公开(公告)号：US20050083620A1

公开(公告)日：2005-04-21

申请号：US10710093

申请日：2004-06-18

申请人： Yung-Hao Lin ,  Tay-Her Tsaur ,  Ta-Hsun Yeh ,  Chao-Cheng Lee

发明人： Yung-Hao Lin ,  Tay-Her Tsaur ,  Ta-Hsun Yeh ,  Chao-Cheng Lee

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/822 ,  H01L23/60 ,  H01L27/02 ,  H01L27/06 ,  H02H9/00

CPC分类号： H01L27/0266

摘要： An ESD protection circuit installed among a plurality of reference nodes includes a clamping device coupled between two reference nodes among the plurality of reference nodes; a stack-coupling device coupled between the clamping device and one of the reference nodes; and at least a resistive device coupled between the stack-coupling device and another one of the reference nodes.

摘要翻译： 安装在多个参考节点之间的ESD保护电路包括耦合在多个参考节点中的两个参考节点之间的夹紧装置; 耦合在所述夹持装置和所述参考节点之一之间的叠层耦合装置; 以及耦合在所述堆叠耦合装置与所述参考节点中的另一个之间的至少一个电阻装置。

公开(公告)号：US20050012156A1

公开(公告)日：2005-01-20

申请号：US10844455

申请日：2004-05-13

申请人： Ta-Hsun Yeh ,  Chao-Cheng Lee ,  Tay-Her Tsaur

发明人： Ta-Hsun Yeh ,  Chao-Cheng Lee ,  Tay-Her Tsaur

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L27/08 ,  H01L29/76

CPC分类号： H01L27/0814 ,  H01L27/0255 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A cascaded diode structure with a deep N-well for effectively reducing the leakage current of the P-type substrate by floating the base of a parasitic transistor in the cascaded diode structure. The cascaded diode structure includes a P-type substrate, a deep N-well formed on the P-type substrate, a plurality of elemental diodes formed on the deep N-well, and a plurality of connecting parts for cascading the elemental diodes. Each elemental diode includes a P-well formed on the deep N-well, a heavily doped P-type region formed on the P-well, and a heavily doped N-type region formed on the P-well.

摘要翻译： 具有深N阱的级联二极管结构，用于通过浮置级联二极管结构中的寄生晶体管的基极来有效地减少P型衬底的漏电流。 级联二极管结构包括P型衬底，在P型衬底上形成的深N阱，形成在深N阱上的多个元件二极管和用于级联元件二极管的多个连接部件。 每个元件二极管包括形成在深N阱上的P阱，形成在P阱上的重掺杂P型区域和形成在P阱上的重掺杂N型区域。

公开(公告)号：US20050002139A1

公开(公告)日：2005-01-06

申请号：US10868954

申请日：2004-06-17

申请人： Ta-Hsun Yeh ,  Chao-Cheng Lee ,  Tay-Her Tsaur

发明人： Ta-Hsun Yeh ,  Chao-Cheng Lee ,  Tay-Her Tsaur

IPC分类号： H01L23/60 ,  H01L27/02 ,  H01L27/082 ,  H02H9/08

CPC分类号： H01L27/0259 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An ESD clamp circuit includes an ESD detecting unit and a discharge circuit with a longitudinal BJT. The longitudinal BJT is formed on a P-type substrate and includes a deep N-well formed on the P-type substrate, a P-well formed on parts of the deep N-well, a N-well formed on the deep N-well surrounding the P-well, a first N+ region formed on parts of the P-well and electrically coupled to a first voltage, a P+ region formed on the P-well surrounding the first N+ region and electrically coupled to a trigger signal, and a second N+ region formed on the N-well and electrically coupled to a second voltage. In the structure of the longitudinal BJT, the leakage current can be decreased, the current gain can be increased, and the dimension of the ESD clamp circuit can be reduced.

摘要翻译： ESD钳位电路包括ESD检测单元和具有纵向BJT的放电电路。 纵向BJT形成在P型衬底上，并且包括在P型衬底上形成的深N阱，在深N阱的一部分上形成的P阱，在深N极上形成的N阱， 环绕P阱，形成在P阱的部分上并电耦合到第一电压的第一N +区，形成在围绕第一N +区并且电耦合到触发信号的P阱上的P +区，以及 形成在N阱上并电耦合到第二电压的第二N +区。 在纵向BJT的结构中，可以减小漏电流，增加电流增益，可以减小ESD钳位电路的尺寸。