公开(公告)号：US20120235147A1

公开(公告)日：2012-09-20

申请号：US13356923

申请日：2012-01-24

申请人： Sang-Il PARK ,  Chaun-Gi CHOI ,  Tae-Kyung AHN

发明人： Sang-Il PARK ,  Chaun-Gi CHOI ,  Tae-Kyung AHN

IPC分类号： H01L51/52 ,  H01L51/56

CPC分类号： H01L27/3262 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3265 ,  H01L51/5212 ,  H01L2227/323

摘要： An organic light-emitting display device includes an organic light-emitting device, a thin film transistor (TFT) electrically connected to the organic light-emitting device, and a capacitor electrically connected to the organic light-emitting device, the capacitor including a first electrode layer and a second electrode layer opposite to each other, and a first insulating layer interposed as a single layer between the first electrode layer and the second electrode layer.

摘要翻译： 有机发光显示装置包括有机发光装置，与有机发光装置电连接的薄膜晶体管（TFT）和电连接到有机发光装置的电容器，所述电容器包括第一 电极层和彼此相对的第二电极层，以及在第一电极层和第二电极层之间作为单层插入的第一绝缘层。

公开(公告)号：US08227804B2

公开(公告)日：2012-07-24

申请号：US13023686

申请日：2011-02-09

申请人： Huiwon Yang ,  Ki-Ju Im ,  Chaun-Gi Choi ,  Eun-Hyun Kim ,  Steve Y. G. Mo

发明人： Huiwon Yang ,  Ki-Ju Im ,  Chaun-Gi Choi ,  Eun-Hyun Kim ,  Steve Y. G. Mo

IPC分类号： H01L29/10

CPC分类号： H01L27/3262

摘要： An organic light-emitting display device including: a gate electrode formed on a substrate; a first insulating layer formed on the gate electrode; an active layer formed on the first insulating layer, facing the gate electrode; a second insulating layer formed on the first insulating layer, having first openings to expose the active layer; source/drain electrodes formed on the second insulating layer, so as to be connected to exposed portions of the active layer through the first openings; and a metal layer formed on the active layer and contacting the second insulating layer.

摘要翻译： 一种有机发光显示装置，包括：形成在基板上的栅电极; 形成在栅电极上的第一绝缘层; 形成在所述第一绝缘层上的与所述栅电极相对的有源层; 形成在所述第一绝缘层上的第二绝缘层，具有用于暴露所述有源层的第一开口; 源极/漏电极，形成在第二绝缘层上，以便通过第一开口连接到有源层的暴露部分; 以及形成在所述有源层上并接触所述第二绝缘层的金属层。

公开(公告)号：US20110220888A1

公开(公告)日：2011-09-15

申请号：US12926049

申请日：2010-10-22

申请人： Chaun-Gi Choi ,  Chang-Mo Park ,  Jong-Han Jeong

发明人： Chaun-Gi Choi ,  Chang-Mo Park ,  Jong-Han Jeong

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L51/40

CPC分类号： H01L27/3265 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L28/60

摘要： A capacitor of an organic light emitting display device includes a first metal layer on a substrate, a first insulating layer on the first metal layer, an oxide semiconductor layer on the first insulating layer, the oxide semiconductor layer corresponding to the first metal layer, a second insulating layer on the first insulating layer, the second insulating layer including an opening exposing a portion of the oxide semiconductor layer, and a second metal layer on the second insulating layer and in the opening, the second metal layer being connected to the exposed portion of the oxide semiconductor layer.

摘要翻译： 有机发光显示装置的电容器包括基板上的第一金属层，第一金属层上的第一绝缘层，第一绝缘层上的氧化物半导体层，与第一金属层对应的氧化物半导体层， 第二绝缘层，所述第二绝缘层包括暴露所述氧化物半导体层的一部分的开口，以及在所述第二绝缘层上和所述开口中的第二金属层，所述第二金属层连接到所述暴露部分 的氧化物半导体层。

公开(公告)号：US20110220879A1

公开(公告)日：2011-09-15

申请号：US12926767

申请日：2010-12-08

申请人： Ki Ju Im ,  Hui-Won Yang ,  Hye-Hyang Park ,  Chaun-Gi Choi

发明人： Ki Ju Im ,  Hui-Won Yang ,  Hye-Hyang Park ,  Chaun-Gi Choi

IPC分类号： H01L51/50

CPC分类号： H01L27/3258

摘要： An organic light emitting display (OLED) including a thin film transistor (TFT) including a gate electrode, an active layer, and source and drain electrodes, the active layer being insulated from the gate electrode and including an oxide semiconductor and the source and drain electrodes being insulated from the gate electrode and contacting the active layer; a first insulation layer covering the TFT; a second insulation layer on the first insulation layer, the second insulation layer being formed of amorphous silicon without doping; a pixel electrode on the second insulation layer; a third insulation layer on the second insulation layer, the third insulation layer covering an edge of the pixel electrode; an organic light emitting layer on the pixel electrode; and a facing electrode on the organic light emitting layer and the third insulation layer.

摘要翻译： 一种有机发光显示器（OLED），包括具有栅电极，有源层以及源电极和漏电极的薄膜晶体管（TFT），所述有源层与所述栅电极绝缘并且包括氧化物半导体以及所述源极和漏极 电极与栅电极绝缘并接触有源层; 覆盖TFT的第一绝缘层; 在所述第一绝缘层上的第二绝缘层，所述第二绝缘层由无掺杂的非晶硅形成; 第二绝缘层上的像素电极; 在所述第二绝缘层上的第三绝缘层，所述第三绝缘层覆盖所述像素电极的边缘; 像素电极上的有机发光层; 以及有机发光层和第三绝缘层上的面对电极。

公开(公告)号：US06674237B2

公开(公告)日：2004-01-06

申请号：US09948839

申请日：2001-09-10

申请人： Young-rag Do ,  Chang-won Park ,  Joon-bae Lee ,  Chaun-gi Choi

发明人： Young-rag Do ,  Chang-won Park ,  Joon-bae Lee ,  Chaun-gi Choi

IPC分类号： H01J1749

CPC分类号： H01J9/02 ,  H01J11/12 ,  H01J2211/225 ,  H01J2211/245 ,  H01J2211/444

摘要： A plate for a plasma display panel includes a plate member formed of a transparent material, a series of electrodes formed in a predetermined pattern on the plate member, and a dielectric layer formed on the plate member to cover the electrodes, wherein the electrodes are formed of a dielectric first component, and a metallic second component of at least one metal selected from a group consisting of iron (Fe), cobalt (Co), vanadium (V), titanium (Ti), aluminum (Al), silver (Ag), silicon (Si), germanium (Ge), yttrium (Y), zinc (Zn), zirconium (Zr), tungsten (W), tantalum (Ta), copper (Cu), and platinum (Pt).

摘要翻译： 用于等离子体显示面板的板包括由透明材料形成的板构件，在板构件上以预定图案形成的一系列电极，以及形成在板构件上以覆盖电极的电介质层，其中形成电极 介电第一组分和选自铁（Fe），钴（Co），钒（V），钛（Ti），铝（Al），银（Ag）的金属中的至少一种金属的金属第二组分 ），硅（Si），锗（Ge），钇（Y），锌（Zn），锆（Zr），钨（W），钽（Ta），铜（Cu）和铂（Pt）。

公开(公告)号：US06627322B2

公开(公告)日：2003-09-30

申请号：US09994768

申请日：2001-11-28

申请人： Chaun-gi Choi ,  Young-rag Do ,  Joon-bae Lee ,  Chang-won Park

发明人： Chaun-gi Choi ,  Young-rag Do ,  Joon-bae Lee ,  Chang-won Park

IPC分类号： B32B1504

CPC分类号： C23C14/027 ,  C23C14/06 ,  G02B1/116 ,  G02B5/289 ,  G02F1/133512 ,  G02F1/13439 ,  Y10T428/1064 ,  Y10T428/1068 ,  Y10T428/24942

摘要： A functional film includes a transition layer having a first constituent and a second constituent having gradual content gradients according to a thickness of the functional film. The first constituent is at least one dielectric material selected from the group consisting of SiOx (x>1), MgF2, CaF2, Al2O3, SnO2, In2O3 and ITO, and the second constituent is at least one material selected from the group consisting of iron (Fe), cobalt (Co), titanium (Ti), vanadium (V), aluminum (Al), silver (Ag), silicon (Si), germanium (Ge), yttrium (Y), zinc (Zn), zirconium (Zr), tungsten (W) and tantalum (Ta).

摘要翻译： 功能膜包括具有第一成分的过渡层和根据功能膜的厚度具有逐渐含量梯度的第二成分。 第一组分是选自由SiO x（x> 1），MgF 2，CaF 2，Al 2 O 3，SnO 2，In 2 O 3和ITO组成的组中的至少一种电介质材料，第二组分是至少一种选自铁 （Fe），钴（Co），钛（Ti），钒（V），铝（Al），银（Ag），硅（Si），锗（Ge），钇（Y），锌（Zn） （Zr），钨（W）和钽（Ta）。

公开(公告)号：US08728862B2

公开(公告)日：2014-05-20

申请号：US13462535

申请日：2012-05-02

申请人： Jae-Heung Ha ,  Young-Woo Song ,  Jong-Hyuk Lee ,  Jong-Han Jeong ,  Min-Kyu Kim ,  Yeon-Gon Mo ,  Jae-Kyeong Jeong ,  Hyun-Joong Chung ,  Kwang-Suk Kim ,  Hui-Won Yang ,  Chaun-Gi Choi

发明人： Jae-Heung Ha ,  Young-Woo Song ,  Jong-Hyuk Lee ,  Jong-Han Jeong ,  Min-Kyu Kim ,  Yeon-Gon Mo ,  Jae-Kyeong Jeong ,  Hyun-Joong Chung ,  Kwang-Suk Kim ,  Hui-Won Yang ,  Chaun-Gi Choi

IPC分类号： H01L21/16 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： A thin film transistor, a method of manufacturing the thin film transistor, and a flat panel display device including the thin film transistor. The thin film transistor includes: a gate electrode formed on a substrate; a gate insulating film formed on the gate electrode; an activation layer formed on the gate insulating film; a passivation layer including a compound semiconductor oxide, formed on the activation layer; and source and drain electrodes that contact the activation layer.

摘要翻译： 薄膜晶体管，薄膜晶体管的制造方法以及包括该薄膜晶体管的平板显示装置。 薄膜晶体管包括：形成在基板上的栅电极; 形成在栅电极上的栅极绝缘膜; 形成在所述栅极绝缘膜上的活化层; 在活化层上形成包含化合物半导体氧化物的钝化层; 以及与激活层接触的源极和漏极。

公开(公告)号：US08575606B2

公开(公告)日：2013-11-05

申请号：US13443457

申请日：2012-04-10

申请人： Sang-Il Park ,  Chaun-Gi Choi ,  Tae-Kyung Ahn

发明人： Sang-Il Park ,  Chaun-Gi Choi ,  Tae-Kyung Ahn

IPC分类号： H01L51/52

CPC分类号： H01L27/1288 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3251

摘要： A back panel for a flat panel display apparatus includes: a pixel electrode disposed on a substrate; a first gate electrode layer of a thin-film transistor (TFT) disposed on the substrate; a second gate electrode layer disposed on the first gate electrode layer and including a semiconductor material; a third gate electrode layer disposed on the second gate electrode layer and including a metal material; a first insulating layer disposed on the third gate electrode layer; an active layer disposed on the first insulating layer and including a transparent conductive oxide semiconductor; a second insulating layer disposed on the active layer; source and drain electrodes disposed connected to the active layer through the second insulating layer; and a third insulating layer covering the source and drain electrodes. The first gate electrode layer and the pixel electrode include a transparent conductive oxide.

摘要翻译： 一种用于平板显示装置的后面板包括：设置在基板上的像素电极; 设置在所述基板上的薄膜晶体管（TFT）的第一栅极电极层; 第二栅极电极层，设置在所述第一栅极电极层上并且包括半导体材料; 第三栅电极层，设置在所述第二栅电极层上并且包括金属材料; 设置在所述第三栅电极层上的第一绝缘层; 设置在所述第一绝缘层上并包括透明导电氧化物半导体的有源层; 设置在所述有源层上的第二绝缘层; 通过第二绝缘层连接到有源层的源极和漏极; 以及覆盖源极和漏极的第三绝缘层。 第一栅电极层和像素电极包括透明导电氧化物。

公开(公告)号：US08193535B2

公开(公告)日：2012-06-05

申请号：US13276884

申请日：2011-10-19

申请人： Jae-Heung Ha ,  Young-Woo Song ,  Jong-Hyuk Lee ,  Jong-Han Jeong ,  Min-Kyu Kim ,  Yeon-Gon Mo ,  Jae-Kyeong Jeong ,  Hyun-Joong Chung ,  Kwang-Suk Kim ,  Hui-Won Yang ,  Chaun-Gi Choi

发明人： Jae-Heung Ha ,  Young-Woo Song ,  Jong-Hyuk Lee ,  Jong-Han Jeong ,  Min-Kyu Kim ,  Yeon-Gon Mo ,  Jae-Kyeong Jeong ,  Hyun-Joong Chung ,  Kwang-Suk Kim ,  Hui-Won Yang ,  Chaun-Gi Choi

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L29/15 ,  H01L31/036 ,  H01L29/08 ,  H01L35/24 ,  H01L51/00 ,  H01L29/10 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/20 ,  H01L29/76 ,  H01L31/112 ,  H01L29/12 ,  H01L27/15 ,  H01L29/26 ,  H01L31/12 ,  H01L33/00 ,  H01L31/062 ,  H01L31/113

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： A thin film transistor, a method of manufacturing the thin film transistor, and a flat panel display device including the thin film transistor. The thin film transistor includes: a gate electrode formed on a substrate; a gate insulating film formed on the gate electrode; an activation layer formed on the gate insulating film; a passivation layer including a compound semiconductor oxide, formed on the activation layer; and source and drain electrodes that contact the activation layer.

摘要翻译： 薄膜晶体管，薄膜晶体管的制造方法以及包括该薄膜晶体管的平板显示装置。 薄膜晶体管包括：形成在基板上的栅电极; 形成在栅电极上的栅极绝缘膜; 形成在所述栅极绝缘膜上的活化层; 在活化层上形成包含化合物半导体氧化物的钝化层; 以及与激活层接触的源极和漏极。

公开(公告)号：US20110198584A1

公开(公告)日：2011-08-18

申请号：US13023686

申请日：2011-02-09

申请人： Huiwon YANG ,  Ki-Ju Im ,  Chaun-Gi Choi ,  Eun-Hyun Kim ,  Steve Y.G. Mo

发明人： Huiwon YANG ,  Ki-Ju Im ,  Chaun-Gi Choi ,  Eun-Hyun Kim ,  Steve Y.G. Mo

IPC分类号： H01L33/26

CPC分类号： H01L27/3262

摘要： An organic light-emitting display device including: a gate electrode formed on a substrate; a first insulating layer formed on the gate electrode; an active layer formed on the first insulating layer, facing the gate electrode; a second insulating layer formed on the first insulating layer, having first openings to expose the active layer; source/drain electrodes formed on the second insulating layer, so as to be connected to exposed portions of the active layer through the first openings; and a metal layer formed on the active layer and contacting the second insulating layer.

摘要翻译： 一种有机发光显示装置，包括：形成在基板上的栅电极; 形成在栅电极上的第一绝缘层; 形成在所述第一绝缘层上的与所述栅电极相对的有源层; 形成在所述第一绝缘层上的第二绝缘层，具有用于暴露所述有源层的第一开口; 源极/漏电极，形成在第二绝缘层上，以便通过第一开口连接到有源层的暴露部分; 以及形成在所述有源层上并接触所述第二绝缘层的金属层。