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公开(公告)号：US09418999B2
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：US14525412
申请日：2014-10-28
发明人： Chih-Ta Wu , Jason Lee , Chung Chien Wang , Hsing-Lien Lin , Yu-Jen Wang , Yeur-Luen Tu , Chern-Yow Hsu , Yuan-Hung Liu , Chi-Hsin Lo , Chia-Shiung Tsai
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L21/8244 , H01L27/108 , H01L49/02
CPC分类号： H01L27/10814 , H01L27/10852 , H01L28/40 , H01L28/75
摘要： A capacitor and methods for forming the same are provided. The method includes forming a bottom electrode; treating the bottom electrode in an oxygen-containing environment to convert a top layer of the bottom electrode into a buffer layer; forming an insulating layer on the buffer layer; and forming a top electrode over the insulating layer.
摘要翻译： 提供电容器及其形成方法。 该方法包括形成底部电极; 在含氧环境中处理底部电极以将底部电极的顶层转化为缓冲层; 在缓冲层上形成绝缘层; 并在所述绝缘层上形成顶部电极。
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公开(公告)号：US20150235940A1
公开(公告)日：2015-08-20
申请号：US14685023
申请日：2015-04-13
发明人： Hsin-Yu Chen , Ku-Feng Yang , Tasi-Jung Wu , Lin-Chih Huang , Yuan-Hung Liu , Tsang-Jiuh Wu , Wen-Chih Chiou
IPC分类号： H01L23/528 , H01L27/06 , H01L23/538 , H01L23/522
CPC分类号： H01L23/528 , H01L21/76807 , H01L23/3114 , H01L23/3171 , H01L23/481 , H01L23/5226 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/53266 , H01L23/5384 , H01L27/0617 , H01L2221/1031 , H01L2224/13 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
摘要： An apparatus comprises an interlayer dielectric layer formed on a first side of a substrate, a first photo-sensitive dielectric layer formed over the interlayer dielectric layer, wherein the first photo-sensitive dielectric layer comprises a first metal structure and a second photo-sensitive dielectric layer formed over the first photo-sensitive dielectric, wherein the second photo-sensitive dielectric layer comprises a second metal structure having a bottom surface coplanar with a top surface of the first metal structure.
摘要翻译： 一种装置包括形成在衬底的第一侧上的层间介质层，形成在层间电介质层上的第一光敏电介质层，其中第一光敏电介质层包括第一金属结构和第二光敏电介质 所述第二光敏电介质层包括具有与所述第一金属结构的顶表面共面的底表面的第二金属结构。
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