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    REAGENT COMPOSITION FOR BIOSENSORS AND BIOSENSOR COMPRISING REAGENT LAYER FORMED OF THE SAME
    3.
    发明申请
    REAGENT COMPOSITION FOR BIOSENSORS AND BIOSENSOR COMPRISING REAGENT LAYER FORMED OF THE SAME 审中-公开
    用于生物传感器和包含其形成的试剂层的生物传感器的试剂组合物

    公开(公告)号：US20150027905A1

    公开(公告)日：2015-01-29

    申请号：US14383044

    申请日：2012-03-06

    申请人： Jisu Kim ,  Gueisam Lim

    发明人： Jisu Kim ,  Gueisam Lim

    IPC分类号： G01N27/327 ,  C12Q1/00

    CPC分类号： G01N27/3274 ,  C12Q1/004

    摘要： The present invention relates to a composition which reduces the measurement error caused by the effect of hematocrit in a biosensor and to a biosensor comprising the same. Specifically, the invention relates to a reagent composition comprising an enzyme, an electron transfer mediator, a water-soluble polymer, and bile acid, and to a biosensor comprising a reagent layer formed of the composition. The reagent layer reduces the measurement error caused by the effect of hematocrit in the biosensor.

    摘要翻译： 本发明涉及减少由生物传感器中的血细胞比容的影响引起的测量误差的组合物和包含该测量误差的生物传感器。 具体地，本发明涉及包含酶，电子转移介体，水溶性聚合物和胆汁酸的试剂组合物，以及包含由该组合物形成的试剂层的生物传感器。 试剂层减少了由生物传感器中血细胞比容的影响引起的测量误差。

    LOW SENSING CURRENT NON-VOLATILE FLIP-FLOP
    4.
    发明申请
    LOW SENSING CURRENT NON-VOLATILE FLIP-FLOP 有权
    低感测电流非挥发性FLOP-FLOP

    公开(公告)号：US20130286721A1

    公开(公告)日：2013-10-31

    申请号：US13613205

    申请日：2012-09-13

    申请人： Seong-Ook Jung ,  Youngdon Jung ,  Kyungho Ryu ,  Jisu Kim ,  Jung Pill Kim ,  Seung H. Kang

    发明人： Seong-Ook Jung ,  Youngdon Jung ,  Kyungho Ryu ,  Jisu Kim ,  Jung Pill Kim ,  Seung H. Kang

    IPC分类号： G11C11/16

    CPC分类号： G11C11/1673 ,  G11C7/065 ,  G11C11/1659 ,  G11C14/0081

    摘要： A low sensing current non volatile flip flop includes a first stage to sense a resistance difference between two magnetic tunnel junctions (MTJs) and a second stage having circuitry to amplify the output of the first stage. The output of the first stage is initially pre-charged and determined by the resistance difference of the two MTJs when the sensing operation starts. The first stage does not have a pull-up path to a source voltage (VDD), and therefore does not have a DC path from VDD to ground during the sensing operation. A slow sense enable (SE) signal slope reduces peak sensing current in the first stage. A secondary current path reduces the sensing current duration of the first stage.

    摘要翻译： 低感测电流非易失性触发器包括用于感测两个磁性隧道结（MTJ）之间的电阻差的第一级和具有用于放大第一级的输出的电路的第二级。 第一级的输出最初是预充电的，并且由感测操作开始时的两个MTJ的电阻差决定。 第一级没有到源极电压（VDD）的上拉路径，因此在感测操作期间没有从VDD到地的直流路径。 缓慢感应使能（SE）信号斜率可以降低第一级的峰值检测电流。 次级电流路径减小了第一级的感测电流持续时间。

    Invalid write prevention for STT-MRAM array
    5.
    发明授权
    Invalid write prevention for STT-MRAM array 有权
    STT-MRAM阵列无效写入预防

    公开(公告)号：US08432727B2

    公开(公告)日：2013-04-30

    申请号：US12769995

    申请日：2010-04-29

    申请人： Kyungho Ryu ,  Jisu Kim ,  Seong-Ook Jung ,  Seung H. Kang

    发明人： Kyungho Ryu ,  Jisu Kim ,  Seong-Ook Jung ,  Seung H. Kang

    IPC分类号： G11C11/00

    CPC分类号： G11C11/1675 ,  G11C11/1659 ,  H01L43/12 ,  Y10T29/4902

    摘要： In a Spin Transfer Torque Magnetoresistive Random Access Memory (STT-MRAM) a bit cell array can have a source line substantially parallel to a word line. The source line can be substantially perpendicular to bit lines. A source line control unit includes a common source line driver and a source line selector configured to select individual ones of the source lines. The source line driver and source line selector can be coupled in multiplexed relation. A bit line control unit includes a common bit line driver and a bit line selector in multiplexed relation. The bit line control unit includes a positive channel metal oxide semiconductor (PMOS) element coupled between the common source line driver and bit line select lines and bit lines.

    摘要翻译： 在自旋转移力矩磁阻随机存取存储器（STT-MRAM）中，位单元阵列可以具有基本上平行于字线的源极线。 源极线可以基本上垂直于位线。 源极线控制单元包括公共源极线驱动器和被配置为选择各个源极线的源极线选择器。 源极线驱动器和源极线选择器可以以多路复用关系耦合。 位线控制单元包括公共位线驱动器和复用关系的位线选择器。 位线控制单元包括耦合在公共源线驱动器和位线选择线和位线之间的正沟道金属氧化物半导体（PMOS）元件。

    Latching circuit
    6.
    发明授权
    Latching circuit 有权
    闭锁电路

    公开(公告)号：US08406064B2

    公开(公告)日：2013-03-26

    申请号：US12847371

    申请日：2010-07-30

    申请人： Seong-Ook Jung ,  Kyungho Ryu ,  Jisu Kim ,  Jung Pill Kim ,  Seung H. Kang

    发明人： Seong-Ook Jung ,  Kyungho Ryu ,  Jisu Kim ,  Jung Pill Kim ,  Seung H. Kang

    IPC分类号： G11C7/10

    CPC分类号： G11C11/1675 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C13/0002 ,  G11C14/009

    摘要： A non-volatile latch circuit includes a pair of cross-coupled inverters, a pair of resistance-based memory elements, and write circuitry configured to write data to the pair of resistance-based memory elements. The pair of resistance-based memory elements is isolated from the pair of cross-coupled inverters during a latching operation. A sensing circuit includes a first current path that includes a first resistance-based memory element and an output of the sensing circuit. The sensing circuit includes a second current path to reduce current flow through the first resistance-based memory element at a first operating point of the sensing circuit. The sensing circuit may also include an n-type metal-oxide-semiconductor (NMOS) transistor to provide a step down supply voltage to the first current path.

    摘要翻译： 非易失性锁存电路包括一对交叉耦合的反相器，一对基于电阻的存储器元件和被配置为将数据写入到该对基于电阻的存储器元件的写入电路。 在锁定操作期间，一对基于电阻的存储器元件与一对交叉耦合的反相器隔离。 感测电路包括第一电流路径，其包括第一基于电阻的存储元件和感测电路的输出。 感测电路包括第二电流路径，以减小在感测电路的第一工作点处通过第一基于电阻的存储元件的电流。 感测电路还可以包括n型金属氧化物半导体（NMOS）晶体管，以向第一电流路径提供降压电源电压。

    System and method of resistance based memory circuit parameter adjustment
    7.
    发明授权
    System and method of resistance based memory circuit parameter adjustment 有权
    基于电阻的存储器电路参数调整系统及方法

    公开(公告)号：US08161430B2

    公开(公告)日：2012-04-17

    申请号：US12107252

    申请日：2008-04-22

    申请人： Seong-Ook Jung ,  Jisu Kim ,  Jee-Hwan Song ,  Seung H. Kang ,  Sei Seung Yoon

    发明人： Seong-Ook Jung ,  Jisu Kim ,  Jee-Hwan Song ,  Seung H. Kang ,  Sei Seung Yoon

    IPC分类号： G06F17/50

    CPC分类号： G06F17/5063 ,  G06F17/5036 ,  G06F17/5059 ,  G11C11/1673

    摘要： Systems and methods of resistance based memory circuit parameter adjustment are disclosed. In a particular embodiment, a method of determining a set of parameters of a resistance based memory circuit includes selecting a first parameter based on a first predetermined design constraint of the resistance based memory circuit and selecting a second parameter based on a second predetermined design constraint of the resistance based memory circuit. The method further includes performing an iterative methodology to adjust at least one circuit parameter of a sense amplifier portion of the resistance based memory circuit by selectively assigning and adjusting a physical property of the at least one circuit parameter to achieve a desired sense amplifier margin value without changing the first parameter or the second parameter.

    摘要翻译： 公开了基于电阻的存储器电路参数调整的系统和方法。 在特定实施例中，确定基于电阻的存储器电路的一组参数的方法包括基于基于电阻的存储器电路的第一预定设计约束来选择第一参数，并且基于第二预定设计约束来选择第二参数 电阻式存储电路。 该方法还包括执行迭代方法以通过选择性地分配和调整至少一个电路参数的物理特性来调整基于电阻的存储器电路的读出放大器部分的至少一个电路参数，以实现期望的读出放大器余量值，而没有 改变第一个参数或第二个参数。

    RESISTANCE-BASED MEMORY WITH REDUCED VOLTAGE INPUT/OUTPUT DEVICE
    8.
    发明申请
    RESISTANCE-BASED MEMORY WITH REDUCED VOLTAGE INPUT/OUTPUT DEVICE 有权
    具有降低电压输入/输出装置的基于电阻的存储器

    公开(公告)号：US20110176350A1

    公开(公告)日：2011-07-21

    申请号：US12691252

    申请日：2010-01-21

    申请人： Seong-Ook Jung ,  Jisu Kim ,  Seung H. Kang

    发明人： Seong-Ook Jung ,  Jisu Kim ,  Seung H. Kang

    IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C5/14

    CPC分类号： G11C11/16 ,  G11C11/1673

    摘要： A resistance-based memory with a reduced voltage I/O device is disclosed. In a particular embodiment, a circuit includes a data path including a first resistive memory cell and a first load transistor. A reference path includes a second resistive memory cell and a second load transistor. The first load transistor and the second load transistor are input and output (I/O) transistors adapted to operate at a load supply voltage similar to a core supply voltage of a core transistor within the circuit.

    摘要翻译： 公开了一种具有降压I / O装置的基于电阻的存储器。 在特定实施例中，电路包括包括第一电阻存储器单元和第一负载晶体管的数据路径。 参考路径包括第二电阻存储器单元和第二负载晶体管。 第一负载晶体管和第二负载晶体管是适于在类似于电路内的核心晶体管的核心电源电压的负载电源电压下工作的输入和输出（I / O）晶体管。

    Split Path Sensing Circuit
    9.
    发明申请
    Split Path Sensing Circuit 有权
    分路路径检测电路

    公开(公告)号：US20100321976A1

    公开(公告)日：2010-12-23

    申请号：US12486089

    申请日：2009-06-17

    申请人： Seong-Ook Jung ,  Jisu Kim ,  Seung H. Kang

    发明人： Seong-Ook Jung ,  Jisu Kim ,  Seung H. Kang

    IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C7/02

    CPC分类号： G11C7/062 ,  G11C11/1673

    摘要： A sensing circuit is disclosed. The sensing circuit includes a first path including a first resistive memory device and a second path including a reference resistive memory device. The first path is coupled to a first split path including a first load transistor and to a second split path including a second load transistor. The second path is coupled to a third split path including a third load transistor and to a fourth split path including a fourth load transistor.

    摘要翻译： 公开了一种感测电路。 感测电路包括第一路径，其包括第一电阻性存储器件和包括参考电阻存储器件的第二路径。 第一路径被耦合到包括第一负载晶体管和包括第二负载晶体管的第二分路的第一分路。 第二路径被耦合到包括第三负载晶体管的第三分路，以及包括第四负载晶体管的第四分路。

    Safety razor blade tool
    10.
    发明授权
    Safety razor blade tool 失效
    安全剃须刀刀具

    公开(公告)号：US5771589A

    公开(公告)日：1998-06-30

    申请号：US582388

    申请日：1996-01-03

    申请人： Jisu Kim

    发明人： Jisu Kim

    IPC分类号： B26B5/00 ,  B26B21/06 ,  B26B21/54 ,  B26B21/60

    CPC分类号： B29C65/46 ,  B26B21/06 ,  B26B21/54 ,  B26B5/006 ,  B29C47/0021 ,  B29C47/003 ,  B29C47/026 ,  B29C47/128 ,  B29C47/8895 ,  B29C65/58 ,  B29C66/47 ,  B29C2793/0027 ,  B29C2793/009 ,  B29C47/34 ,  B29C47/56 ,  B29C47/90 ,  B29C47/905 ,  B29C66/71 ,  B29K2019/00 ,  B29K2021/00 ,  B29K2021/003 ,  B29K2023/00 ,  B29K2023/06 ,  B29K2023/065 ,  B29K2023/12 ,  B29K2027/06 ,  B29K2101/12 ,  B29L2009/00 ,  B29L2031/7186 ,  Y10S76/08

    摘要： A safety razor blade tool includes a substantially rectangular safety razor blade having a cutting edge and an opposing non-cutting edge, and a rubberized thermoplastic protective cover fixedly attached to the non-cutting edge. The protective cover has an extruded substantially rigid inner layer of thermoplastic material and a coextruded thermoplastic rubber outer layer. Such an improved safety razor blade tool may be produced by providing a blade having a cutting edge and a non-cutting edge, feeding a substantially rigid thermoplastic in a viscous state to a coextrusion die, simultaneously feeding a thermoplastic rubber compatible with the substantially rigid thermoplastic in a viscous state to the same coextrusion die, coextruding the substantially rigid thermoplastic and the compatible thermoplastic rubber to form a one-piece coextruded protective cover having an inner layer of the substantially rigid thermoplastic and an outer layer of the compatible thermoplastic rubber, and fixedly attaching the coextruded one-piece protective cover to the non-cutting edge of the blade.

    摘要翻译： 安全刀片刀具包括具有切削刃和相对的非切削刃的基本为矩形的安全剃刀刀片，以及固定地连接到非切削刃的橡胶化热塑性保护盖。 保护罩具有挤出的基本刚性的热塑性材料内层和共挤出的热塑性橡胶外层。 可以通过提供具有切割边缘和非切割边缘的刀片来生产这种改进的安全剃刀刀片工具，将具有粘性状态的基本上刚性的热塑性塑料馈送到共挤出模具，同时供给与基本上刚性的热塑性塑料相容的热塑性橡胶 在相同的共挤出模具中处于粘性状态，共挤出基本上刚性的热塑性塑料和可相容的热塑性橡胶，以形成具有基本上刚性的热塑性塑料的内层和相容的热塑性橡胶的外层的单件共挤出保护罩， 将共挤出的一体式保护盖连接到刀片的非切割刃。