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    Self protecting bipolar SCR
    13.
    发明授权
    Self protecting bipolar SCR 有权
    自我保护双极SCR

    公开(公告)号：US06841829B1

    公开(公告)日：2005-01-11

    申请号：US10436559

    申请日：2003-05-12

    申请人： Vladislav Vashchenko ,  Ann Concannon ,  Peter J. Hopper ,  Marcel ter Beek

    发明人： Vladislav Vashchenko ,  Ann Concannon ,  Peter J. Hopper ,  Marcel ter Beek

    IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L29/06 ,  H01L29/732 ,  H01L23/62 ,  H01L29/00

    CPC分类号： H01L29/732 ,  H01L27/0262 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0821

    摘要： In a BSCR and method of making a BSCR, a npn BJT structure is created and a p+ region is provided that is connected to the collector of the BJT, and one or more of the NBL, sinker and n+ collector of the BJT are partially blocked. In this way the NBL is formed into a comb-like NBL with a plurality of tines in one embodiment. The sinker and n+ collector may also be formed into a plurality islands. Furthermore, the period of the tines and islands may be varied to provide the desired BSCR characteristics.

    摘要翻译： 在BSCR和制造BSCR的方法中，产生npn BJT结构，并且提供连接到BJT的集电极的p +区域，并且BJT的NBL，沉没器和n +集电极中的一个或多个被部分阻塞 。 以这种方式，在一个实施例中，NBL形成为具有多个尖齿的梳状NBL。 沉降片和n +集电体也可形成多个岛。 此外，可以改变尖齿和岛的周期以提供期望的BSCR特性。

    Bi-directional ESD protection structure for BiCMOS technology
    14.
    发明授权
    Bi-directional ESD protection structure for BiCMOS technology 有权
    BiCMOS技术的双向ESD保护结构

    公开(公告)号：US06784029B1

    公开(公告)日：2004-08-31

    申请号：US10121514

    申请日：2002-04-12

    申请人： Vladislav Vashchenko ,  Ann Concannon ,  Peter J. Hopper ,  Marcel ter Beek

    发明人： Vladislav Vashchenko ,  Ann Concannon ,  Peter J. Hopper ,  Marcel ter Beek

    IPC分类号： H01L218248

    CPC分类号： H01L27/0262 ,  H01L27/0623 ,  H01L29/0626 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/87

    摘要： In a Bi-CMOS ESD protection device, dual voltage capabilities are achieved by providing two laterally spaced p-regions in a n-material and defining a n+ region and a p+ region in each of the p-regions to define I-V characteristics that are similar to those defined by a SCR device in a positive direction, but, in this case, having those characteristics in both directions. The device may be asymmetrical to accommodate different voltage amplitudes in the positive and negative directions.

    摘要翻译： 在Bi-CMOS ESD保护器件中，通过在n型材料中提供两个横向间隔开的p区并且在每个p区中限定n +区和p +区以实现类似的IV特性来实现双电压能力。 对于由SCR装置在正方向上限定的那些，但是在这种情况下，在两个方向具有这些特性。 器件可能是不对称的，以适应正向和负向不同的电压幅度。

    High holding voltage ESD protection structure for BiCMOS technology
    15.
    发明授权
    High holding voltage ESD protection structure for BiCMOS technology 有权
    高保持电压ESD保护结构，适用于BiCMOS技术

    公开(公告)号：US06717219B1

    公开(公告)日：2004-04-06

    申请号：US10121183

    申请日：2002-04-12

    申请人： Vladislav Vashchenko ,  Ann Concannon ,  Peter J. Hopper ,  Marcel ter Beek

    发明人： Vladislav Vashchenko ,  Ann Concannon ,  Peter J. Hopper ,  Marcel ter Beek

    IPC分类号： H01L2362

    CPC分类号： H01L29/7436 ,  H01L27/0259

    摘要： In a Bi-CM0S ESD protection structure, the holding voltage is increased by a desired amount by including a NBL of chosen length. The positioning of the NBL may be adjusted to adjust the I-V characteristics of the structure. Dual voltage capabilities may be achieved by providing two laterally spaced p-regions in a n-material and defining a n+ region and a p+ region in each of the p-regions to define I-V characteristics that are similar to those defined by a SCR device in a positive direction, but, in this case, having those characteristics in both directions. Over and above the NBL position being adjusted relative to the p-regions, the two p-regions may vary in doping level, and dimensions to achieve different I-V characteristics for the device in the positive and negative directions.

    摘要翻译： 在Bi-CM0S ESD保护结构中，通过包括选定长度的NBL，保持电压增加所需量。 可以调整NBL的定位以调整结构的I-V特性。 可以通过在n材料中提供两个横向间隔的p区并且在每个p区中限定n +区和p +区来限定IV特性来实现双电压能力，其类似于由SCR器件中定义的那些 正方向，但是在这种情况下，在两个方向都具有这些特征。 在相对于p区域调整NBL位置之上和之上时，两个p区可以在掺杂水平和尺寸上变化，以在正向和负向方向上实现器件的不同I-V特性。

    Output driver with split pins
    18.
    发明授权
    Output driver with split pins 有权
    输出驱动器，带分针

    公开(公告)号：US07352032B1

    公开(公告)日：2008-04-01

    申请号：US11504990

    申请日：2006-08-16

    申请人： Charles Chu ,  Marcel ter Beek

    发明人： Charles Chu ,  Marcel ter Beek

    IPC分类号： H01L23/62

    CPC分类号： H01L27/0266

    摘要： The drains of the PMOS transistor and the NMOS transistor of a driver are separated and connected to two spaced-apart pins. The spaced-apart pins provide ESD protection to the NMOS transistor, which can be turned on during an ESD event by voltages that propagate through the PMOS transistor during the ESD event.

    摘要翻译： 驱动器的PMOS晶体管和NMOS晶体管的漏极分离并连接到两个间隔开的引脚。 间隔开的引脚为NMOS晶体管提供ESD保护，NMOS晶体管可以在ESD事件期间通过在ESD事件期间传播通过PMOS晶体管的电压导通。

    SCR with a fuse that prevents latchup
    19.
    发明授权
    SCR with a fuse that prevents latchup 有权
    带保险丝的SCR可防止闩锁

    公开(公告)号：US07486494B1

    公开(公告)日：2009-02-03

    申请号：US11504991

    申请日：2006-08-16

    申请人： Charles Chu ,  Marcel ter Beek

    发明人： Charles Chu ,  Marcel ter Beek

    IPC分类号： H02H5/04 ,  H02H1/00

    CPC分类号： H02H9/042 ,  H01H85/046 ,  H01H85/10 ,  H01H2085/0283

    摘要： A chip which utilizes a silicon controlled rectifier (SCR) for ESD protection prevents a latchup condition from occurring when the SCR misfires and turns on during normal operation by utilizing a fuse in series with the SCR. The fuse allows the SCR to perform normally during an ESD event, but blows if the SCR misfires and attempts to pull a pin voltage down to the holding voltage.

    摘要翻译： 利用可控硅整流器（SCR）进行ESD保护的芯片防止当SCR通过利用与SCR串联的保险丝在正常工作期间发生故障时发生闭锁状态。 保险丝允许SCR在ESD事件期间正常执行，但是如果SCR失火并且试图将引脚电压拉低至保持电压，则会发生熔断。