公开(公告)号：US08698246B2

公开(公告)日：2014-04-15

申请号：US13547200

申请日：2012-07-12

申请人： Sang-hun Jeon ,  Chang-jung Kim ,  I-hun Song

发明人： Sang-hun Jeon ,  Chang-jung Kim ,  I-hun Song

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/15 ,  H01L29/80 ,  H01L27/12 ,  H01L23/62 ,  H01L21/00 ,  H01L21/84 ,  H01L21/337

CPC分类号： H01L29/42384 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： A high-voltage oxide transistor includes a substrate; a channel layer disposed on the substrate; a gate electrode disposed on the substrate to correspond to the channel layer; a source contacting a first side of the channel layer; and a drain contacting a second side of the channel layer, wherein the channel layer includes a plurality of oxide layers, and none of the plurality of oxide layers include silicon. The gate electrode may be disposed on or under the channel layer. Otherwise, the gate electrodes may be disposed respectively on and under the channel layer.

摘要翻译： 高压氧化物晶体管包括基板; 设置在所述基板上的沟道层; 设置在所述基板上以对应于所述沟道层的栅电极; 源极，与所述沟道层的第一侧接触; 以及与沟道层的第二面接触的漏极，其中所述沟道层包括多个氧化物层，并且所述多个氧化物层中没有一个包括硅。 栅电极可以设置在沟道层上或下面。 否则，栅极电极可以分别设置在沟道层上和下面。

公开(公告)号：US08669551B2

公开(公告)日：2014-03-11

申请号：US12289252

申请日：2008-10-23

申请人： Sun-il Kim ,  Young-soo Park ,  I-hun Song ,  Chang-jung Kim ,  Jae-chul Park ,  Sang-wook Kim

发明人： Sun-il Kim ,  Young-soo Park ,  I-hun Song ,  Chang-jung Kim ,  Jae-chul Park ,  Sang-wook Kim

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/12

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： A transistor according to example embodiments may include a channel layer, a source and a drain respectively contacting ends of the channel layer, a gate electrode separated from the channel layer, a gate insulating layer interposed between the channel layer and the gate electrode, and/or an insertion layer that is formed between the channel layer and the gate insulating layer. The insertion layer may have a work function different from that of the channel layer.

摘要翻译： 根据示例实施例的晶体管可以包括沟道层，分别接触沟道层的端部的源极和漏极，与沟道层分离的栅电极，介于沟道层和栅电极之间的栅极绝缘层和/ 或形成在沟道层和栅极绝缘层之间的插入层。 插入层可以具有与沟道层不同的功函数。

公开(公告)号：US08547719B2

公开(公告)日：2013-10-01

申请号：US12588275

申请日：2009-10-09

申请人： Jae-chul Park ,  Kee-won Kwon ,  I-hun Song ,  Young-soo Park ,  Chang-jung Kim ,  Sang-wook Kim ,  Sun-il Kim

发明人： Jae-chul Park ,  Kee-won Kwon ,  I-hun Song ,  Young-soo Park ,  Chang-jung Kim ,  Sang-wook Kim ,  Sun-il Kim

IPC分类号： G11C5/02

CPC分类号： G11C5/02 ,  G11C5/143 ,  G11C7/18 ,  G11C8/12 ,  G11C13/0023 ,  G11C2213/71

摘要： A stacked memory device includes a plurality of memory layers, where at least one of the plurality of memory layers is stacked on another of the plurality of memory layers and each of the memory layers includes an array of memory cells, a first active circuit unit configured to classify and process address information for at least one of the memory cells as vertical address information and horizontal address information, and at least one second active circuit unit configured to generate a memory selection signal for at least one of the memory cells based on signals processed by the first active circuit unit.

摘要翻译： 堆叠存储器件包括多个存储器层，其中多个存储器层中的至少一个堆叠在多个存储器层中的另一个上，并且每个存储器层包括存储器单元阵列，第一有源电路单元配置 将至少一个存储器单元的地址信息分类并处理为垂直地址信息和水平地址信息，以及至少一个第二有源电路单元，配置为基于处理的信号为存储器单元中的至少一个生成存储器选择信号 由第一有源电路单元。

公开(公告)号：US08470634B2

公开(公告)日：2013-06-25

申请号：US13552185

申请日：2012-07-18

申请人： Sun-il Kim ,  Jae-cheol Lee ,  I-hun Song ,  Young-soo Park ,  Chang-jung Kim ,  Jae-chul Park

发明人： Sun-il Kim ,  Jae-cheol Lee ,  I-hun Song ,  Young-soo Park ,  Chang-jung Kim ,  Jae-chul Park

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/16 ,  H01L21/84 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02581 ,  H01L29/78696

摘要： An oxide thin film transistor and a method of manufacturing the oxide TFT are provided. The oxide thin film transistor (TFT) including: a gate; a channel formed to correspond to the gate, and a capping layer having a higher work function than the channel; a gate insulator disposed between the gate and the channel; and a source and drain respectively contacting either side of the capping layer and the channel and partially on a top surface of the capping layer.

摘要翻译： 提供氧化物薄膜晶体管和制造氧化物TFT的方法。 所述氧化物薄膜晶体管（TFT）包括：栅极; 形成为对应于所述栅极的沟道，以及具有比所述沟道更高功函数的覆盖层; 设置在栅极和沟道之间的栅极绝缘体; 以及源极和漏极，分别接触封盖层的两侧和通道之间，部分地接合覆盖层的顶表面。

公开(公告)号：US08421070B2

公开(公告)日：2013-04-16

申请号：US12929324

申请日：2011-01-14

申请人： Chang-jung Kim ,  I-hun Song ,  Dong-hun Kang ,  Young-soo Park

发明人： Chang-jung Kim ,  I-hun Song ,  Dong-hun Kang ,  Young-soo Park

IPC分类号： H01L29/12

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： A semiconductor device may include a composite represented by Formula 1 below as an active layer. x(Ga2O3).y(In2O3).z(ZnO)  Formula 1 wherein, about 0.75≦x/z≦about 3.15, and about 0.55≦y/z≦about 1.70. Switching characteristics of displays and driving characteristics of driving transistors may be improved by adjusting the amounts of a gallium (Ga) oxide and an indium (In) oxide mixed with a zinc (Zn) oxide and improving optical sensitivity.

摘要翻译： 半导体器件可以包括由下面的式1表示的复合物作为有源层。 x（Ga 2 O 3）y（In 2 O 3）z（ZnO）式1其中约0.75＆lt; lE; x / z＆nlE;约3.15和约0.55≤n1E; y /z≤n1E;约1.70。 可以通过调节与锌（Zn）氧化物混合的镓（Ga）氧化物和铟（In））的量来提高驱动晶体管的开关特性并提高光学灵敏度。

公开(公告)号：US08399882B2

公开(公告)日：2013-03-19

申请号：US12801500

申请日：2010-06-11

申请人： Sang-hun Jeon ,  I-hun Song ,  Chang-jung Kim ,  Sung-ho Park

发明人： Sang-hun Jeon ,  I-hun Song ,  Chang-jung Kim ,  Sung-ho Park

IPC分类号： H01L29/12

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： Transistors and methods of manufacturing the same. A transistor may be an oxide thin film transistor (TFT) with a self-aligned top gate structure. The transistor may include a gate insulating layer between a channel region and a gate electrode that extends from two sides of the gate electrode. The gate insulating layer may cover at least a portion of source and drain regions.

摘要翻译： 晶体管及其制造方法。 晶体管可以是具有自对准顶栅结构的氧化物薄膜晶体管（TFT）。 晶体管可以包括从栅电极的两侧延伸的沟道区和栅电极之间的栅极绝缘层。 栅绝缘层可以覆盖源区和漏区的至少一部分。

公开(公告)号：US08383472B2

公开(公告)日：2013-02-26

申请号：US13067306

申请日：2011-05-24

申请人： Huaxiang Yin ,  I-hun Song ,  Chang-jung Kim ,  Sang-wook Kim ,  Sun-il Kim

发明人： Huaxiang Yin ,  I-hun Song ,  Chang-jung Kim ,  Sang-wook Kim ,  Sun-il Kim

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1251

摘要： Provided are an inverter, a method of manufacturing the inverter, and a logic circuit including the inverter. The inverter may include a first transistor and a second transistor having different channel layer structures. A channel layer of the first transistor may include a lower layer and an upper layer, and a channel layer of the second transistor may be the same as one of the lower layer and the upper layer. At least one of the lower layer and the upper layer may be an oxide layer. The inverter may be an enhancement/depletion (E/D) mode inverter or a complementary inverter.

摘要翻译： 提供逆变器，逆变器的制造方法以及包括逆变器的逻辑电路。 反相器可以包括具有不同沟道层结构的第一晶体管和第二晶体管。 第一晶体管的沟道层可以包括下层和上层，并且第二晶体管的沟道层可以与下层和上层之一相同。 下层和上层中的至少一层可以是氧化物层。 逆变器可以是增强/耗尽型（E / D）型逆变器或互补型逆变器。

公开(公告)号：US08232551B2

公开(公告)日：2012-07-31

申请号：US12458491

申请日：2009-07-14

申请人： Sun-il Kim ,  I-hun Song ,  Chang-jung Kim ,  Jae-chul Park ,  Sang-wook Kim

发明人： Sun-il Kim ,  I-hun Song ,  Chang-jung Kim ,  Jae-chul Park ,  Sang-wook Kim

IPC分类号： H01L29/26

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： Channel layers and semiconductor devices including the channel layers are disclosed. A channel layer may include a multi-layered structure. Layers forming the channel layer may have different carrier mobilities and/or carrier densities. The channel layer may have a double layered structure including a first layer and a second layer which may be formed of different oxides. Characteristics of the transistor may vary according to materials used to form the channel layers and/or thicknesses thereof.

摘要翻译： 公开了包括沟道层的通道层和半导体器件。 沟道层可以包括多层结构。 形成沟道层的层可具有不同的载流子迁移率和/或载流子密度。 沟道层可以具有双层结构，其包括可由不同氧化物形成的第一层和第二层。 晶体管的特性可以根据用于形成沟道层的材料和/或其厚度而变化。

公开(公告)号：US20120085999A1

公开(公告)日：2012-04-12

申请号：US13099806

申请日：2011-05-03

申请人： I-hun Song ,  Yin Huaxiang ,  Sang-hun Jeon ,  Sung-ho Park

发明人： I-hun Song ,  Yin Huaxiang ,  Sang-hun Jeon ,  Sung-ho Park

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L31/113

CPC分类号： H01L27/14681 ,  H01L27/14692

摘要： Example embodiments disclose transistors, methods of manufacturing the same, and electronic devices including transistors. An active layer of a transistor may include a plurality of material layers (oxide layers) with different energy band gaps. The active layer may include a channel layer and a photo sensing layer. The photo sensing layer may have a single-layered or multi-layered structure. When the photo sensing layer has a multi-layered structure, the photo sensing layer may include a first material layer and a second material layer that are sequentially stacked on a surface of the channel layer. The first layer and the second layer may be alternately stacked one or more times.

摘要翻译： 示例性实施例公开了晶体管，其制造方法以及包括晶体管的电子器件。 晶体管的有源层可以包括具有不同能带隙的多个材料层（氧化物层）。 有源层可以包括沟道层和感光层。 感光层可以具有单层或多层结构。 当感光层具有多层结构时，感光层可以包括依次层叠在沟道层的表面上的第一材料层和第二材料层。 第一层和第二层可以交替堆叠一次或多次。

公开(公告)号：US08063421B2

公开(公告)日：2011-11-22

申请号：US12007038

申请日：2008-01-04

申请人： Dong-hun Kang ,  Stefanovich Genrikh ,  I-hun Song ,  Young-soo Park ,  Chang-jung Kim

发明人： Dong-hun Kang ,  Stefanovich Genrikh ,  I-hun Song ,  Young-soo Park ,  Chang-jung Kim

IPC分类号： H01L31/062 ,  H01L31/113

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： Provided are a thin film transistor and a method of manufacturing the same. The thin film transistor may include a gate; a channel layer; a source and a drain, the source and the drain being formed of metal; and a metal oxide layer, the metal oxide layer being formed between the channel layer and the source and the drain. The metal oxide layer may have a gradually changing metal content between the channel layer and the source and the drain.

摘要翻译： 提供一种薄膜晶体管及其制造方法。 薄膜晶体管可以包括栅极; 一个通道层; 源极和漏极，源极和漏极由金属形成; 和金属氧化物层，金属氧化物层形成在沟道层与源极和漏极之间。 金属氧化物层可以在沟道层和源极和漏极之间具有逐渐变化的金属含量。