公开(公告)号：US20120292648A1

公开(公告)日：2012-11-22

申请号：US13219011

申请日：2011-08-26

申请人： Hiroshi Ono ,  Tomonari Shioda ,  Naoharu Sugiyama ,  Toshiyuki Oka ,  Shinya Nunoue

发明人： Hiroshi Ono ,  Tomonari Shioda ,  Naoharu Sugiyama ,  Toshiyuki Oka ,  Shinya Nunoue

IPC分类号： H01L33/30 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007 ,  H01L33/32

摘要： According to one embodiment, a nitride semiconductor device includes a foundation layer and the functional layer. The foundation layer is formed on an amorphous layer and includes aluminum nitride. The functional layer is formed on the foundation layer and includes a nitride semiconductor.

摘要翻译： 根据一个实施例，氮化物半导体器件包括基底层和功能层。 基底层形成在非晶层上并且包括氮化铝。 功能层形成在基础层上并且包括氮化物半导体。

公开(公告)号：US20120058626A1

公开(公告)日：2012-03-08

申请号：US13037582

申请日：2011-03-01

申请人： Naoharu SUGIYAMA ,  Tomonari Shioda ,  Shinya Nunoue

发明人： Naoharu SUGIYAMA ,  Tomonari Shioda ,  Shinya Nunoue

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/36 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/7624 ,  H01L21/76243 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787 ,  H01L33/0062

摘要： According to one embodiment, a method is disclosed for manufacturing a nitride semiconductor crystal layer. The method can include forming the nitride semiconductor crystal layer having a first thickness on a silicon crystal layer. The silicon crystal layer is provided on a base body. The silicon crystal layer has a second thickness before the forming the nitride semiconductor crystal layer. The second thickness is thinner than the first thickness. The forming the nitride semiconductor crystal layer includes making at least a portion of the silicon crystal layer incorporated into the nitride semiconductor crystal layer to reduce a thickness of the silicon crystal layer from the second thickness.

摘要翻译： 根据一个实施例，公开了一种用于制造氮化物半导体晶体层的方法。 该方法可以包括在硅晶体层上形成具有第一厚度的氮化物半导体晶体层。 硅晶层设置在基体上。 硅晶层在形成氮化物半导体晶体层之前具有第二厚度。 第二厚度比第一厚度薄。 形成氮化物半导体晶体层包括使至少部分掺入氮化物半导体晶体层中的硅晶体层从第二厚度减小硅晶体层的厚度。