公开(公告)号：US06965125B2

公开(公告)日：2005-11-15

申请号：US10642618

申请日：2003-08-19

申请人： Hideaki Sakurai ,  Yoshirou Kuromitsu

发明人： Hideaki Sakurai ,  Yoshirou Kuromitsu

IPC分类号： H01J17/02 ,  C03C17/22 ,  C03C17/34 ,  C04B35/01 ,  C04B35/03 ,  C04B35/057 ,  C04B35/50 ,  C04B35/505 ,  C04B35/553 ,  C04B41/50 ,  C04B41/85 ,  C23C14/06 ,  C23C14/24 ,  H01J9/20 ,  H01L27/15

CPC分类号： C04B41/85 ,  C03C17/22 ,  C03C17/3452 ,  C04B35/01 ,  C04B35/03 ,  C04B35/057 ,  C04B35/50 ,  C04B35/505 ,  C04B35/553 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62625 ,  C04B35/6263 ,  C04B35/62655 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5011 ,  C04B41/5019 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3804 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/06 ,  C23C14/24 ,  H01J9/20 ,  H01J2211/40 ,  Y10T428/265 ,  C04B41/4529 ,  C04B41/4556 ,  C04B35/00

摘要： A vapor deposited material for FPD protective film comprises a polycrystalline body, sintered body, or single crystal having a surface covered with a fluoride layer. A manufacturing device for FPD protective film comprises: a film formation section for forming a film body on one side of a substrate, and a layer formation section for forming a fluoride layer on a surface of said film body; wherein said layer formation section comprises: a layer formation chamber for housing a substrate on which said film body is formed, a gas supply mechanism for forming a fluoride layer on the surface of said film body by supplying a fluoridation agent towards said substrate in said layer formation chamber, and a substrate heating section provided in said layer formation chamber for heating said substrate.

摘要翻译： 用于FPD保护膜的气相沉积材料包括具有被氟化物层覆盖的表面的多晶体，烧结体或单晶。 用于FPD保护膜的制造装置包括：用于在基板的一侧形成膜体的成膜部和用于在所述膜体的表面上形成氟化物层的层形成部; 其中所述层形成部分包括：用于容纳形成有所述膜体的衬底的层形成室，用于通过向所述层中的所述衬底供应氟化剂在所述膜体的表面上形成氟化物层的气体供给机构 形成室，以及设置在所述层形成室中用于加热所述基板的基板加热部。

公开(公告)号：US20050045065A1

公开(公告)日：2005-03-03

申请号：US10496693

申请日：2002-11-29

申请人： Hideaki Sakurai ,  Ginjiro Toyoguchi ,  Yoshirou Kuromitsu

发明人： Hideaki Sakurai ,  Ginjiro Toyoguchi ,  Yoshirou Kuromitsu

IPC分类号： C04B35/04 ,  C04B35/053 ,  C23C14/08 ,  C09D1/00

CPC分类号： C04B35/6261 ,  C04B35/053 ,  C04B35/62625 ,  C04B35/6263 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62695 ,  C04B2235/5427 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/721 ,  C04B2235/722 ,  C04B2235/724 ,  C04B2235/726 ,  C04B2235/727 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/87 ,  C04B2235/95 ,  C04B2235/96 ,  C23C14/081 ,  C30B29/16

摘要： Polycrystals with a MgO purity of at least 99.0%, a relative density of at least 90.0%, a sulfur S content of 0.01 to 50 ppm, a chlorine Cl content of 0.01 to 50 ppm, a nitrogen N content of 0.01 to 200 ppm, and a phosphorus P content of 0.01 to 30 ppm. Even when vapor deposition is conducted using electron beam deposition, almost no splash occurs, and the film characteristics of the product MgO film can also be improved.

摘要翻译： MgO纯度至少为99.0％，相对密度至少为90.0％，硫S含量为0.01〜50ppm，氯Cl含量为0.01〜50ppm，氮N含量为0.01〜200ppm的多晶体， 磷P含量为0.01〜30ppm。 即使当使用电子束沉积进行气相沉积时，几乎不发生溅射，并且还可以提高产品MgO膜的膜特性。