公开(公告)号：US20080176152A1

公开(公告)日：2008-07-24

申请号：US12042625

申请日：2008-03-05

申请人： Jung-hwan Hah ,  Hyun-Woo Kim ,  Mitsuhiro Hata ,  Sang-gyun Woo

发明人： Jung-hwan Hah ,  Hyun-Woo Kim ,  Mitsuhiro Hata ,  Sang-gyun Woo

IPC分类号： G03C3/00

CPC分类号： H01L21/0274 ,  G03F7/405 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31144

摘要： Methods of forming an integrated circuit device may include forming a resist pattern on a layer of an integrated circuit device with portions of the layer being exposed through openings of the resist pattern. An organic-inorganic hybrid siloxane network film may be formed on the resist pattern. Portions of the layer exposed through the resist pattern and the organic-inorganic hybrid siloxane network film may then be removed. Related structures are also discussed.

摘要翻译： 形成集成电路器件的方法可以包括在集成电路器件的层上形成抗蚀剂图案，其中该层的部分通过抗蚀剂图案的开口露出。 可以在抗蚀剂图案上形成有机 - 无机杂化硅氧烷网膜。 然后可以去除通过抗蚀剂图案暴露的层的部分和有机 - 无机杂化硅氧烷网膜。 还讨论了相关结构。

公开(公告)号：US20060063077A1

公开(公告)日：2006-03-23

申请号：US11233406

申请日：2005-09-22

申请人： Mitsuhiro Hata ,  Hyun-woo Kim ,  Jung-hwan Hah ,  Sang-gyun Woo

发明人： Mitsuhiro Hata ,  Hyun-woo Kim ,  Jung-hwan Hah ,  Sang-gyun Woo

IPC分类号： G03C5/00 ,  G03C1/494 ,  G03C1/492 ,  G03C1/76 ,  G03F1/00

CPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/023 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392

摘要： Mask patterns include a resist pattern and a gel layer on a surface of the resist pattern having a junction including hydrogen bonds between a proton donor polymer and a proton acceptor polymer. Methods of forming the mask patterns and methods of fabricating a semiconductor device using the mask patterns as etching masks are also provided.

摘要翻译： 掩模图案包括抗蚀剂图案和抗蚀剂图案表面上的凝胶层，其具有包含质子供体聚合物和质子受体聚合物之间的氢键的连接点。 还提供了形成掩模图案的方法和使用掩模图案制造半导体器件作为蚀刻掩模的方法。

公开(公告)号：US07985529B2

公开(公告)日：2011-07-26

申请号：US12496185

申请日：2009-07-01

申请人： Mitsuhiro Hata ,  Hyun-woo Kim ,  Jung-hwan Hah ,  Sang-gyun Woo

发明人： Mitsuhiro Hata ,  Hyun-woo Kim ,  Jung-hwan Hah ,  Sang-gyun Woo

IPC分类号： G03F7/11

CPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/023 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392

摘要： Mask patterns include a resist pattern and a gel layer on a surface of the resist pattern having a junction including hydrogen bonds between a proton donor polymer and a proton acceptor polymer. Methods of forming the mask patterns and methods of fabricating a semiconductor device using the mask patterns as etching masks are also provided.

摘要翻译： 掩模图案包括抗蚀剂图案和抗蚀剂图案表面上的凝胶层，其具有包含质子供体聚合物和质子受体聚合物之间的氢键的连接点。 还提供了形成掩模图案的方法和使用掩模图案制造半导体器件作为蚀刻掩模的方法。

公开(公告)号：US07855038B2

公开(公告)日：2010-12-21

申请号：US12042625

申请日：2008-03-05

申请人： Jung-hwan Hah ,  Hyun-woo Kim ,  Mitsuhiro Hata ,  Sang-gyun Woo

发明人： Jung-hwan Hah ,  Hyun-woo Kim ,  Mitsuhiro Hata ,  Sang-gyun Woo

IPC分类号： G03F9/00

CPC分类号： H01L21/0274 ,  G03F7/405 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31144

摘要： Methods of forming an integrated circuit device may include forming a resist pattern on a layer of an integrated circuit device with portions of the layer being exposed through openings of the resist pattern. An organic-inorganic hybrid siloxane network film may be formed on the resist pattern. Portions of the layer exposed through the resist pattern and the organic-inorganic hybrid siloxane network film may then be removed. Related structures are also discussed.

摘要翻译： 形成集成电路器件的方法可以包括在集成电路器件的层上形成抗蚀剂图案，其中该层的部分通过抗蚀剂图案的开口露出。 可以在抗蚀剂图案上形成有机 - 无机杂化硅氧烷网膜。 然后可以去除通过抗蚀剂图案暴露的层的部分和有机 - 无机杂化硅氧烷网膜。 还讨论了相关结构。

公开(公告)号：US20070023916A1

公开(公告)日：2007-02-01

申请号：US11494469

申请日：2006-07-28

申请人： Jung-hwan Hah ,  Yun-sook Chae ,  Han-ku Cho ,  Chang-jin Kang ,  Sang-gyun Woo ,  Man-hyoung Ryoo ,  Young-jae Jung

发明人： Jung-hwan Hah ,  Yun-sook Chae ,  Han-ku Cho ,  Chang-jin Kang ,  Sang-gyun Woo ,  Man-hyoung Ryoo ,  Young-jae Jung

IPC分类号： H01L23/52

CPC分类号： H01L21/31144 ,  G03F7/091 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/32139

摘要： The semiconductor structure includes an etch target layer to be pattemed, a multiple bottom anti-reflective coating (BARC) layer, and a photoresist (PR) pattern. The multiple BARC layer includes a first mask layer formed on the etch target layer and containing carbon, and a second mask layer formed on the first mask layer and containing silicon. A PR layer formed on the multiple BARC layer undergoes photolithography to form the PR pattern on the multiple BARC layer. The multiple BARC layer has a reflectance of 2% or less, and an interface angle between the PR pattern and the multiple BARC layer is 80° to 90°.

摘要翻译： 该半导体结构包括要被图案化的蚀刻目标层，多个底部抗反射涂层（BARC）层和光致抗蚀剂（PR）图案。 多个BARC层包括形成在蚀刻靶层上并含有碳的第一掩模层和形成在第一掩模层上并含有硅的第二掩模层。 形成在多个BARC层上的PR层经历光刻以在多个BARC层上形成PR图案。 多个BARC层的反射率为2％以下，PR图案与多个BARC层之间的界面角为80°〜90°。

公开(公告)号：US20060111547A1

公开(公告)日：2006-05-25

申请号：US11283841

申请日：2005-11-22

申请人： Mitsuhiro Hata ,  Sang-gyun Woo ,  Yool Kang ,  Man-hyoung Ryoo ,  Hyun-woo Kim ,  Jung-hwan Hah

发明人： Mitsuhiro Hata ,  Sang-gyun Woo ,  Yool Kang ,  Man-hyoung Ryoo ,  Hyun-woo Kim ,  Jung-hwan Hah

IPC分类号： C08G64/00

CPC分类号： C08G61/12 ,  C08G61/02 ,  C08G65/4081 ,  G03F7/0388 ,  G03F7/091

摘要： In one aspect, a bottom layer resist polymer has an expanded p-electron conjugation system based on a monomer unit having a 3,3′-diindenyl structure. The bottom layer resist polymer of this aspect is composed of a repeat unit having the 3,3′-diindenyl structure represented by the following formula: where l, m and n are respective mole fractions of monomer units of the polymer, where l+m+n=1, where l=0.1 to 0.9, m=0.1 to 0.9, and n=0 to 0.8, where each of k1 and k2 is independently 0 or 1, and each of R1, R2, R3 and R4 is independently a hydrogen atom or an unsaturated hydrocarbon, and where Z is a monomer unit including a bisphenol derivative.

摘要翻译： 一方面，底层抗蚀剂聚合物具有基于具有3,3'-二茚基结构的单体单元的扩展的p-电子共轭体系。 该方面的底层抗蚀剂聚合物由具有下式表示的3,3'-二茚基结构的重复单元组成：其中l，m和n分别是聚合物单体单元的摩尔分数，其中l + m + n = 1，其中l = 0.1至0.9，m = 0.1至0.9，n = 0至0.8，其中k 1和k 2 2中的每一个独立地为0 或1，并且R 1，R 2，R 3和R 4中的每一个独立地为氢原子 或不饱和烃，Z为包含双酚衍生物的单体单元。