），碳化铌（NbC），碳化铬（CrC），碳化钒（VC），碳化硼（BC）或其组合或其组合。

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