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    Phase shift mask and manufacturing method thereof and exposure method using phase shift mask
    13.
    发明授权
    Phase shift mask and manufacturing method thereof and exposure method using phase shift mask 失效
    相移掩模及其制造方法以及使用相移掩模的曝光方法

    公开(公告)号：US5691090A

    公开(公告)日：1997-11-25

    申请号：US772226

    申请日：1996-12-20

    申请人： Akihiko Isao ,  Ryoichi Kobayashi ,  Nobuyuki Yoshioka ,  Yaichiro Watakabe ,  Junji Miyazaki

    发明人： Akihiko Isao ,  Ryoichi Kobayashi ,  Nobuyuki Yoshioka ,  Yaichiro Watakabe ,  Junji Miyazaki

    IPC分类号： G03F1/32 ,  G03F1/40 ,  G03F1/68 ,  H01L21/027 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  G03F9/00

    CPC分类号： G03F1/80 ,  G03F1/32 ,  G03F1/38 ,  G03F1/54

    摘要： A second light transmit portion of a phase shift mask is formed of a molybdenum silicide nitride oxide or a molybdenum silicide oxide a chromium nitride oxide, or a chromium oxide, or a chromium carbide nitride oxide film converting a phase of transmitted exposure light by 180.degree. and having the transmittance of 5-40%. In the manufacturing method of the second light transmit portion, a molybdenum silicide nitride oxide film or a molybdenum silicide oxide film a chromium nitride oxide film, or a chromium oxide film, or a carbide nitride oxide film is formed by a sputtering method. Consequently, with a conventional sputtering apparatus, the second light transmit portion can be formed, and additionally, etching process of the phase shifter portion is required only once, so that probabilities of defects and errors in the manufacturing process can be decreased.

    摘要翻译： 相移掩模的第二透光部分由硅化钼氮化氧化物或硅化钼氧化物，氮化铬或氧化铬或碳化铬氮化物氧化物膜形成，其将透射曝光光的相转变180° 透光率为5-40％。 在第二光透射部分的制造方法中，通过溅射法形成硅化钼氮化物氧化物膜或氮化硅氧化物膜，氧化铬膜或氧化铬膜，或碳化氮化物膜。 因此，利用传统的溅射装置，可以形成第二光透射部分，另外，仅需要一次移相器部分的蚀刻处理，从而可以减少制造过程中的缺陷概率和误差。

    Photomask material
    15.
    发明授权
    Photomask material 失效
    光掩模材料

    公开(公告)号：US4722878A

    公开(公告)日：1988-02-02

    申请号：US797156

    申请日：1985-11-12

    申请人： Yaichiro Watakabe ,  Kazuhiro Tanaka ,  Masahiro Hirosue

    发明人： Yaichiro Watakabe ,  Kazuhiro Tanaka ,  Masahiro Hirosue

    IPC分类号： G03F1/00 ,  G03F1/58 ,  G03F1/88 ,  H01L21/027 ,  G03F9/00 ,  B32B9/00 ,  G21K5/00

    CPC分类号： G03F1/54 ,  G03F1/48

    摘要： A photomask material comprising a transparent glass substrate, a polysilicon layer formed on the transparent glass substrate, a transition metal film formed on the polysilicon layer, the metal film being capable of being etched by means of the same dry etching process as that used for the polysilicon layer, and a protective polysilicon layer formed on the transition metal film.

    摘要翻译： 一种光掩模材料，其包括透明玻璃基板，在所述透明玻璃基板上形成的多晶硅层，在所述多晶硅层上形成的过渡金属膜，所述金属膜能够通过与所述多晶硅层所使用的相同的干蚀刻工艺进行蚀刻 多晶硅层和形成在过渡金属膜上的保护性多晶硅层。

    Photomask material
    16.
    发明授权
    Photomask material 失效
    光掩模材料

    公开(公告)号：US4678714A

    公开(公告)日：1987-07-07

    申请号：US819104

    申请日：1986-01-15

    申请人： Yaichiro Watakabe

    发明人： Yaichiro Watakabe

    IPC分类号： G03F1/00 ,  G03F1/54 ,  H01L21/027

    CPC分类号： G03F1/54 ,  G03F1/58 ,  Y10T428/12611

    摘要： A photomask material comprising a transparent glass substrate and a metal silicide film formed on the transparent glass substrate, the rate of a silicon and a metal in the metal silicide film being continuously varied so as to increase the amount of metal toward an upper surface of the metal silicide film.

    摘要翻译： 一种光掩模材料，其包含透明玻璃基板和形成在所述透明玻璃基板上的金属硅化物膜，所述金属硅化物膜中的硅和金属的速率连续变化，以便朝着所述透明玻璃基板的上表面增加金属量 金属硅化物膜。