公开(公告)号：US08574927B2

公开(公告)日：2013-11-05

申请号：US13335882

申请日：2011-12-22

申请人： Min-Hwa Chi ,  Xiufeng Han ,  Guoqiang Yu

发明人： Min-Hwa Chi ,  Xiufeng Han ,  Guoqiang Yu

IPC分类号： H01L21/8246

CPC分类号： H01L43/12 ,  G11C11/161 ,  H01L43/08

摘要： Using a damascene process, a cup-shaped MTJ device is formed in an opening within a dielectric layer. A passivation layer is formed on the top surfaces of the sidewalls of the cup-shaped MTJ device to enclose the top of the sidewalls, thereby reducing magnetic flux leakage. Accordingly, the MTJ device may be fabricated using the same equipment that are compatible with and commonly used in CMOS technologies/processes.

摘要翻译： 使用镶嵌工艺，在电介质层内的开口中形成杯形MTJ器件。 在杯形MTJ装置的侧壁的顶表面上形成钝化层以封闭侧壁的顶部，由此减小磁通量泄漏。 因此，可以使用与CMOS技术/工艺中兼容并且通常使用的相同设备来制造MTJ器件。

公开(公告)号：US20130099335A1

公开(公告)日：2013-04-25

申请号：US13335882

申请日：2011-12-22

申请人： Min-Hwa Chi ,  Xiufeng Han ,  Guoqiang Yu

发明人： Min-Hwa Chi ,  Xiufeng Han ,  Guoqiang Yu

IPC分类号： H01L29/82 ,  H01L21/8246

CPC分类号： H01L43/12 ,  G11C11/161 ,  H01L43/08

摘要： Using a damascene process, a cup-shaped MTJ device is formed in an opening within a dielectric layer. A passivation layer is formed on the top surfaces of the sidewalls of the cup-shaped MTJ device to enclose the top of the sidewalls, thereby reducing magnetic flux leakage. Accordingly, the MTJ device may be fabricated using the same equipment that are compatible with and commonly used in CMOS technologies/processes.

摘要翻译： 使用镶嵌工艺，在电介质层内的开口中形成杯形MTJ器件。 在杯形MTJ装置的侧壁的顶表面上形成钝化层以封闭侧壁的顶部，由此减小磁通量泄漏。 因此，可以使用与CMOS技术/工艺中兼容并且通常使用的相同设备来制造MTJ器件。

公开(公告)号：US07936595B2

公开(公告)日：2011-05-03

申请号：US12159657

申请日：2006-12-31

申请人： Xiufeng Han ,  Ming Ma ,  Qihang Qin ,  Hongxiang Wei ,  Lixian Jiang ,  Yunan Han

发明人： Xiufeng Han ,  Ming Ma ,  Qihang Qin ,  Hongxiang Wei ,  Lixian Jiang ,  Yunan Han

IPC分类号： G11C11/14

CPC分类号： G11C11/155 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G01R33/098 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1657 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  H01F10/1936 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3268 ,  H01F10/329 ,  H01F41/302 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

摘要： Each layer in the magnetic multilayer film is a closed ring or oval ring and the magnetic moment or flux of the ferromagnetic film in the magnetic unit is in close state either clockwise or counterclockwise. A metal core is put in the geometry center position in the close-shaped magnetic multilayer film. The cross section of the metal core is a corresponding circular or oval. A MRAM is made of the closed magnetic multilayer film with or without a metal core. The close-shaped magnetic multilayer film is formed by micro process method. The close-shaped magnetic multilayer film can be used broadly in a great variety of device that uses a magnetic multilayer film as the core, such as MRAM, magnetic bead in computer, magnetic sensitive sensor, magnetic logic device and spin transistor.

摘要翻译： 磁性多层膜中的每层是闭环或椭圆环，并且磁性单元中的铁磁性膜的磁矩或磁通处于顺时针或逆时针处于接近状态。 将金属芯置于紧密形状的磁性多层膜中的几何中心位置。 金属芯的横截面是相应的圆形或椭圆形。 MRAM由具有或不具有金属芯的闭合磁性多层膜制成。 通过微加工方法形成紧密形状的磁性多层膜。 近似形状的磁性多层膜可以广泛用于以磁性多层膜为核心的多种器件，如MRAM，计算机中的磁珠，磁敏传感器，磁性逻辑器件和自旋晶体管。

公开(公告)号：US20070183186A1

公开(公告)日：2007-08-09

申请号：US10599514

申请日：2004-12-01

申请人： Zilong Peng ,  Xiufeng Han ,  Sufen Zhao ,  Weining Wang ,  Wenshan Zhan

发明人： Zilong Peng ,  Xiufeng Han ,  Sufen Zhao ,  Weining Wang ,  Wenshan Zhan

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C11/16 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/228

摘要： The invention discloses a MRAM (Magnetoresistive RAM) based on vertical current writing and its control method, the operation of information writing in the MRAM unit is completed by the corporate effect of the magnetic field generated by the current parallel to the MFC unit and the other current vertical to the MFC unit and passing through this unit. The advantage of such structure is: eliminating a word line (WL) of the prior art especially for information writing, reducing the number of the metal wiring layers and the contact holes, and reducing the complexity of MRAM's structure, and difficulty and cost of manufacturing process.

摘要翻译： 本发明公开了一种基于垂直电流写入的MRAM（Magnetoresistive RAM）及其控制方法，MRAM单元中的信息写入操作通过与MFC单元并联的电流产生的磁场的公司效应完成， 电流垂直于MFC单元并通过本机。 这种结构的优点是：消除现有技术中的字线（WL），特别是用于信息写入，减少金属布线层和接触孔的数量，并降低MRAM的结构的复杂性，以及制造的难度和成本 处理。