公开(公告)号：US20050142704A1

公开(公告)日：2005-06-30

申请号：US11017853

申请日：2004-12-22

申请人： Jae Oh ,  Kyoung Lee ,  Sung Hong

发明人： Jae Oh ,  Kyoung Lee ,  Sung Hong

IPC分类号： G02F1/136 ,  G02F1/1362 ,  H01L21/77 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L21/00 ,  H01L27/108 ,  H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/119

CPC分类号： G02F1/13458 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288

摘要： Disclosed is a method for fabricating a thin film transistor for a liquid crystal display device using four masks and without using a diffraction mask. The method of the present invention uses a first mask when forming a gate electrode, a second mask when forming an active pattern, a third mask when forming a plurality of contact holes at an upper portion of a channel layer, and a fourth mask when forming a pixel electrode and source and drain electrodes, so that the resulting liquid crystal display device may be completed by four masks without using a diffraction exposure method. Instead of using a diffraction mask, the present invention uses different etching rates between an insulating layer and an electrode layer, which is used for source and drain electrodes, in fabricating a thin film transistor.

摘要翻译： 公开了一种使用四个掩模并且不使用衍射掩模来制造用于液晶显示装置的薄膜晶体管的方法。 本发明的方法在形成栅电极时使用第一掩模，当形成有源图案时使用第二掩模，当在沟道层的上部形成多个接触孔时，第三掩模和第四掩模 像素电极和源电极和漏电极，使得所得到的液晶显示装置可以通过四个掩模完成而不使用衍射曝光方法。 代替使用衍射掩模，本发明在制造薄膜晶体管时在绝缘层和用于源极和漏极的电极层之间使用不同的蚀刻速率。

公开(公告)号：US06794167B2

公开(公告)日：2004-09-21

申请号：US09843250

申请日：2001-04-26

申请人： Rebecca Parales ,  David Gibson ,  Sol Resnick ,  Kyoung Lee

发明人： Rebecca Parales ,  David Gibson ,  Sol Resnick ,  Kyoung Lee

IPC分类号： C12N902

CPC分类号： C12N9/0071 ,  C12Y114/12012

摘要： The invention provides an NDO or NDO related complex comprising at least one alpha-subunit polypeptide that comprises: 1) a substituted amino acid at the position corresponding to position 352 in NDO, 2) a substituted amino acid at the position corresponding to position 201, 202, 260, 316, 351, 358, 362, or 366 in NDO, or 3) a substituted amino acid at the position corresponding to position 352 in NDO, and a substituted amino acid at the position corresponding to position 201, 202, 260, 316, 351, 358, 362, or 366 in NDO; or a catalytically active fragment thereof. The invention also provides DNA encoding such polypeptides, host cells augmented by such DNA, and methods for using the enzymes or host cells to provide useful and novel synthons. The invention also provides novel compounds prepared with the complexes or methods of the invention.

摘要翻译： 本发明提供了包含至少一种α亚基多肽的NDO或NDO相关复合物，其包含：1）在对应于NDO中的位置352的位置处的取代的氨基酸，2）对应于位置201的位置处的取代的氨基酸， 在NDO中的202,260,316,351,358,362或366，或3）在对应于NDO中的位置352的位置处的取代的氨基酸和对应于位置201,202,260的位置的取代的氨基酸 ，316,351,358,362或366在NDO中; 或其催化活性片段。 本发明还提供了编码这种多肽的DNA，由这种DNA增强的宿主细胞，以及使用酶或宿主细胞提供有用和新颖的合成子的方法。 本发明还提供用本发明的复合物或方法制备的新型化合物。