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    Balancing A Signal Margin Of A Resistance Based Memory Circuit
    21.
    发明申请
    Balancing A Signal Margin Of A Resistance Based Memory Circuit 有权
    平衡基于电阻的存储器电路的信号余量

    公开(公告)号：US20100157654A1

    公开(公告)日：2010-06-24

    申请号：US12338297

    申请日：2008-12-18

    申请人： Seong-Ook Jung ,  Jisu Kim ,  Jee-Hwan Song ,  Seung H. Kang ,  Sei Seung Yoon ,  Mehdi Hamidi Sani

    发明人： Seong-Ook Jung ,  Jisu Kim ,  Jee-Hwan Song ,  Seung H. Kang ,  Sei Seung Yoon ,  Mehdi Hamidi Sani

    IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C11/14 ,  G11C7/00 ,  G11C7/06

    CPC分类号： G11C7/14 ,  G11C7/12 ,  G11C11/1673

    摘要： A resistance based memory circuit is disclosed. The circuit includes a first transistor load of a data cell and a bit line adapted to detect a first logic state. The bit line is coupled to the first transistor load and coupled to a data cell having a magnetic tunnel junction (MTJ) structure. The bit line is adapted to detect data having a logic one value when the bit line has a first voltage value, and to detect data having a logic zero value when the bit line has a second voltage value. The circuit further includes a second transistor load of a reference cell. The second transistor load is coupled to the first transistor load, and the second transistor load has an associated reference voltage value. A characteristic of the first transistor load, such as transistor width, is adjustable to modify the first voltage value and the second voltage value without substantially changing the reference voltage value.

    摘要翻译： 公开了一种基于电阻的存储器电路。 电路包括数据单元的第一晶体管负载和适于检测第一逻辑状态的位线。 位线耦合到第一晶体管负载并耦合到具有磁隧道结（MTJ）结构的数据单元。 当位线具有第一电压值时，位线适于检测具有逻辑1值的数据，并且当位线具有第二电压值时检测具有逻辑零值的数据。 电路还包括参考单元的第二晶体管负载。 第二晶体管负载耦合到第一晶体管负载，并且第二晶体管负载具有相关联的参考电压值。 第一晶体管负载（例如晶体管宽度）的特性是可调节的，以修改第一电压值和第二电压值，而基本上不改变参考电压值。

    System and method of resistance based memory circuit parameter adjustment
    22.
    发明授权
    System and method of resistance based memory circuit parameter adjustment 有权
    基于电阻的存储器电路参数调整系统及方法

    公开(公告)号：US08161430B2

    公开(公告)日：2012-04-17

    申请号：US12107252

    申请日：2008-04-22

    申请人： Seong-Ook Jung ,  Jisu Kim ,  Jee-Hwan Song ,  Seung H. Kang ,  Sei Seung Yoon

    发明人： Seong-Ook Jung ,  Jisu Kim ,  Jee-Hwan Song ,  Seung H. Kang ,  Sei Seung Yoon

    IPC分类号： G06F17/50

    CPC分类号： G06F17/5063 ,  G06F17/5036 ,  G06F17/5059 ,  G11C11/1673

    摘要： Systems and methods of resistance based memory circuit parameter adjustment are disclosed. In a particular embodiment, a method of determining a set of parameters of a resistance based memory circuit includes selecting a first parameter based on a first predetermined design constraint of the resistance based memory circuit and selecting a second parameter based on a second predetermined design constraint of the resistance based memory circuit. The method further includes performing an iterative methodology to adjust at least one circuit parameter of a sense amplifier portion of the resistance based memory circuit by selectively assigning and adjusting a physical property of the at least one circuit parameter to achieve a desired sense amplifier margin value without changing the first parameter or the second parameter.

    摘要翻译： 公开了基于电阻的存储器电路参数调整的系统和方法。 在特定实施例中，确定基于电阻的存储器电路的一组参数的方法包括基于基于电阻的存储器电路的第一预定设计约束来选择第一参数，并且基于第二预定设计约束来选择第二参数 电阻式存储电路。 该方法还包括执行迭代方法以通过选择性地分配和调整至少一个电路参数的物理特性来调整基于电阻的存储器电路的读出放大器部分的至少一个电路参数，以实现期望的读出放大器余量值，而没有 改变第一个参数或第二个参数。

    RESISTANCE-BASED MEMORY WITH REDUCED VOLTAGE INPUT/OUTPUT DEVICE
    23.
    发明申请
    RESISTANCE-BASED MEMORY WITH REDUCED VOLTAGE INPUT/OUTPUT DEVICE 有权
    具有降低电压输入/输出装置的基于电阻的存储器

    公开(公告)号：US20110176350A1

    公开(公告)日：2011-07-21

    申请号：US12691252

    申请日：2010-01-21

    申请人： Seong-Ook Jung ,  Jisu Kim ,  Seung H. Kang

    发明人： Seong-Ook Jung ,  Jisu Kim ,  Seung H. Kang

    IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C5/14

    CPC分类号： G11C11/16 ,  G11C11/1673

    摘要： A resistance-based memory with a reduced voltage I/O device is disclosed. In a particular embodiment, a circuit includes a data path including a first resistive memory cell and a first load transistor. A reference path includes a second resistive memory cell and a second load transistor. The first load transistor and the second load transistor are input and output (I/O) transistors adapted to operate at a load supply voltage similar to a core supply voltage of a core transistor within the circuit.

    摘要翻译： 公开了一种具有降压I / O装置的基于电阻的存储器。 在特定实施例中，电路包括包括第一电阻存储器单元和第一负载晶体管的数据路径。 参考路径包括第二电阻存储器单元和第二负载晶体管。 第一负载晶体管和第二负载晶体管是适于在类似于电路内的核心晶体管的核心电源电压的负载电源电压下工作的输入和输出（I / O）晶体管。

    Split Path Sensing Circuit
    24.
    发明申请
    Split Path Sensing Circuit 有权
    分路路径检测电路

    公开(公告)号：US20100321976A1

    公开(公告)日：2010-12-23

    申请号：US12486089

    申请日：2009-06-17

    申请人： Seong-Ook Jung ,  Jisu Kim ,  Seung H. Kang

    发明人： Seong-Ook Jung ,  Jisu Kim ,  Seung H. Kang

    IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C7/02

    CPC分类号： G11C7/062 ,  G11C11/1673

    摘要： A sensing circuit is disclosed. The sensing circuit includes a first path including a first resistive memory device and a second path including a reference resistive memory device. The first path is coupled to a first split path including a first load transistor and to a second split path including a second load transistor. The second path is coupled to a third split path including a third load transistor and to a fourth split path including a fourth load transistor.

    摘要翻译： 公开了一种感测电路。 感测电路包括第一路径，其包括第一电阻性存储器件和包括参考电阻存储器件的第二路径。 第一路径被耦合到包括第一负载晶体管和包括第二负载晶体管的第二分路的第一分路。 第二路径被耦合到包括第三负载晶体管的第三分路，以及包括第四负载晶体管的第四分路。

    Resistance-based memory with reduced voltage input/output device
    25.
    发明授权
    Resistance-based memory with reduced voltage input/output device 有权
    具有降低电压输入/输出装置的电阻式存储器

    公开(公告)号：US08335101B2

    公开(公告)日：2012-12-18

    申请号：US12691252

    申请日：2010-01-21

    申请人： Seong-Ook Jung ,  Jisu Kim ,  Seung H. Kang

    发明人： Seong-Ook Jung ,  Jisu Kim ,  Seung H. Kang

    IPC分类号： G11C11/00

    CPC分类号： G11C11/16 ,  G11C11/1673

    摘要： A resistance-based memory with a reduced voltage I/O device is disclosed. In a particular embodiment, a circuit includes a data path including a first resistive memory cell and a first load transistor. A reference path includes a second resistive memory cell and a second load transistor. The first load transistor and the second load transistor are input and output (I/O) transistors adapted to operate at a load supply voltage similar to a core supply voltage of a core transistor within the circuit.

    摘要翻译： 公开了一种具有降压I / O装置的基于电阻的存储器。 在特定实施例中，电路包括包括第一电阻存储器单元和第一负载晶体管的数据路径。 参考路径包括第二电阻存储器单元和第二负载晶体管。 第一负载晶体管和第二负载晶体管是适于在类似于电路内的核心晶体管的核心电源电压的负载电源电压下工作的输入和输出（I / O）晶体管。

    Safety razor blade tool
    29.
    发明授权
    Safety razor blade tool 失效
    安全剃须刀刀具

    公开(公告)号：US5771589A

    公开(公告)日：1998-06-30

    申请号：US582388

    申请日：1996-01-03

    申请人： Jisu Kim

    发明人： Jisu Kim

    IPC分类号： B26B5/00 ,  B26B21/06 ,  B26B21/54 ,  B26B21/60

    CPC分类号： B29C65/46 ,  B26B21/06 ,  B26B21/54 ,  B26B5/006 ,  B29C47/0021 ,  B29C47/003 ,  B29C47/026 ,  B29C47/128 ,  B29C47/8895 ,  B29C65/58 ,  B29C66/47 ,  B29C2793/0027 ,  B29C2793/009 ,  B29C47/34 ,  B29C47/56 ,  B29C47/90 ,  B29C47/905 ,  B29C66/71 ,  B29K2019/00 ,  B29K2021/00 ,  B29K2021/003 ,  B29K2023/00 ,  B29K2023/06 ,  B29K2023/065 ,  B29K2023/12 ,  B29K2027/06 ,  B29K2101/12 ,  B29L2009/00 ,  B29L2031/7186 ,  Y10S76/08

    摘要： A safety razor blade tool includes a substantially rectangular safety razor blade having a cutting edge and an opposing non-cutting edge, and a rubberized thermoplastic protective cover fixedly attached to the non-cutting edge. The protective cover has an extruded substantially rigid inner layer of thermoplastic material and a coextruded thermoplastic rubber outer layer. Such an improved safety razor blade tool may be produced by providing a blade having a cutting edge and a non-cutting edge, feeding a substantially rigid thermoplastic in a viscous state to a coextrusion die, simultaneously feeding a thermoplastic rubber compatible with the substantially rigid thermoplastic in a viscous state to the same coextrusion die, coextruding the substantially rigid thermoplastic and the compatible thermoplastic rubber to form a one-piece coextruded protective cover having an inner layer of the substantially rigid thermoplastic and an outer layer of the compatible thermoplastic rubber, and fixedly attaching the coextruded one-piece protective cover to the non-cutting edge of the blade.

    摘要翻译： 安全刀片刀具包括具有切削刃和相对的非切削刃的基本为矩形的安全剃刀刀片，以及固定地连接到非切削刃的橡胶化热塑性保护盖。 保护罩具有挤出的基本刚性的热塑性材料内层和共挤出的热塑性橡胶外层。 可以通过提供具有切割边缘和非切割边缘的刀片来生产这种改进的安全剃刀刀片工具，将具有粘性状态的基本上刚性的热塑性塑料馈送到共挤出模具，同时供给与基本上刚性的热塑性塑料相容的热塑性橡胶 在相同的共挤出模具中处于粘性状态，共挤出基本上刚性的热塑性塑料和可相容的热塑性橡胶，以形成具有基本上刚性的热塑性塑料的内层和相容的热塑性橡胶的外层的单件共挤出保护罩， 将共挤出的一体式保护盖连接到刀片的非切割刃。

    REAGENT COMPOSITION FOR BIOSENSORS AND BIOSENSOR COMPRISING REAGENT LAYER FORMED OF THE SAME
    30.
    发明申请
    REAGENT COMPOSITION FOR BIOSENSORS AND BIOSENSOR COMPRISING REAGENT LAYER FORMED OF THE SAME 审中-公开
    用于生物传感器和包含其形成的试剂层的生物传感器的试剂组合物

    公开(公告)号：US20150027905A1

    公开(公告)日：2015-01-29

    申请号：US14383044

    申请日：2012-03-06

    申请人： Jisu Kim ,  Gueisam Lim

    发明人： Jisu Kim ,  Gueisam Lim

    IPC分类号： G01N27/327 ,  C12Q1/00

    CPC分类号： G01N27/3274 ,  C12Q1/004

    摘要： The present invention relates to a composition which reduces the measurement error caused by the effect of hematocrit in a biosensor and to a biosensor comprising the same. Specifically, the invention relates to a reagent composition comprising an enzyme, an electron transfer mediator, a water-soluble polymer, and bile acid, and to a biosensor comprising a reagent layer formed of the composition. The reagent layer reduces the measurement error caused by the effect of hematocrit in the biosensor.

    摘要翻译： 本发明涉及减少由生物传感器中的血细胞比容的影响引起的测量误差的组合物和包含该测量误差的生物传感器。 具体地，本发明涉及包含酶，电子转移介体，水溶性聚合物和胆汁酸的试剂组合物，以及包含由该组合物形成的试剂层的生物传感器。 试剂层减少了由生物传感器中血细胞比容的影响引起的测量误差。