公开(公告)号：US20120309125A1

公开(公告)日：2012-12-06

申请号：US13154273

申请日：2011-06-06

申请人： Serdar Aksu ,  Sarah Lastella ,  Mustafa Pinarbasi

发明人： Serdar Aksu ,  Sarah Lastella ,  Mustafa Pinarbasi

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： H01L31/0749 ,  H01L31/0322 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： The present invention provides methods for forming a buffer layer for Group IBIIIAVIA solar cells. The buffer layer is formed using chemical bath deposition and the layer is formed in steps. A first buffer layer is formed on the absorber and the first buffer layer is then treated using etching, oxidizing, annealing or some combination thereof. Subsequently a second buffer layer is then positioned on the treated surface. Additional buffer layers can be added following treatment of the previously deposited layer.

摘要翻译： 本发明提供了用于形成IBIIIAVIA族太阳能电池的缓冲层的方法。 使用化学浴沉积形成缓冲层，并且步骤形成该层。 在吸收体上形成第一缓冲层，然后使用蚀刻，氧化，退火或其一些组合处理第一缓冲层。 随后，将第二缓冲层定位在经处理的表面上。 可以在先前沉积的层的处理之后添加附加的缓冲层。

公开(公告)号：US08153469B2

公开(公告)日：2012-04-10

申请号：US12632617

申请日：2009-12-07

申请人： Serdar Aksu ,  Yuriy Matus ,  Rasmi Das ,  Mustafa Pinarbasi

发明人： Serdar Aksu ,  Yuriy Matus ,  Rasmi Das ,  Mustafa Pinarbasi

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L31/0322 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02614 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： The present invention provides a method to form Group IBIIIAVIA solar cell absorber layers on continuous flexible substrates. In a preferred aspect, the method forms a Group IBIIIAVIA absorber layer for manufacturing photovoltaic cells by providing a workpiece having a precursor layer formed over a substrate, the precursor layer including copper, indium, gallium and selenium; heating the precursor layer to a first temperature; reacting the precursor layer at the first temperature for a first predetermined time to transform the precursor layer to a partially formed absorber structure; cooling down the partially formed absorber structure to a second temperature, wherein both the first temperature and the second temperature are above 400° C.; and reacting the partially formed absorber structure at the second temperature for a second predetermined time, which is longer than the first predetermined time, to form a Group IBIIIAVIA absorber layer.

摘要翻译： 本发明提供了一种在连续柔性基底上形成IBIIIAVIA族太阳能电池吸收层的方法。 在优选的方面，该方法通过提供具有在衬底上形成的前体层的工件来形成用于制造光伏电池的IBIIIAVIA族吸收层，所述前体层包括铜，铟，镓和硒; 将前体层加热至第一温度; 使所述前体层在所述第一温度下反应第一预定时间以将所述前体层转化为部分形成的吸收体结构; 将部分形成的吸收体结构冷却至第二温度，其中第一温度和第二温度均高于400℃。 以及使所述部分形成的吸收体结构在所述第二温度下比第一预定时间长的第二预定时间，以形成IBIIIAVIA族吸收层。

公开(公告)号：US08409418B2

公开(公告)日：2013-04-02

申请号：US12642709

申请日：2009-12-18

申请人： Serdar Aksu ,  Jiaxiong Wang ,  Mustafa Pinarbasi

发明人： Serdar Aksu ,  Jiaxiong Wang ,  Mustafa Pinarbasi

IPC分类号： C25D5/10 ,  C25D5/48 ,  C25D5/50

CPC分类号： C25D3/58 ,  C25D3/56 ,  C25D5/10

摘要： The present invention provides a method and precursor structure to form a Group IBIIIAIVA solar cell absorber layer. The method includes forming a Group IBIIIAVIA compound layer on a base by forming a precursor layer on the base through electrodepositing three different films, and then reacting the precursor layer with selenium to form the Group IBIIIAVIA compound layer on the base. The three films, described by the precursor layer, include in one embodiment a first alloy film comprising copper, indium and gallium, a second alloy film comprising copper and selenium formed on the first alloy film; and a selenium film formed on the second alloy film.

摘要翻译： 本发明提供一种形成IBIIIAIVA族太阳能电池吸收层的方法和前体结构。 该方法包括通过电沉积三种不同的膜在基底上形成前体层，然后使前体层与硒反应，在基底上形成IBIIIAVIA族化合物层，从而在基底上形成IBIIIAVIA族化合物层。 由前体层描述的三个膜在一个实施方案中包括包含铜，铟和镓的第一合​​金膜，在第一合金膜上形成的包含铜和硒的第二合金膜; 以及形成在第二合金膜上的硒膜。

公开(公告)号：US08404512B1

公开(公告)日：2013-03-26

申请号：US13041285

申请日：2011-03-04

申请人： Serdar Aksu ,  Mustafa Pinarbasi

发明人： Serdar Aksu ,  Mustafa Pinarbasi

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L31/0322 ,  H01L31/0323 ,  H01L31/03928 ,  Y02E10/541

摘要： The present invention provides methods for forming a doped Group IBIIIAVIA absorber layer for a solar cell. The method includes forming precursor layers that include a dopant rich layer and then annealing the precursor layers. The annealing process results in dopants diffusing through the layers to an exterior surface. The annealing process is periodically halted to remove dopants from the exposed surface.

摘要翻译： 本发明提供了形成用于太阳能电池的掺杂IBIIIAVIA族吸收层的方法。 该方法包括形成包括掺杂剂富含层的前体层，然后退火前体层。 退火过程导致掺杂剂通过层扩散到外表面。 定期停止退火处理以从暴露表面去除掺杂剂。

公开(公告)号：US20120214293A1

公开(公告)日：2012-08-23

申请号：US13153310

申请日：2011-06-03

申请人： Serdar Aksu ,  Sarah Lastella ,  Mustafa Pinarbasi

发明人： Serdar Aksu ,  Sarah Lastella ,  Mustafa Pinarbasi

IPC分类号： H01L21/368 ,  C25D3/56

CPC分类号： C25D3/56 ,  C25D3/54 ,  C25D5/48 ,  C25D5/50 ,  C25D7/126 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541

摘要： Aspects of the present inventions include an electrodeposition solution for deposition of a thin film that includes a Group VA material, a method of electroplating to deposit a thin film that includes a Group VA material, among others.

摘要翻译： 本发明的方面包括用于沉积包括VA族材料的薄膜的电沉积溶液，电镀沉积包含第VA族材料的薄膜的方法等。

公开(公告)号：US20120003786A1

公开(公告)日：2012-01-05

申请号：US13184377

申请日：2011-07-15

申请人： Serdar Aksu ,  Mustafa Pinarbasi

发明人： Serdar Aksu ,  Mustafa Pinarbasi

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： C25D3/58 ,  C25D3/38 ,  C25D3/54 ,  C25D5/10 ,  C25D5/50 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/0322 ,  Y02E10/541

摘要： The present invention provides a method and precursor structure to form a solar cell absorber layer. The method includes forming a CIGS solar cell absorber on a base by depositing a first layer on the base, where in the first layer includes non-crystalline copper-selenide that is electrically nonconductive, and then heat treating the first layer at a first temperature range to transform the non-crystalline copper-selenide into a crystalline copper-selenide that is electrically conductive, thereby ensuring that the first layer becomes a first conductive layer. Thereafter, other steps follow to complete formation of the CIGS solar cell absorber.

摘要翻译： 本发明提供一种形成太阳能电池吸收层的方法和前体结构。 该方法包括通过在基底上沉积第一层而在基底上形成CIGS太阳能电池吸收体，其中第一层包括不导电的非结晶性硒化铜，然后在第一温度范围内对第一层进行热处理 将非结晶硒化铜转变成导电的结晶铜 - 硒化物，从而确保第一层变成第一导电层。 此后，完成CIGS太阳能电池吸收器的形成之后的其它步骤。

公开(公告)号：US08425753B2

公开(公告)日：2013-04-23

申请号：US12642702

申请日：2009-12-18

申请人： Serdar Aksu ,  Mustafa Pinarbasi

发明人： Serdar Aksu ,  Mustafa Pinarbasi

IPC分类号： C25D5/10 ,  C25D5/50 ,  C25D7/12 ,  C25D3/56

CPC分类号： C25D3/58 ,  C25D3/38 ,  C25D3/54 ,  C25D5/10

摘要： The present invention provides a method and precursor structure to form a solar cell absorber layer. The method includes electrodepositing a first layer including a film stack including at least a first film comprising copper, a second film comprising indium and a third film comprising gallium, wherein the first layer includes a first amount of copper, electrodepositing a second layer onto the first layer, the second layer including at least one of a second copper-indium-gallium-ternary alloy film, a copper-indium binary alloy film, a copper-gallium binary alloy film and a copper-selenium binary alloy film, wherein the second layer includes a second amount of copper, which is higher than the first amount of copper, and electrodepositing a third layer onto the second layer, the third layer including selenium; and reacting the precursor stack to form an absorber layer on the base.

摘要翻译： 本发明提供一种形成太阳能电池吸收层的方法和前体结构。 该方法包括电沉积包括至少包括铜的第一膜的膜堆叠的第一层，包含铟的第二膜和包含镓的第三膜，其中第一层包括第一量的铜，将第二层电沉积到第一层上 所述第二层包括第二铜铟镓镓三元合金膜，铜铟二元合金膜，铜镓二元合金膜和铜 - 硒二元合金膜中的至少一种，其中所述第二层 包括第二量的铜，其高于第一量的铜，并且将第三层电沉积到第二层上，第三层包括硒; 并使前体叠层反应在基底上形成吸收层。

公开(公告)号：US20120175248A1

公开(公告)日：2012-07-12

申请号：US12987031

申请日：2011-01-07

申请人： Jorge Vasquez ,  Mustafa Pinarbasi ,  Satyaki Dutta ,  James Freitag ,  Serdar Aksu

发明人： Jorge Vasquez ,  Mustafa Pinarbasi ,  Satyaki Dutta ,  James Freitag ,  Serdar Aksu

IPC分类号： C25D17/06 ,  C25D21/12

CPC分类号： C25D7/0621 ,  C25D7/0657 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/03928 ,  H01L31/206 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： The present invention provides methods of electroplating a film or films onto a top surface of a continuously moving roll-to-roll sheet. In one aspect, the invention includes continuously electroplating a film onto a conductive surface using an electroplating unit as the roll-to-roll sheet moves therethrough.

摘要翻译： 本发明提供了将膜或膜电镀到连续移动的卷对卷片材的顶表面上的方法。 在一个方面，本发明包括当卷对卷片从其中移动时，使用电镀单元将膜连续地电镀到导电表面上。

公开(公告)号：US20100200050A1

公开(公告)日：2010-08-12

申请号：US12642709

申请日：2009-12-18

申请人： Serdar Aksu ,  Mustafa Pinarbasi ,  Jiaxiong Wang

发明人： Serdar Aksu ,  Mustafa Pinarbasi ,  Jiaxiong Wang

IPC分类号： C25D5/10 ,  H01L31/02

CPC分类号： C25D3/58 ,  C25D3/56 ,  C25D5/10

摘要： The present invention provides a method and precursor structure to form a Group IBIIIAIVA solar cell absorber layer. The method includes forming a Group IBIIIAVIA compound layer on a base by forming a precursor layer on the base through electrodepositing three different films, and then reacting the precursor layer with selenium to form the Group IBIIIAVIA compound layer on the base. The three films, described by the precursor layer, include in one embodiment a first alloy film comprising copper, indium and gallium, a second alloy film comprising copper and selenium formed on the first alloy film; and a selenium film formed on the second alloy film.

摘要翻译： 本发明提供一种形成IBIIIAIVA族太阳能电池吸收层的方法和前体结构。 该方法包括通过电沉积三种不同的膜在基底上形成前体层，然后使前体层与硒反应，在基底上形成IBIIIAVIA族化合物层，从而在基底上形成IBIIIAVIA族化合物层。 由前体层描述的三个膜在一个实施方案中包括包含铜，铟和镓的第一合​​金膜，在第一合金膜上形成的包含铜和硒的第二合金膜; 以及形成在第二合金膜上的硒膜。

公开(公告)号：US20060084260A1

公开(公告)日：2006-04-20

申请号：US11221250

申请日：2005-09-07

申请人： David Boyers ,  Serdar Aksu

发明人： David Boyers ,  Serdar Aksu

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76838 ,  C23G5/00 ,  G03F7/423 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/321 ,  H01L21/32138

摘要： The present invention relates to a method and apparatus for treating materials such as copper or copper based metal alloys, used in fabricating semiconductor devices with an ozone solvent solution and avoiding damage to metals by corrosion. The invention is also applicable to treating of materials such as copper and copper based alloys for the purpose of forming a protective layer on the exposed metal surface for protection of those copper surfaces from damage or corrosion caused by subsequent exposure to other liquid, gas, or plasma environments. This can be achieved by properly selecting the composition of the ozone solvent solution and controlling the pH and ORP of the ozone-solvent solution while avoiding the use of certain chemical constituents in the ozone solvent solution.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于处理诸如铜或铜基金属合金的材料的方法和装置，其用于制造具有臭氧溶剂溶液的半导体器件，并且通过腐蚀避免金属的损坏。 本发明还可用于处理诸如铜和铜基合金的材料，以便在暴露的金属表面上形成保护层，以保护那些铜表面免于随后暴露于其它液体，气体或 等离子体环境。 这可以通过适当选择臭氧溶剂溶液的组成并控制臭氧溶剂溶液的pH和ORP，同时避免在臭氧溶剂溶液中使用某些化学成分来实现。