公开(公告)号：US07375579B1

公开(公告)日：2008-05-20

申请号：US11198796

申请日：2005-08-04

申请人： Vladislav Vashchenko ,  Peter J. Hopper ,  Philipp Lindorfer

发明人： Vladislav Vashchenko ,  Peter J. Hopper ,  Philipp Lindorfer

IPC分类号： H01H37/76

CPC分类号： G11C17/16 ,  G11C17/18

摘要： In a fuse-based programmable circuit block, the poly-fuse is burned out by making use of a snapback device connected in series with the poly-fuse.

摘要翻译： 在基于熔丝的可编程电路块中，通过使用与多熔丝串联连接的快速恢复装置将多晶硅熔断器烧掉。

公开(公告)号：US07298653B1

公开(公告)日：2007-11-20

申请号：US10873872

申请日：2004-06-21

申请人： Peter J. Hopper ,  Philipp Lindorfer ,  Vladislav Vashchenko ,  Yuri Mirgorodski

发明人： Peter J. Hopper ,  Philipp Lindorfer ,  Vladislav Vashchenko ,  Yuri Mirgorodski

IPC分类号： G11C11/34

CPC分类号： G11C29/02 ,  G11C16/04 ,  G11C16/12 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028 ,  G11C29/50004

摘要： In an EEPROM array the cells are pre-charged or pre-erased so that they will respond uniformly to the same read voltage level. By clearly defining the threshold voltage for the cells in their erased states and in their programmed states, it is possible to define more than one read voltage and thus provide cells that an store multiple values and even analog values.

摘要翻译： 在EEPROM阵列中，单元被预充电或预擦除，使得它们将均匀地响应于相同的读取电压电平。 通过明确定义其擦除状态和编程状态下的单元的阈值电压，可以定义多个读取电压，从而提供存储多个值和甚至模拟值的单元。

公开(公告)号：US07221608B1

公开(公告)日：2007-05-22

申请号：US10957986

申请日：2004-10-04

申请人： Vladislav Vashchenko ,  Peter J. Hopper ,  Philipp Lindorfer

发明人： Vladislav Vashchenko ,  Peter J. Hopper ,  Philipp Lindorfer

IPC分类号： G11C7/00

CPC分类号： G11C11/406 ,  G11C11/403 ,  G11C2211/4065

摘要： The snapback characteristics of the parasitic NPN structure inside an NMOS device are used to write and store information in the device by periodically triggering the device from the high impedance state to the low impedance state using the self turn-on characteristics of the device under elevated voltage. To minimize power consumption, and thus overheating, in the “on” state, a pulsed mode operation is combined with dV/dt triggering powering the device at a constant Vdd pulse amplitude.

摘要翻译： NMOS器件内的寄生NPN结构的快速恢复特性用于通过在高电压下使器件的自启动特性周期性地将器件从高阻抗状态触发到低阻抗状态来将信息写入和存储在器件中 。 为了最小化功率消耗并因此过热，在“导通”状态下，将脉冲模式操作与dV / dt触发相结合，以恒定的Vdd脉冲幅度向器件供电。

公开(公告)号：US07180133B1

公开(公告)日：2007-02-20

申请号：US11016147

申请日：2004-12-17

申请人： Vladislav Vashchenko ,  Peter J. Hopper ,  Yuri Mirgorodski ,  Philipp Lindorfer

发明人： Vladislav Vashchenko ,  Peter J. Hopper ,  Yuri Mirgorodski ,  Philipp Lindorfer

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L29/0847 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/086 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/7835

摘要： In a method and structure for a high voltage LDMOS with reduced hot carrier degradation, the thick field oxide is eliminated and a reduced surface field achieved instead by including adjacent p+ and n+ regions in the drain well and shorting these regions to each other, or by including a p+ region in the drain well and biasing it to a positive voltage relative to the source voltage.

摘要翻译： 在具有减少的热载流子劣化的高电压LDMOS的方法和结构中，消除了厚场氧化物，并且通过在漏极阱中包括相邻的p +和n +区域而将这些区域彼此短路，或者通过 包括漏极阱中的p +区，并将其偏压到相对于源极电压的正电压。

公开(公告)号：US07145187B1

公开(公告)日：2006-12-05

申请号：US10735500

申请日：2003-12-12

申请人： Vladislav Vashchenko ,  Peter J. Hopper ,  Philipp Lindorfer

发明人： Vladislav Vashchenko ,  Peter J. Hopper ,  Philipp Lindorfer

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L29/76 ,  H01L23/62 ,  H01L21/8238 ,  G11B5/33 ,  H02H9/00

CPC分类号： H01L29/747 ,  H01L27/0262

摘要： In a multiple input ESD protection structure, the inputs are isolated from the substrate by highly doped regions of opposite polarity to the input regions. Dual polarity is achieved by providing a symmetrical structure with n+ and p+ regions forming each dual polarity input. The inputs are formed in a p-well which, in turn, is formed in a n-well. Each dual polarity input is isolated by a PBL under the p-well, and a NISO underneath the n-well. An isolation ring separates and surrounds the inputs. The isolation ring comprises a p+ ring or a p+ region, n+ region, and p+ region formed into adjacent rings.

摘要翻译： 在多输入ESD保护结构中，输入通过与输入区域相反极性的高度掺杂区域与衬底隔离。 通过提供形成每个双极性输入的n +和p +区域的对称结构来实现双极性。 输入形成在p阱中，其又形成在n阱中。 每个双极性输入由p-p下的PBL隔离，并在n阱下面隔开一个NISO。 隔离环分隔并围绕输入。 隔离环包括形成相邻环的p +环或p +区，n +区和p +区。

公开(公告)号：US06855968B1

公开(公告)日：2005-02-15

申请号：US10356423

申请日：2003-01-30

申请人： Peter J. Hopper ,  Philipp Lindorfer ,  Vladislav Vashchenko

发明人： Peter J. Hopper ,  Philipp Lindorfer ,  Vladislav Vashchenko

IPC分类号： H01L27/148 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/09

CPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/08 ,  H01L31/09

摘要： A photon detector capable of detecting gigahertz frequency optical signals utilizes a layer of photonic material that is formed below of the coil of an inductor. When a pulsed light source is applied to the layer of photonic material, the photonic material generates eddy currents that alter the magnetic flux of the inductor. The signals can then be detected by detecting the change in magnetic flux of the inductor.

摘要翻译： 能够检测千兆赫兹光信号的光子检测器利用形成在电感线圈下方的光子材料层。 当脉冲光源被施加到光子材料层时，光子材料产生改变电感器的磁通量的涡流。 然后可以通过检测电感器的磁通量的变化来检测信号。

公开(公告)号：US06852562B1

公开(公告)日：2005-02-08

申请号：US10728612

申请日：2003-12-05

申请人： Peter J. Hopper ,  Robert Drury ,  Philipp Lindorfer ,  Vladislav Vashchenko

发明人： Peter J. Hopper ,  Robert Drury ,  Philipp Lindorfer ,  Vladislav Vashchenko

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14643 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14687

摘要： A color imager, which has a plurality of photodiodes, utilizes a layer of metal that is formed over the photodiodes. The metal layer has a plurality of different sized openings that lie vertically over the photodiodes to physically diffract, and thereby filter, the incident light that strikes the color imager.

摘要翻译： 具有多个光电二极管的彩色成像器利用形成在光电二极管上的金属层。 金属层具有多个不同尺寸的开口，其垂直地位于光电二极管上以物理衍射，从而过滤入射到彩色成像器的入射光。

公开(公告)号：US07714355B1

公开(公告)日：2010-05-11

申请号：US11312704

申请日：2005-12-20

申请人： Vladislav Vashchenko ,  Alexei Sadovnikov ,  Peter J. Hopper ,  Andy Strachan

发明人： Vladislav Vashchenko ,  Alexei Sadovnikov ,  Peter J. Hopper ,  Andy Strachan

IPC分类号： H01L29/74

CPC分类号： H01L29/7322 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/74

摘要： In a BSCR or BJT ESD clamp, the breakdown voltage and DC voltage tolerance are controlled by controlling the size of the collector of the BJT device by masking part of the collector.

摘要翻译： 在BSCR或BJT ESD钳位中，通过屏蔽收集器的一部分来控制BJT器件的集电极的尺寸来控制击穿电压和直流电压公差。

公开(公告)号：US08524548B2

公开(公告)日：2013-09-03

申请号：US13094645

申请日：2011-04-26

申请人： William French ,  Vladislav Vashchenko ,  Richard Wendell Foote, Jr. ,  Alexei Sadovnikov ,  Punit Bhola ,  Peter J. Hopper

发明人： William French ,  Vladislav Vashchenko ,  Richard Wendell Foote, Jr. ,  Alexei Sadovnikov ,  Punit Bhola ,  Peter J. Hopper

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L29/7824 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66689 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/78603

摘要： A lateral DMOS transistor formed on a silicon-on-insulator (SOI) structure has a higher breakdown voltage that results from a cavity that is formed in the bulk region of the SOI structure. The cavity exposes a portion of the bottom surface of the insulator layer of the SOI structure that lies directly vertically below the drift region of the DMOS transistor.

摘要翻译： 形成在绝缘体上硅（SOI）结构上的横向DMOS晶体具有较高的击穿电压，该击穿电压是由在SOI结构的体区形成的空穴产生的。 空腔暴露SOI结构的绝缘体层的底部表面的一部分，其直接位于DMOS晶体管的漂移区的垂直下方。

公开(公告)号：US07795047B1

公开(公告)日：2010-09-14

申请号：US11016010

申请日：2004-12-17

申请人： Vladislav Vashchenko ,  Peter J. Hopper

发明人： Vladislav Vashchenko ,  Peter J. Hopper

IPC分类号： H01L31/072

CPC分类号： H01L29/7322 ,  H01L27/0259 ,  H01L29/0813

摘要： In a method and structure for current balancing the emitter current in a multi-finger n-emitter of a BJT or BSCR, back-end or polysilicon resistors are applied between the emitter fingers and the power rail, with the resistors chosen to be larger the closer the emitter fingers are to the collector.

摘要翻译： 在用于电流平衡BJT或BSCR的多指n发射极中的发射极电流的方法和结构中，后端或多晶硅电阻器被施加在发射极和电源轨之间，其中电阻器选择为大于 发射器手指靠近收集器。