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    NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
    26.
    发明申请
    NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE 有权
    非易失性半导体存储器件

    公开(公告)号：US20120273743A1

    公开(公告)日：2012-11-01

    申请号：US13512774

    申请日：2010-11-29

    申请人： Shuichi Kuboi ,  Masayuki Takata ,  Tsukasa Nakai ,  Hiroyuki Fukumizu ,  Yasuhiro Nojiri ,  Kenichi Ootsuka

    发明人： Shuichi Kuboi ,  Masayuki Takata ,  Tsukasa Nakai ,  Hiroyuki Fukumizu ,  Yasuhiro Nojiri ,  Kenichi Ootsuka

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/04 ,  H01L45/148

    摘要： A nonvolatile semiconductor memory device includes: a first interconnect; a second interconnect at a position opposing the first interconnect; and a variable resistance layer between the first interconnect and the second interconnect, the variable resistance layer being capable of reversibly changing between a first state and a second state by a voltage applied via the first interconnect and the second interconnect or a current supplied via the first interconnect and the second interconnect, the first state having a first resistivity, the second state having a second resistivity higher than the first resistivity. Wherein the variable resistance layer has a compound of carbon and silicon as a main component and including hydrogen.

    摘要翻译： 非易失性半导体存储器件包括：第一互连; 在与所述第一互连相对的位置处的第二互连; 以及第一互连和第二互连之间的可变电阻层，可变电阻层能够通过经由第一互连和第二互连施加的电压在第一状态和第二状态之间可逆地改变，或者经由第一互连 互连和第二互连，第一状态具有第一电阻率，第二状态具有比第一电阻率高的第二电阻率。 其中可变电阻层具有碳和硅作为主要成分并包括氢的化合物。

    Nonvolatile semiconductor memory device
    30.
    发明授权
    Nonvolatile semiconductor memory device 有权
    非易失性半导体存储器件

    公开(公告)号：US08735859B2

    公开(公告)日：2014-05-27

    申请号：US13512774

    申请日：2010-11-29

    申请人： Shuichi Kuboi ,  Masayuki Takata ,  Tsukasa Nakai ,  Hiroyuki Fukumizu ,  Yasuhiro Nojiri ,  Kenichi Ootsuka

    发明人： Shuichi Kuboi ,  Masayuki Takata ,  Tsukasa Nakai ,  Hiroyuki Fukumizu ,  Yasuhiro Nojiri ,  Kenichi Ootsuka

    IPC分类号： H01L29/02

    CPC分类号： H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/04 ,  H01L45/148

    摘要： A nonvolatile semiconductor memory device includes: a first interconnect; a second interconnect at a position opposing the first interconnect; and a variable resistance layer between the first interconnect and the second interconnect, the variable resistance layer being capable of reversibly changing between a first state and a second state by a voltage applied via the first interconnect and the second interconnect or a current supplied via the first interconnect and the second interconnect, the first state having a first resistivity, the second state having a second resistivity higher than the first resistivity. Wherein the variable resistance layer has a compound of carbon and silicon as a main component and including hydrogen.

    摘要翻译： 非易失性半导体存储器件包括：第一互连; 在与所述第一互连相对的位置处的第二互连; 以及第一互连和第二互连之间的可变电阻层，可变电阻层能够通过经由第一互连和第二互连施加的电压在第一状态和第二状态之间可逆地改变，或者经由第一互连 互连和第二互连，第一状态具有第一电阻率，第二状态具有比第一电阻率高的第二电阻率。 其中可变电阻层具有碳和硅作为主要成分并包括氢的化合物。