公开(公告)号：US08065471B2

公开(公告)日：2011-11-22

申请号：US12552442

申请日：2009-09-02

申请人： Hirokuni Yano ,  Shinichi Kanno ,  Toshikatsu Hida ,  Hidenori Matsuzaki ,  Kazuya Kitsunai ,  Shigehiro Asano

发明人： Hirokuni Yano ,  Shinichi Kanno ,  Toshikatsu Hida ,  Hidenori Matsuzaki ,  Kazuya Kitsunai ,  Shigehiro Asano

IPC分类号： G06F12/00

CPC分类号： G06F3/0604 ,  G06F3/0616 ,  G06F3/0631 ,  G06F3/064 ,  G06F3/0656 ,  G06F3/0658 ,  G06F3/0679 ,  G06F3/0685 ,  G06F12/0246 ,  G06F12/0804 ,  G06F12/0866 ,  G06F2212/7201 ,  G06F2212/7202 ,  G06F2212/7203 ,  G06F2212/7209 ,  G11C11/5628

摘要： A semiconductor storage device includes a first memory area configured in a volatile semiconductor memory, second, third, and fourth memory areas configured in a nonvolatile semiconductor memory, and a controller which executes following processing. The controller executes a first processing for storing a plurality of data by the first unit in the first memory area, a second processing for storing data by a first management unit in the fourth memory area, a third processing for storing data by a second management unit in the third memory area, a fourth processing for moving an area of the third unit having the oldest allocation order in the fourth memory area to the second memory area, and a fifth processing for selecting data in the second memory area and copying the selected data to an empty area of the third unit in the second memory area.

摘要翻译： 半导体存储装置包括配置在非易失性半导体存储器中的易失性半导体存储器，第二，第三和第四存储区域中的第一存储区域和执行以下处理的控制器。 控制器执行第一处理，用于将第一单元存储在第一存储区域中的多个数据，第二处理，用于由第一管理单元存储在第四存储区域中的数据;第三处理，用于由第二管理单元存储数据 在第三存储区域中，用于将第四存储区域中具有最早分配顺序的第三单元的区域移动到第二存储区域的第四处理，以及用于选择第二存储区域中的数据并复制所选数据的第五处理 到第二存储器区域中的第三单元的空区域。

公开(公告)号：US07962688B2

公开(公告)日：2011-06-14

申请号：US12552403

申请日：2009-09-02

申请人： Hirokuni Yano ,  Shinichi Kanno ,  Toshikatsu Hida ,  Hidenori Matsuzaki ,  Kazuya Kitsunai ,  Shigehiro Asano

发明人： Hirokuni Yano ,  Shinichi Kanno ,  Toshikatsu Hida ,  Hidenori Matsuzaki ,  Kazuya Kitsunai ,  Shigehiro Asano

IPC分类号： G06F12/00

CPC分类号： G06F3/0604 ,  G06F3/0616 ,  G06F3/0631 ,  G06F3/064 ,  G06F3/0656 ,  G06F3/0658 ,  G06F3/0679 ,  G06F3/0685 ,  G06F12/0246 ,  G06F12/0804 ,  G06F12/0866 ,  G06F2212/7201 ,  G06F2212/7202 ,  G06F2212/7203 ,  G06F2212/7209 ,  G11C11/5628

摘要： A semiconductor storage device includes first, second, third, fourth and fifth memory areas and a controller which executes following processing. The controller executes a first processing for storing a plurality of data by the first unit in the first memory area, a second processing for storing data by a first management unit in the fourth memory area, a third processing for storing data by a second management unit in the fifth memory area, a fourth processing for moving an area of the third unit to the second memory area, a fifth processing for selecting and copying data to an empty area of the third unit in the second memory area, a sixth processing for moving an area of the third unit to the third memory area, and a seventh processing for selecting and copying data to an empty area of the third unit in the third memory area.

摘要翻译： 半导体存储装置包括第一，第二，第三，第四和第五存储区域以及执行以下处理的控制器。 控制器执行第一处理，用于将第一单元存储在第一存储区域中的多个数据，第二处理，用于由第一管理单元存储在第四存储区域中的数据;第三处理，用于由第二管理单元存储数据 在第五存储区域中，用于将第三单元的区域移动到第二存储区域的第四处理，用于选择和复制数据到第二存储区域中的第三单元的空白区域的第五处理，第六处理，用于移动 第三单元的区域到第三存储区域，以及第七处理，用于选择和复制数据到第三存储区域中的第三单元的空白区域。

公开(公告)号：US20100037010A1

公开(公告)日：2010-02-11

申请号：US12552403

申请日：2009-09-02

申请人： Hirokuni Yano ,  Shinichi Kanno ,  Toshikatsu Hida ,  Hidenori Matsuzaki ,  Kazuya Kitsunai ,  Shigehiro Asano

发明人： Hirokuni Yano ,  Shinichi Kanno ,  Toshikatsu Hida ,  Hidenori Matsuzaki ,  Kazuya Kitsunai ,  Shigehiro Asano

IPC分类号： G06F12/02

CPC分类号： G06F3/0604 ,  G06F3/0616 ,  G06F3/0631 ,  G06F3/064 ,  G06F3/0656 ,  G06F3/0658 ,  G06F3/0679 ,  G06F3/0685 ,  G06F12/0246 ,  G06F12/0804 ,  G06F12/0866 ,  G06F2212/7201 ,  G06F2212/7202 ,  G06F2212/7203 ,  G06F2212/7209 ,  G11C11/5628

摘要： A semiconductor storage device includes first, second, third, fourth and fifth memory areas and a controller which executes following processing. The controller executes a first processing for storing a plurality of data by the first unit in the first memory area, a second processing for storing data by a first management unit in the fourth memory area, a third processing for storing data by a second management unit in the fifth memory area, a fourth processing for moving an area of the third unit to the second memory area, a fifth processing for selecting and copying data to an empty area of the third unit in the second memory area, a sixth processing for moving an area of the third unit to the third memory area, and a seventh processing for selecting and copying data to an empty area of the third unit in the third memory area.

摘要翻译： 半导体存储装置包括第一，第二，第三，第四和第五存储区域以及执行以下处理的控制器。 控制器执行第一处理，用于将第一单元存储在第一存储区域中的多个数据，第二处理，用于由第一管理单元存储在第四存储区域中的数据;第三处理，用于由第二管理单元存储数据 在第五存储区域中，用于将第三单元的区域移动到第二存储区域的第四处理，用于选择和复制数据到第二存储区域中的第三单元的空白区域的第五处理，第六处理，用于移动 第三单元的区域到第三存储区域，以及第七处理，用于选择和复制数据到第三存储区域中的第三单元的空白区域。

公开(公告)号：US20100037009A1

公开(公告)日：2010-02-11

申请号：US12552330

申请日：2009-09-02

申请人： Hirokuni Yano ,  Shinichi Kanno ,  Toshikatsu Hida ,  Hidenori Matsuzaki ,  Kazuya Kitsunai ,  Shigehiro Asano

发明人： Hirokuni Yano ,  Shinichi Kanno ,  Toshikatsu Hida ,  Hidenori Matsuzaki ,  Kazuya Kitsunai ,  Shigehiro Asano

IPC分类号： G06F12/00 ,  G06F12/02

CPC分类号： G06F3/0604 ,  G06F3/0616 ,  G06F3/0631 ,  G06F3/064 ,  G06F3/0656 ,  G06F3/0658 ,  G06F3/0679 ,  G06F3/0685 ,  G06F12/0246 ,  G06F12/0804 ,  G06F12/0866 ,  G06F2212/7201 ,  G06F2212/7202 ,  G06F2212/7203 ,  G06F2212/7209 ,  G11C11/5628

摘要： A semiconductor storage device includes a first memory area configured in a volatile semiconductor memory, second and third memory areas configured in a nonvolatile semiconductor memory, and a controller which executes following processing. The controller executes a first processing for storing a plurality of data by the first unit in the first memory area, a second processing for storing data outputted from the first memory area by a first management unit in the second memory area, and a third processing for storing data outputted from the first memory area by a second management unit in the third memory area.

摘要翻译： 半导体存储装置包括配置在易失性半导体存储器中的第一存储区域，配置在非易失性半导体存储器中的第二和第三存储区域，以及执行以下处理的控制器。 控制器执行第一处理，用于通过第一存储区中的第一单元存储多个数据;第二处理，用于存储由第二存储区中的第一管理单元从第一存储区输出的数据;以及第三处理， 通过第二管理单元将从第一存储区域输出的数据存储在第三存储区域中。

公开(公告)号：US07958411B2

公开(公告)日：2011-06-07

申请号：US12551213

申请日：2009-08-31

申请人： Shinichi Kanno ,  Hirokuni Yano ,  Toshikatsu Hida ,  Kazuya Kitsunai ,  Junji Yano

发明人： Shinichi Kanno ,  Hirokuni Yano ,  Toshikatsu Hida ,  Kazuya Kitsunai ,  Junji Yano

IPC分类号： G11C29/00 ,  G06F13/00 ,  G06F13/28

CPC分类号： G11C16/349 ,  G06F11/1068 ,  G06F12/0246 ,  G06F2212/7211 ,  G11C16/16 ,  G11C29/76

摘要： A memory system includes a nonvolatile memory including blocks as data erase units, a measuring unit which measures an erase time at which data in each block is erased, a block controller having a block table which associates a state value indicating one of a free state and a used state with the erase time for each block, a detector which detects blocks in which rewrite has collectively occurred within a short period, a first selector which selects a free block having an old erase time as a first block, a second selector which selects a block in use having an old erase time as a second block, and a leveling unit which moves data in the second block to the first block if the first block is included in the blocks detected by the detector.

摘要翻译： 一种存储器系统，包括：包括作为数据擦除单元的块的非易失性存储器，测量擦除每个块中的数据的擦除时间的测量单元;具有块表的块控制器，其将指示空闲状态之一的状态值和 具有每个块的擦除时间的使用状态，检测在短时间内共同发生重写的块的检测器，选择具有旧擦除时间的空闲块作为第一块的第一选择器，选择 如果第一块被包括在由检测器检测到的块中，则将具有旧擦除时间的块用作第二块，以及调平单元，其将第二块中的数据移动到第一块。

公开(公告)号：US20100223424A1

公开(公告)日：2010-09-02

申请号：US12778484

申请日：2010-05-12

申请人： KAZUYA KITSUNAI ,  Shinichi Kanno ,  Hirokuni Yano ,  Toshikatsu Hida ,  Junji Yano

发明人： KAZUYA KITSUNAI ,  Shinichi Kanno ,  Hirokuni Yano ,  Toshikatsu Hida ,  Junji Yano

IPC分类号： G06F12/00 ,  G06F12/02

CPC分类号： G06F3/0604 ,  G06F3/0616 ,  G06F3/0619 ,  G06F3/064 ,  G06F3/0647 ,  G06F3/0652 ,  G06F3/0659 ,  G06F3/0679 ,  G06F3/0685 ,  G06F12/0246 ,  G06F2212/1036 ,  G06F2212/7202 ,  G06F2212/7205 ,  G06F2212/7211

摘要： A memory system includes a nonvolatile memory including a plurality of blocks as data erase units, a measuring unit which measures an erase time at which data of each block is erased, and a block controller which writes data supplied from at least an exterior into a first block which is set in a free state and whose erase time is oldest.

摘要翻译： 存储器系统包括包括作为数据擦除单元的多个块的非易失性存储器，测量擦除每个块的数据的擦除时间的测量单元，以及写入从至少外部提供的数据到第一 块设置为空闲状态，擦除时间最长。

公开(公告)号：US20100146228A1

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：US12705431

申请日：2010-02-12

申请人： Shinichi Kanno ,  Hirokuni Yano ,  Toshikatsu Hida ,  Kazuya Kitsunai ,  Junji Yano

发明人： Shinichi Kanno ,  Hirokuni Yano ,  Toshikatsu Hida ,  Kazuya Kitsunai ,  Junji Yano

IPC分类号： G06F12/00 ,  G11C16/04 ,  G06F11/00

CPC分类号： G11C16/349 ,  G06F11/1068 ,  G06F12/0246 ,  G06F2212/7211 ,  G11C16/16 ,  G11C29/76

摘要： A memory system includes a nonvolatile memory including blocks as data erase units, a measuring unit which measures an erase time at which data in each block is erased, a block controller having a block table which associates a state value indicating one of a free state and a used state with the erase time for each block, a detector which detects blocks in which rewrite has collectively occurred within a short period, a first selector which selects a free block having an old erase time as a first block, a second selector which selects a block in use having an old erase time as a second block, and a leveling unit which moves data in the second block to the first block if the first block is included in the blocks detected by the detector.

摘要翻译： 一种存储器系统，包括：包括作为数据擦除单元的块的非易失性存储器，测量擦除每个块中的数据的擦除时间的测量单元;具有块表的块控制器，其将指示空闲状态之一的状态值和 具有每个块的擦除时间的使用状态，检测在短时间内共同发生重写的块的检测器，选择具有旧擦除时间的空闲块作为第一块的第一选择器，选择 如果第一块被包括在由检测器检测到的块中，则将具有旧擦除时间的块用作第二块;以及调平单元，其将第二块中的数据移动到第一块。

公开(公告)号：US20100077266A1

公开(公告)日：2010-03-25

申请号：US12551213

申请日：2009-08-31

申请人： Shinichi Kanno ,  Hirokuni Yano ,  Toshikatsu Hida ,  Kazuya Kitsunai ,  Junji Yano

发明人： Shinichi Kanno ,  Hirokuni Yano ,  Toshikatsu Hida ,  Kazuya Kitsunai ,  Junji Yano

IPC分类号： G11C16/04 ,  G11C16/06 ,  G11C29/00 ,  G06F11/00

CPC分类号： G11C16/349 ,  G06F11/1068 ,  G06F12/0246 ,  G06F2212/7211 ,  G11C16/16 ,  G11C29/76

摘要： A memory system includes a nonvolatile memory including blocks as data erase units, a measuring unit which measures an erase time at which data in each block is erased, a block controller having a block table which associates a state value indicating one of a free state and a used state with the erase time for each block, a detector which detects blocks in which rewrite has collectively occurred within a short period, a first selector which selects a free block having an old erase time as a first block, a second selector which selects a block in use having an old erase time as a second block, and a leveling unit which moves data in the second block to the first block if the first block is included in the blocks detected by the detector.

公开(公告)号：US08886868B2

公开(公告)日：2014-11-11

申请号：US12778484

申请日：2010-05-12

申请人： Kazuya Kitsunai ,  Shinichi Kanno ,  Hirokuni Yano ,  Toshikatsu Hida ,  Junji Yano

发明人： Kazuya Kitsunai ,  Shinichi Kanno ,  Hirokuni Yano ,  Toshikatsu Hida ,  Junji Yano

IPC分类号： G06F12/00 ,  G06F12/02

CPC分类号： G06F3/0604 ,  G06F3/0616 ,  G06F3/0619 ,  G06F3/064 ,  G06F3/0647 ,  G06F3/0652 ,  G06F3/0659 ,  G06F3/0679 ,  G06F3/0685 ,  G06F12/0246 ,  G06F2212/1036 ,  G06F2212/7202 ,  G06F2212/7205 ,  G06F2212/7211

摘要： A memory system includes a nonvolatile memory including a plurality of blocks as data erase units, a measuring unit which measures an erase time at which data of each block is erased, and a block controller which writes data supplied from at least an exterior into a first block which is set in a free state and whose erase time is oldest.

摘要翻译： 存储器系统包括包括作为数据擦除单元的多个块的非易失性存储器，测量擦除每个块的数据的擦除时间的测量单元，以及写入从至少外部提供的数据到第一 块设置为空闲状态，擦除时间最长。

公开(公告)号：US20110219177A1

公开(公告)日：2011-09-08

申请号：US13107623

申请日：2011-05-13

申请人： Shinichi Kanno ,  Hirokuni Yano ,  Toshikatsu Hida ,  Kazuya Kitsunai ,  Junji Yano

发明人： Shinichi Kanno ,  Hirokuni Yano ,  Toshikatsu Hida ,  Kazuya Kitsunai ,  Junji Yano

IPC分类号： G06F12/06

CPC分类号： G11C16/349 ,  G06F11/1068 ,  G06F12/0246 ,  G06F2212/7211 ,  G11C16/16 ,  G11C29/52 ,  G11C29/76

摘要： A memory system includes a nonvolatile memory including blocks as data erase units, a measuring unit which measures an erase time at which data in each block is erased, a block controller having a block table which associates a state value indicating one of a free state and a used state with the erase time for each block, a detector which detects blocks in which rewrite has collectively occurred within a short period, a first selector which selects a free block having an old erase time as a first block, a second selector which selects a block in use having an old erase time as a second block, and a leveling unit which moves data in the second block to the first block if the first block is included in the blocks detected by the detector.

摘要翻译： 一种存储器系统，包括：包括作为数据擦除单元的块的非易失性存储器，测量擦除每个块中的数据的擦除时间的测量单元;具有块表的块控制器，其将指示空闲状态之一的状态值和 具有每个块的擦除时间的使用状态，检测在短时间内共同发生重写的块的检测器，选择具有旧擦除时间的空闲块作为第一块的第一选择器，选择 如果第一块被包括在由检测器检测到的块中，则将具有旧擦除时间的块用作第二块;以及调平单元，其将第二块中的数据移动到第一块。