公开(公告)号：US20070151514A1

公开(公告)日：2007-07-05

申请号：US11680995

申请日：2007-03-01

申请人： LING CHEN ,  Vincent Ku ,  Mei Chang ,  Dien-Yeh Wu ,  Hua Chung

发明人： LING CHEN ,  Vincent Ku ,  Mei Chang ,  Dien-Yeh Wu ,  Hua Chung

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： C23C16/45544 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/45508 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45582 ,  C23C16/54

摘要： In one embodiment, an apparatus for performing an atomic layer deposition process is provided which includes a chamber body having a substrate support, a lid assembly attached to the chamber body, and delivery sub-assemblies coupled to the lid assembly and configured to deliver process gases into a centralized expanding conduit, which extends through the lid assembly and expands radially outward. The first gas delivery sub-assembly contains an annular mixing channel encircling and in fluid communication with the centralized expanding conduit, wherein the annular mixing channel is adapted to deliver a first process gas through a plurality of passageways and nozzles and into the centralized expanding conduit. A first gas inlet may be coupled to the annular mixing channel and positioned to provide the first process gas to the annular mixing channel. The second gas delivery sub-assembly contains a second gas inlet in fluid communication to the centralized expanding conduit.

摘要翻译： 在一个实施例中，提供了一种用于执行原子层沉积工艺的装置，其包括具有基板支撑件的室主体，附接到室主体的盖组件和联接到盖组件的输送子组件，并且构造成输送工艺气体 进入集中扩展的管道，其延伸穿过盖组件并径向向外扩张。 第一气体输送子组件包含环形混合通道，环形混合通道环绕并与中央膨胀导管流体连通，其中环形混合通道适于将第一工艺气体通过多个通道和喷嘴输送到集中扩展管道中。 第一气体入口可以联接到环形混合通道并且定位成将第一工艺气体提供给环形混合通道。 第二气体输送子组件包含与集中扩张导管流体连通的第二气体入口。

公开(公告)号：US20080274299A1

公开(公告)日：2008-11-06

申请号：US12172092

申请日：2008-07-11

申请人： LING CHEN ,  Vincent W. Ku ,  Mei Chang ,  Dien-Yeh Wu ,  Hua Chung

发明人： LING CHEN ,  Vincent W. Ku ,  Mei Chang ,  Dien-Yeh Wu ,  Hua Chung

IPC分类号： H05H1/24 ,  C23C16/00

CPC分类号： C23C16/45544 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/45508 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45582 ,  C23C16/54

摘要： In one embodiment, an apparatus for performing an atomic layer deposition (ALD) process is provided which includes a chamber body containing a substrate support, a lid assembly attached to the chamber body, a remote plasma system (RPS) in fluid communication with the reaction zone, a centralized expanding conduit extending through the lid assembly and expanding radially outwards, a first gas delivery sub-assembly configured to deliver a first process gas, and a second gas delivery sub-assembly configured to deliver a second process gas into the centralized expanding conduit. The first gas delivery sub-assembly contains an annular channel encircling and in fluid communication with the centralized expanding conduit, wherein the annular channel is adapted to deliver the first process gas through a plurality of passageways and nozzles and into the centralized expanding conduit. The second gas delivery sub-assembly contains a gas inlet in fluid communication to the centralized expanding conduit.

摘要翻译： 在一个实施例中，提供了一种用于执行原子层沉积（ALD）工艺的装置，其包括容纳衬底支撑件的室主体，附接到室主体的盖组件，与反应流体连通的远程等离子体系统（RPS） 区域，延伸穿过盖组件并径向向外扩张的集中扩展管道，构造成输送第一工艺气体的第一气体输送子组件和构造成将第二工艺气体输送到集中扩展中的第二气体输送子组件 导管。 第一气体输送子组件包含环形通道，环形通道与中央膨胀管道流体连通，其中环形通道适于将第一工艺气体通过多个通道和喷嘴输送到集中扩展管道中。 第二气体输送子组件包含与集中扩张导管流体连通的气体入口。

公开(公告)号：US07402210B2

公开(公告)日：2008-07-22

申请号：US11680995

申请日：2007-03-01

申请人： Ling Chen ,  Vincent W. Ku ,  Mei Chang ,  Dien-Yeh Wu ,  Hua Chung

发明人： Ling Chen ,  Vincent W. Ku ,  Mei Chang ,  Dien-Yeh Wu ,  Hua Chung

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23F1/00 ,  H01L21/306 ,  C23C16/34

CPC分类号： C23C16/45544 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/45508 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45582 ,  C23C16/54

摘要： In one embodiment, an apparatus for performing an atomic layer deposition process is provided which includes a chamber body having a substrate support, a lid assembly attached to the chamber body, and delivery sub-assemblies coupled to the lid assembly and configured to deliver process gases into a centralized expanding conduit, which extends through the lid assembly and expands radially outward. The first gas delivery sub-assembly contains an annular mixing channel encircling and in fluid communication with the centralized expanding conduit, wherein the annular mixing channel is adapted to deliver a first process gas through a plurality of passageways and nozzles and into the centralized expanding conduit. A first gas inlet may be coupled to the annular mixing channel and positioned to provide the first process gas to the annular mixing channel. The second gas delivery sub-assembly contains a second gas inlet in fluid communication to the centralized expanding conduit.

摘要翻译： 在一个实施例中，提供了一种用于执行原子层沉积工艺的装置，其包括具有基板支撑件的室主体，附接到室主体的盖组件和联接到盖组件的输送子组件，并且构造成输送工艺气体 进入集中扩展的管道，其延伸穿过盖组件并径向向外扩张。 第一气体输送子组件包含环形混合通道，环形混合通道环绕并与中央膨胀导管流体连通，其中环形混合通道适于将第一工艺气体通过多个通道和喷嘴输送到集中扩展管道中。 第一气体入口可以联接到环形混合通道并且定位成将第一工艺气体提供给环形混合通道。 第二气体输送子组件包含与集中扩张导管流体连通的第二气体入口。

公开(公告)号：US20090308318A1

公开(公告)日：2009-12-17

申请号：US12544729

申请日：2009-08-20

申请人： Ling Chen ,  Vincent W. Ku ,  Mei Chang ,  Dien-Yeh Wu ,  Hua Chung

发明人： Ling Chen ,  Vincent W. Ku ,  Mei Chang ,  Dien-Yeh Wu ,  Hua Chung

IPC分类号： C23C16/455

CPC分类号： C23C16/45544 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/45508 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45582 ,  C23C16/54

摘要： In one embodiment, an apparatus for performing an atomic layer deposition (ALD) process is provided which includes a chamber body containing a substrate support, a lid assembly attached to the chamber body, a remote plasma system (RPS) in fluid communication with the reaction zone, a centralized expanding conduit extending through the lid assembly and expanding radially outwards, a first gas delivery sub-assembly configured to deliver a first process gas, and a second gas delivery sub-assembly configured to deliver a second process gas into the centralized expanding conduit. The first gas delivery sub-assembly contains an annular channel encircling and in fluid communication with the centralized expanding conduit, wherein the annular channel is adapted to deliver the first process gas through a plurality of passageways and nozzles and into the centralized expanding conduit. The second gas delivery sub-assembly contains a gas inlet in fluid communication to the centralized expanding conduit.

摘要翻译： 在一个实施例中，提供了一种用于执行原子层沉积（ALD）工艺的装置，其包括容纳基板支撑件的室主体，附接到室主体的盖组件，与反应流体连通的远程等离子体系统（RPS） 区域，延伸穿过盖组件并径向向外扩张的集中扩展管道，构造成输送第一工艺气体的第一气体输送子组件和构造成将第二工艺气体输送到集中扩展中的第二气体输送子组件 导管。 第一气体输送子组件包含环形通道，环形通道与中央膨胀管道流体连通，其中环形通道适于将第一工艺气体通过多个通道和喷嘴输送到集中扩展管道中。 第二气体输送子组件包含与集中扩张导管流体连通的气体入口。

公开(公告)号：US07591907B2

公开(公告)日：2009-09-22

申请号：US12172092

申请日：2008-07-11

申请人： Ling Chen ,  Vincent W. Ku ,  Mei Chang ,  Dien-Yeh Wu ,  Hua Chung

发明人： Ling Chen ,  Vincent W. Ku ,  Mei Chang ,  Dien-Yeh Wu ,  Hua Chung

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23F1/00 ,  H01L21/306 ,  C23C16/34

CPC分类号： C23C16/45544 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/45508 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45582 ,  C23C16/54

摘要： In one embodiment, an apparatus for performing an atomic layer deposition (ALD) process is provided which includes a chamber body containing a substrate support, a lid assembly attached to the chamber body, a remote plasma system (RPS) in fluid communication with the reaction zone, a centralized expanding conduit extending through the lid assembly and expanding radially outwards, a first gas delivery sub-assembly configured to deliver a first process gas, and a second gas delivery sub-assembly configured to deliver a second process gas into the centralized expanding conduit. The first gas delivery sub-assembly contains an annular channel encircling and in fluid communication with the centralized expanding conduit, wherein the annular channel is adapted to deliver the first process gas through a plurality of passageways and nozzles and into the centralized expanding conduit. The second gas delivery sub-assembly contains a gas inlet in fluid communication to the centralized expanding conduit.

摘要翻译： 在一个实施例中，提供了一种用于执行原子层沉积（ALD）工艺的装置，其包括容纳基板支撑件的室主体，附接到室主体的盖组件，与反应流体连通的远程等离子体系统（RPS） 区域，延伸穿过盖组件并径向向外扩张的集中扩展管道，构造成输送第一工艺气体的第一气体输送子组件和构造成将第二工艺气体输送到集中扩展中的第二气体输送子组件 导管。 第一气体输送子组件包含环形通道，环形通道与中央膨胀管道流体连通，其中环形通道适于将第一工艺气体通过多个通道和喷嘴输送到集中扩展管道中。 第二气体输送子组件包含与集中扩张导管流体连通的气体入口。

公开(公告)号：US08070879B2

公开(公告)日：2011-12-06

申请号：US12544729

申请日：2009-08-20

申请人： Ling Chen ,  Vincent W. Ku ,  Mei Chang ,  Dien-Yeh Wu ,  Hua Chung

发明人： Ling Chen ,  Vincent W. Ku ,  Mei Chang ,  Dien-Yeh Wu ,  Hua Chung

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23F1/00 ,  H01L21/306 ,  C23C16/34

CPC分类号： C23C16/45544 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/45508 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45582 ,  C23C16/54

摘要： In one embodiment, an apparatus for performing an atomic layer deposition (ALD) process is provided which includes a chamber body containing a substrate support, a lid assembly attached to the chamber body, a remote plasma system (RPS) in fluid communication with the reaction zone, a centralized expanding conduit extending through the lid assembly and expanding radially outwards, a first gas delivery sub-assembly configured to deliver a first process gas, and a second gas delivery sub-assembly configured to deliver a second process gas into the centralized expanding conduit. The first gas delivery sub-assembly contains an annular channel encircling and in fluid communication with the centralized expanding conduit, wherein the annular channel is adapted to deliver the first process gas through a plurality of passageways and nozzles and into the centralized expanding conduit. The second gas delivery sub-assembly contains a gas inlet in fluid communication to the centralized expanding conduit.

摘要翻译： 在一个实施例中，提供了一种用于执行原子层沉积（ALD）工艺的装置，其包括容纳基板支撑件的室主体，附接到室主体的盖组件，与反应流体连通的远程等离子体系统（RPS） 区域，延伸穿过盖组件并径向向外扩张的集中扩展管道，构造成输送第一工艺气体的第一气体输送子组件和构造成将第二工艺气体输送到集中扩展中的第二气体输送子组件 导管。 第一气体输送子组件包含环形通道，环形通道与中央膨胀管道流体连通，其中环形通道适于将第一工艺气体通过多个通道和喷嘴输送到集中扩展管道中。 第二气体输送子组件包含与集中扩张导管流体连通的气体入口。

公开(公告)号：US07204886B2

公开(公告)日：2007-04-17

申请号：US10712690

申请日：2003-11-13

申请人： Ling Chen ,  Vincent W. Ku ,  Mei Chang ,  Dien-Yeh Wu ,  Hua Chung

发明人： Ling Chen ,  Vincent W. Ku ,  Mei Chang ,  Dien-Yeh Wu ,  Hua Chung

IPC分类号： C23C16/00 ,  C23F1/00 ,  H01L21/306 ,  C23C16/06

CPC分类号： C23C16/45544 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/45508 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45582 ,  C23C16/54

摘要： A method and apparatus for performing multiple deposition processes is provided. In one embodiment, the apparatus includes a chamber body and a gas distribution assembly disposed on the chamber body. In one embodiment, the method comprises positioning a substrate surface to be processed within a chamber body, delivering two or more compounds into the chamber body utilizing a gas distribution assembly disposed on the chamber body to deposit a film comprising a first material, and then delivering two or more compounds into the chamber body utilizing a gas distribution assembly disposed on the chamber body to deposit a film comprising a second material. In one aspect of these embodiments, the gas distribution assembly includes a gas conduit in fluid communication with the chamber body, two or more isolated gas inlets equipped with one or more high speed actuating valves in fluid communication with the gas conduit, and a mixing channel in fluid communication with the gas conduit. The valves are adapted to alternately pulse one or more compounds into the gas conduit, and the mixing channel is adapted to deliver a continuous flow of one or more compounds into the gas conduit.

摘要翻译： 提供了一种用于执行多个沉积工艺的方法和装置。 在一个实施例中，该装置包括室主体和设置在室主体上的气体分配组件。 在一个实施例中，该方法包括将待处理的衬底表面定位在室主体内，使用设置在室主体上的气体分布组件将两个或更多个化合物输送到室主体中以沉积包含第一材料的膜，然后输送 使用设置在室主体上的气体分配组件将两种或更多种化合物进入室体，以沉积包含第二材料的膜。 在这些实施例的一个方面，气体分配组件包括与腔室主体流体连通的气体导管，配备有一个或多个与气体导管流体连通的高速致动阀的隔离气体入口，以及混合通道 与气体管道流体连通。 这些阀适于交替地将一种或多种化合物脉动地输送到气体导管中，并且混合通道适于将一种或多种化合物的连续流输送到气体导管中。

公开(公告)号：US20090197406A1

公开(公告)日：2009-08-06

申请号：US12417439

申请日：2009-04-02

申请人： Wei Cao ,  Hua Chung ,  Vincent Ku ,  Ling Chen

发明人： Wei Cao ,  Hua Chung ,  Vincent Ku ,  Ling Chen

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC分类号： C23C16/4408 ,  C23C16/045 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45557 ,  H01L21/28562

摘要： Embodiments of the invention provide a method for forming tantalum nitride materials on a substrate by employing an atomic layer deposition (ALD) process. The method includes heating a tantalum precursor within an ampoule to a predetermined temperature to form a tantalum precursor gas and sequentially exposing a substrate to the tantalum precursor gas and a nitrogen precursor to form a tantalum nitride material. Thereafter, a nucleation layer and a bulk layer may be deposited on the substrate. In one example, a radical nitrogen compound may be formed from the nitrogen precursor during a plasma-enhanced ALD process. A nitrogen precursor may include nitrogen or ammonia. In another example, a metal-organic tantalum precursor may be used during the deposition process.

摘要翻译： 本发明的实施例提供了一种通过采用原子层沉积（ALD）工艺在衬底上形成氮化钽材料的方法。 该方法包括将安瓿内的钽前体加热至预定温度以形成钽前体气体，并将基底依次暴露于钽前体气体和氮气前体以形成氮化钽材料。 此后，可以在基板上沉积成核层和体层。 在一个实例中，在等离子体增强的ALD工艺期间可以由氮前体形成自由基氮化合物。 氮前体可以包括氮或氨。 在另一个实例中，在沉积过程中可以使用金属 - 有机钽前体。

公开(公告)号：US07422637B2

公开(公告)日：2008-09-09

申请号：US11552727

申请日：2006-10-25

申请人： Vincent Ku ,  Ling Chen ,  Howard Grunes ,  Hua Chung

发明人： Vincent Ku ,  Ling Chen ,  Howard Grunes ,  Hua Chung

IPC分类号： C23C16/00 ,  C23F1/00 ,  H01L21/306

CPC分类号： C23C16/45544 ,  C23C16/4409 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45521 ,  C23C16/4585

摘要： An apparatus and method for performing uniform gas flow in a processing chamber is provided. In one embodiment, an apparatus is an edge ring that includes an annular body having an annular seal projecting therefrom is provided. The seal is coupled to a side of the annular body opposite a side adapted to seat on the substrate support. In another embodiment, a processing system is provided that includes a chamber body, a lid, a substrate support and a plurality of flow control orifices. The lid is disposed on the chamber body and defining an interior volume therewith. The substrate support is disposed in the interior volume and at least partially defines a processing region with the lid. The flow control orifices are disposed between the substrate support and the lid. The flow control orifices are adapted to control flow of gases exiting the processing region.

摘要翻译： 提供了一种在处理室中进行均匀气体流动的装置和方法。 在一个实施例中，一种装置是一种边缘环，其包括具有从其突出的环形密封件的环形主体。 密封件联接到环形体的与适于安置在基板支撑件上的一侧相对的一侧。 在另一个实施例中，提供了一种处理系统，其包括室主体，盖，衬底支撑件和多个流量控制孔。 盖子设置在室主体上并且与其限定内部容积。 衬底支撑件设置在内部容积中并且至少部分地限定具有盖子的处理区域。 流量控制孔布置在基板支撑件和盖子之间。 流量控制孔适于控制离开处理区域的气体流。

公开(公告)号：US07514358B2

公开(公告)日：2009-04-07

申请号：US11231386

申请日：2005-09-21

申请人： Wei Cao ,  Hua Chung ,  Vincent Ku ,  Ling Chen

发明人： Wei Cao ,  Hua Chung ,  Vincent Ku ,  Ling Chen

IPC分类号： H01L21/4763 ,  H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： C23C16/4408 ,  C23C16/045 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45557 ,  H01L21/28562

摘要： Embodiments of the invention provide a method for forming tantalum nitride materials on a substrate by employing an atomic layer deposition (ALD) process. The method includes heating a tantalum precursor within an ampoule to a predetermined temperature to form a tantalum precursor gas and sequentially exposing a substrate to the tantalum precursor gas and a nitrogen precursor to form a tantalum nitride material. Thereafter, a nucleation layer and a bulk layer may be deposited on the substrate. In one example, a radical nitrogen compound may be formed from the nitrogen precursor during a plasma-enhanced ALD process. A nitrogen precursor may include nitrogen or ammonia. In another example, a metal-organic tantalum precursor may be used during the deposition process.

摘要翻译： 本发明的实施例提供一种通过采用原子层沉积（ALD）工艺在衬底上形成氮化钽材料的方法。 该方法包括将安瓿内的钽前体加热至预定温度以形成钽前体气体，并将基底依次暴露于钽前体气体和氮气前体以形成氮化钽材料。 此后，可以在基板上沉积成核层和体层。 在一个实例中，在等离子体增强的ALD工艺期间可以由氮前体形成自由基氮化合物。 氮前体可以包括氮或氨。 在另一个实例中，在沉积过程中可以使用金属 - 有机钽前体。