公开(公告)号：US09171978B2

公开(公告)日：2015-10-27

申请号：US14285234

申请日：2014-05-22

申请人： Sumitomo Electric Industries, Ltd.

发明人： Kei Fujii ,  Kaoru Shibata ,  Katsushi Akita

IPC分类号： H01L31/0304 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/035236 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/105 ,  H01L31/1844 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

摘要： A method for producing an epitaxial wafer includes a step of growing an epitaxial layer structure on a III-V semiconductor substrate, the epitaxial layer structure including a III-V semiconductor multiple-quantum well and a III-V semiconductor surface layer, wherein the step of growing the epitaxial layer structure on the substrate is performed such that a lattice mismatch Δω of the multiple-quantum well with respect to the substrate satisfies a range of −0.13%≦Δω

摘要翻译： 一种制造外延晶片的方法包括在III-V半导体衬底上生长外延层结构的步骤，所述外延层结构包括III-V半导体多量子阱和III-V半导体表面层，其中步骤 执行在衬底上生长外延层结构，使得多量子阱相对于衬底的晶格失配＆Dgr;ω满足-0.13％＆nlE;＆Dgr;ω<0％或0％<＆Dgr的范围 ;ω＆nlE; + 0.13％，中心偏离零的范围，衍生自多量子阱的零级衍射峰中的X射线摇摆曲线的半高全宽（FWHM）为30秒 或更少。