公开(公告)号：US20070002337A1

公开(公告)日：2007-01-04

申请号：US11173198

申请日：2005-07-01

申请人： Shifang Li ,  Vi Vuong ,  Alan Nolet ,  Junwei Bao

发明人： Shifang Li ,  Vi Vuong ,  Alan Nolet ,  Junwei Bao

IPC分类号： G01B11/14

CPC分类号： G01B11/24 ,  G03F7/70625

摘要： The profile of a structure having a region with a spatially varying property is modeled using an optical metrology model. A set of profile parameters is defined for the optical metrology model to characterize the profile of the structure. A set of layers is defined for a portion the optical metrology model that corresponds to the region of the structure with the spatially varying property, each layer having a defined height and width. For each layer, a mathematic function that varies across at least a portion of the width of the layer is defined to characterize the spatially varying property within a corresponding layer in the region of the structure.

摘要翻译： 使用光学测量模型对具有空间变化特性的区域的结构的轮廓进行建模。 为光学测量模型定义了一组轮廓参数，以表征结构轮廓。 对于与具有空间变化性质的结构区域对应的光学计量学模型的一部分定义了一组层，每层具有限定的高度和宽度。 对于每个层，在层的宽度的至少一部分上变化的数学函数被定义为表征结构区域中相应层内的空间变化特性。

公开(公告)号：US07525673B2

公开(公告)日：2009-04-28

申请号：US11484460

申请日：2006-07-10

申请人： Vi Vuong ,  Junwei Bao

发明人： Vi Vuong ,  Junwei Bao

IPC分类号： G01B11/14 ,  G01B11/24 ,  G01N21/86 ,  G01V8/00 ,  G01R31/26 ,  H01L21/66 ,  G06F17/00 ,  G01B7/00 ,  G01B15/00

CPC分类号： G01B11/24 ,  G03F7/70625

摘要： A system for examining a patterned structure formed on a semiconductor wafer using an optical metrology model includes a first fabrication cluster, a metrology cluster, an optical metrology model optimizer, and a real time profile estimator. The first fabrication cluster processes a wafer, the wafer having a first patterned and a first unpatterned structure. The metrology cluster measures diffraction signals off the first patterned and first unpatterned structure. The metrology model optimizer optimizes an optical metrology model of the first patterned structure. The real time profile estimator creates an output comprising underlying film thickness, critical dimension, and profile of the first patterned structure.

摘要翻译： 使用光学测量模型检查在半导体晶片上形成的图案化结构的系统包括第一制造集群，度量集群，光学计量模型优化器和实时分布估计器。 第一制造集群处理晶片，晶片具有第一图案化和第一未图案化结构。 测量簇测量第一图案化和第一无图案结构的衍射信号。 计量模型优化器优化了第一图案结构的光学测量模型。 实时轮廓估计器产生包括第一图案化结构的基底膜厚度，临界尺寸和轮廓的输出。

公开(公告)号：US20080027565A1

公开(公告)日：2008-01-31

申请号：US11493290

申请日：2006-07-25

申请人： Hemalatha Erva ,  Hong Qiu ,  Junwei Bao ,  Vi Vuong

发明人： Hemalatha Erva ,  Hong Qiu ,  Junwei Bao ,  Vi Vuong

IPC分类号： G05B15/00

CPC分类号： G01B11/24 ,  G01N21/4788

摘要： In allocating processing units of a computer system to generate simulated diffraction signals used in optical metrology, a request for a job to generate simulated diffraction signals using multiple processing units is obtained. A number of processing units requested for the job to generate simulated diffraction signals is then determined. A number of available processing units is determined. When the number of processing units requested is greater than the number of available processing units, a number of processing units is assigned to generate the simulated diffraction signals that is less than the number of processing units requested.

摘要翻译： 在分配计算机系统的处理单元以产生光学测量中使用的模拟衍射信号时，获得使用多个处理单元产生模拟衍射信号的工作请求。 然后确定要求工作产生模拟衍射信号的多个处理单元。 确定了许多可用的处理单元。 当所请求的处理单元的数量大于可用处理单元的数量时，分配多个处理单元以产生小于所请求的处理单元的数量的模拟衍射信号。

公开(公告)号：US20080007739A1

公开(公告)日：2008-01-10

申请号：US11484460

申请日：2006-07-10

申请人： Vi Vuong ,  Junwei Bao

发明人： Vi Vuong ,  Junwei Bao

IPC分类号： G01B11/14

CPC分类号： G01B11/24 ,  G03F7/70625

摘要： A system for examining a patterned structure formed on a semiconductor wafer using an optical metrology model includes a first fabrication cluster, a metrology cluster, an optical metrology model optimizer, and a real time profile estimator. The first fabrication cluster configured to process a wafer, the wafer having a first patterned and a first unpatterned structure. The first patterned structure has underlying film thicknesses, critical dimension, and profile. The metrology cluster including one or more optical metrology devices coupled to the first fabrication cluster. The metrology cluster is configured to measure diffraction signals off the first patterned and the first unpatterned structure. The metrology model optimizer is configured to optimize an optical metrology model of the first patterned structure using one or more measured diffraction signals off the first patterned structure and with floating profile parameters, material refraction parameters, and metrology device parameters. The real time profile estimator is configured to use the optimized optical metrology model from the optical metrology model optimizer, the measured diffraction signals off the first patterned structure, and a fixed value within the range of values for at least one parameter from amongst the material refraction parameters and the metrology device parameters. The real time profile estimator is configured to create an output comprising underlying film thickness, critical dimension, and profile of the first patterned structure.

摘要翻译： 使用光学测量模型检查在半导体晶片上形成的图案化结构的系统包括第一制造集群，度量集群，光学计量模型优化器和实时分布估计器。 第一制造集群被配置为处理晶片，晶片具有第一图案化和第一未图案化结构。 第一图案结构具有底层膜厚度，临界尺寸和轮廓。 测量集群包括耦合到第一制造集群的一个或多个光学测量装置。 测量簇被配置为测量离开第一图案和第一未图案化结构的衍射信号。 计量模型优化器被配置为使用离开第一图案化结构的一个或多个测量的衍射信号以及浮动轮廓参数，材料折射参数和度量设备参数来优化第一图案化结构的光学测量模型。 实时轮廓估计器被配置为使用来自光学计量学模型优化器的优化的光学测量模型，离开第一图案化结构的测量的衍射信号，以及在材料折射之间的至少一个参数的值范围内的固定值 参数和计量装置参数。 实时轮廓估计器被配置为创建包括第一图案化结构的底层膜厚度，临界尺寸和轮廓的输出。

公开(公告)号：US06609086B1

公开(公告)日：2003-08-19

申请号：US10075904

申请日：2002-02-12

申请人： Junwei Bao ,  Srinivas Doddi ,  Nickhil Jakatdar ,  Vi Vuong

发明人： Junwei Bao ,  Srinivas Doddi ,  Nickhil Jakatdar ,  Vi Vuong

IPC分类号： G06F1900

CPC分类号： G01B11/24 ,  G01N21/4788 ,  G03F7/70625

摘要： The present invention includes a method and system for determining the profile of a structure in an integrated circuit from a measured signal, the signal measured off the structure with a metrology device, selecting a best match of the measured signal in a profile data space, the profile data space having data points with a specified extent of non-linearity, and performing a refinement procedure to determine refined profile parameters. One embodiment includes a refinement procedure comprising finding a polyhedron in a function domain of cost functions of the profile library signals and profile parameters and minimizing the total cost function using the weighted average method. Other embodiments include profile parameter refinement procedures using sensitivity analysis, a clustering approach, regression-based methods, localized fine-resolution refinement library method, iterative library refinement method, and other cost optimization or refinement algorithms, procedures, and methods. Refinement of profile parameters may be invoked automatically or invoked based on predetermined criteria such as exceeding an error metric between the measured signal versus the best match profile library.

摘要翻译： 本发明包括一种用于从测量信号确定集成电路中的结构的轮廓的方法和系统，使用测量装置测量结构的信号，在轮廓数据空间中选择测量信号的最佳匹配， 具有指定非线性范围的数据点的简档数据空间，以及执行细化过程以确定精确的简档参数。 一个实施例包括细化程序，包括在简档库信号和简档参数的成本函数的功能域中找到多面体，并且使用加权平均方法最小化总成本函数。 其他实施例包括使用灵敏度分析的简档参数细化程序，聚类方法，基于回归的方法，局部精细分辨率细化库方法，迭代库细化方法以及其他成本优化或细化算法，程序和方法。 简档参数的细化可以基于预定标准自动调用或调用，例如超过测量信号与最佳匹配简档库之间的误差度量。

公开(公告)号：US08346506B2

公开(公告)日：2013-01-01

申请号：US13444746

申请日：2012-04-11

申请人： Vi Vuong ,  Junwei Bao ,  Yan Chen ,  Heiko Weichert ,  Sebastien Egret

发明人： Vi Vuong ,  Junwei Bao ,  Yan Chen ,  Heiko Weichert ,  Sebastien Egret

IPC分类号： G06F17/18

CPC分类号： G01N21/4788 ,  G01N21/211 ,  G01N2021/215

摘要： Metrology data from a semiconductor treatment system is transformed using multivariate analysis. In particular, a set of metrology data measured or simulated for one or more substrates treated using the treatment system is obtained. One or more essential variables for the obtained set of metrology data is determined using multivariate analysis. A first metrology data measured or simulated for one or more substrates treated using the treatment system is obtained. The first obtained metrology data is not one of the metrology data in the set of metrology data earlier obtained. The first metrology data is transformed into a second metrology data using the one or more of the determined essential variables.

摘要翻译： 来自半导体处理系统的测量数据使用多变量分析进行转换。 特别地，获得了对使用该处理系统处理的一个或多个基底测量或模拟的一组度量数据。 使用多变量分析确定获得的度量数据集的一个或多个基本变量。 获得用于使用处理系统处理的一个或多个基底测量或模拟的第一测量数据。 获得的第一个测量数据不是之前获得的测量数据集中的度量数据之一。 使用所确定的一个或多个基本变量将第一计量数据转换成第二计量数据。

公开(公告)号：US07783669B2

公开(公告)日：2010-08-24

申请号：US11580570

申请日：2006-10-12

申请人： Hong Qiu ,  Junwei Bao ,  Wei Liu ,  Jeffrey Alexander Chard ,  Miao Liu ,  Gang He ,  Hemalatha Erva ,  Vi Vuong

发明人： Hong Qiu ,  Junwei Bao ,  Wei Liu ,  Jeffrey Alexander Chard ,  Miao Liu ,  Gang He ,  Hemalatha Erva ,  Vi Vuong

IPC分类号： G06Q50/00

CPC分类号： G01B11/24 ,  Y10S707/953

摘要： To manage data flow in generating profile models for use in optical metrology, a project data object is created. A first profile model data object is created. The first profile model data object corresponds to a first profile model defined using profile parameters. A version number is associated with the first profile model data object. The first profile model data object is linked with the project data object. At least a second profile model data object is created. The second profile model data object corresponds to a second profile model defined using profile parameters. The first and second profile models are different. Another version number is associated with the second profile model data object. The second profile model data object is linked with the project data object. The project data object, the first profile model data object, and the second profile model data object are stored. The version numbers associated with the first profile model data object and the second profile model data object are stored. The link between the first profile model data object and the project data object is stored. The link between the second profile model data object and the project data object is stored.

摘要翻译： 为了管理生成用于光学测量的轮廓模型中的数据流，创建了一个项目数据对象。 创建第一个配置文件模型数据对象。 第一个轮廓模型数据对象对应于使用轮廓参数定义的第一轮廓模型。 版本号与第一个轮廓模型数据对象相关联。 第一个配置文件模型数据对象与项目数据对象链接。 至少创建一个第二个轮廓模型数据对象。 第二轮廓模型数据对象对应于使用轮廓参数定义的第二轮廓模型。 第一个和第二个轮廓模型是不同的。 另一个版本号与第二个配置文件模型数据对象相关联。 第二个配置文件模型数据对象与项目数据对象链接。 存储项目数据对象，第一个轮廓模型数据对象和第二个轮廓模型数据对象。 存储与第一轮廓模型数据对象和第二轮廓模型数据对象相关联的版本号。 存储第一轮廓模型数据对象与项目数据对象之间的链接。 存储第二轮廓模型数据对象与项目数据对象之间的链接。

公开(公告)号：US07616325B2

公开(公告)日：2009-11-10

申请号：US12140627

申请日：2008-06-17

申请人： Vi Vuong ,  Junwei Bao ,  Joerg Bischoff

发明人： Vi Vuong ,  Junwei Bao ,  Joerg Bischoff

IPC分类号： G01B3/22 ,  G01B11/24 ,  G01B11/30 ,  G01B13/16 ,  G01B15/04 ,  G01B17/06 ,  G01B21/20

CPC分类号： G01N21/4788 ,  G01B11/24 ,  G03F7/70625

摘要： An optical metrology model for a structure to be formed on a wafer is developed by characterizing a top-view profile and a cross-sectional view profile of the structure using profile parameters. The profile parameters of the top-view profile and the cross-sectional view profile are integrated together into the optical metrology model. The profile parameters of the optical metrology model are saved.

摘要翻译： 通过使用轮廓参数表征结构的顶视图轮廓和横截面视图轮廓来开发用于在晶片上形成的结构的光学测量模型。 顶视图轮廓和横截面视图轮廓的轮廓参数集成在光学计量模型中。 保存光学计量模型的轮廓参数。

公开(公告)号：US07522295B2

公开(公告)日：2009-04-21

申请号：US11594497

申请日：2006-11-07

申请人： Vi Vuong ,  Junwei Bao ,  Manuel Madriaga

发明人： Vi Vuong ,  Junwei Bao ,  Manuel Madriaga

IPC分类号： G01B11/04

CPC分类号： G01N21/4788 ,  G01N21/95607 ,  G01N2021/8416 ,  G01N2021/95615

摘要： Structures formed on a semiconductor wafer are consecutively measured by obtaining first and second measured diffraction signals of a first structure and a second structure formed abutting the first structure. The first and second measured diffraction signals were consecutively measured using a polarized reflectometer. The first measured diffraction signal is compared to a first simulated diffraction signal generated using a profile model of the first structure. The profile model has profile parameters that characterize geometries of the first structure. One or more features of the first structure are determined based on the comparison. The second measured diffraction signal is converted to a converted diffraction signal. The converted diffraction signal is compared to the first simulated diffraction signal or a second simulated diffraction signal generated using the same profile model as the first simulated diffraction signal. One or more features of the second structure are determined based on the comparison.

摘要翻译： 通过获得与第一结构邻接形成的第一结构和第二结构的第一和第二测量的衍射信号，连续测量形成在半导体晶片上的结构。 使用偏振反射计连续测量第一和第二测量的衍射信号。 将第一测量的衍射信号与使用第一结构的轮廓模型产生的第一模拟衍射信号进行比较。 轮廓模型具有表征第一结构的几何形状的轮廓参数。 基于比较确定第一结构的一个或多个特征。 第二测量的衍射信号被转换成转换的衍射信号。 将转换的衍射信号与第一模拟衍射信号或使用与第一模拟衍射信号相同的轮廓模型产生的第二模拟衍射信号进行比较。 基于比较来确定第二结构的一个或多个特征。

公开(公告)号：US20080106729A1

公开(公告)日：2008-05-08

申请号：US11594659

申请日：2006-11-07

申请人： Vi Vuong ,  Junwei Bao ,  Manuel Madriaga

发明人： Vi Vuong ,  Junwei Bao ,  Manuel Madriaga

IPC分类号： G01N21/00

CPC分类号： G01N21/4788 ,  G01N21/95607 ,  G01N2021/8416 ,  G01N2021/95615

摘要： Structures formed on a semiconductor wafer are consecutively measured by obtaining first and second measured diffraction signals of a first structure and a second structure formed abutting the first structure. The first and second measured diffraction signals were consecutively measured using an angle-resolved spectroscopic scatterometer. The first measured diffraction signal is compared to a first simulated diffraction signal generated using a profile model of the first structure. The profile model has profile parameters, characterize geometries of the first structure, and an azimuth angle parameter, which define the angle between the plane of incidence beam and direction of periodicity of the first or second structure. One or more features of the first structure are determined based on the comparison. The second measured diffraction signal is compared to a second simulated diffraction signal generated using the same profile model as the first simulated diffraction signal with the azimuth angle parameter having a value that is about 90 degrees different than the value of the azimuth angle parameter used to generate the first simulated diffraction signal. One or more features of the second structure are determined based on the comparison of the second measured diffraction signal to the second simulated diffraction signal.

摘要翻译： 通过获得与第一结构邻接形成的第一结构和第二结构的第一和第二测量的衍射信号，连续测量形成在半导体晶片上的结构。 使用角度分辨光谱散射仪连续测量第一和第二测量的衍射信号。 将第一测量的衍射信号与使用第一结构的轮廓模型产生的第一模拟衍射信号进行比较。 轮廓模型具有轮廓参数，表征第一结构的几何形状和方位角参数，其定义入射光束与第一或第二结构的周期性方向之间的角度。 基于比较确定第一结构的一个或多个特征。 将第二测量的衍射信号与使用与第一模拟衍射信号相同的轮廓模型生成的第二模拟衍射信号进行比较，其中方位角参数具有与用于产生的方位角参数的值不同的约90度的值 第一个模拟衍射信号。 基于第二测量衍射信号与第二模拟衍射信号的比较来确定第二结构的一个或多个特征。