公开(公告)号：US20100102411A1

公开(公告)日：2010-04-29

申请号：US12651236

申请日：2009-12-31

申请人： Tzu-Hsuan Hsu ,  Dun-Nian Yaung ,  Ching-Chun Wang

发明人： Tzu-Hsuan Hsu ,  Dun-Nian Yaung ,  Ching-Chun Wang

IPC分类号： H01L31/00 ,  H01L31/062

CPC分类号： H01L27/14643 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/1464

摘要： A backside-illuminated sensor including a semiconductor substrate. The semiconductor substrate has a front surface and a back surface. A plurality of pixels are formed on the front surface of the semiconductor substrate. At least one pixel includes a photogate structure. The photogate structure has a metal gate that includes a reflective layer.

摘要翻译： 背面照明传感器，包括半导体衬底。 半导体衬底具有前表面和后表面。 在半导体衬底的前表面上形成多个像素。 至少一个像素包括光栅结构。 光栅结构具有包括反射层的金属栅极。

公开(公告)号：US20090294886A1

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：US12537167

申请日：2009-08-06

申请人： Tzu-Hsuan Hsu ,  Chris Hsieh ,  Dun-Nian Yaung ,  Chung-Yi Yu

发明人： Tzu-Hsuan Hsu ,  Chris Hsieh ,  Dun-Nian Yaung ,  Chung-Yi Yu

IPC分类号： H01L31/0216

CPC分类号： H01L31/18 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/148

摘要： An integrated circuit device is provided. The integrated circuit device can include a substrate; a first radiation-sensing element disposed over a first portion of the substrate; and a second radiation-sensing element disposed over a second portion of the substrate. The first portion comprises a first radiation absorption characteristic, and the second portion comprises a second radiation absorption characteristic different from the first radiation absorption characteristic.

摘要翻译： 提供集成电路装置。 集成电路器件可以包括衬底; 设置在所述基板的第一部分上的第一辐射感测元件; 以及设置在所述基板的第二部分上的第二辐射感测元件。 第一部分包括第一辐射吸收特性，第二部分包括与第一辐射吸收特性不同的第二辐射吸收特性。

公开(公告)号：US07338830B2

公开(公告)日：2008-03-04

申请号：US11271116

申请日：2005-11-10

申请人： Tzu-Hsuan Hsu ,  Shou-Gwo Wuu ,  Ho-Ching Chien ,  Dun-Nian Yaung

发明人： Tzu-Hsuan Hsu ,  Shou-Gwo Wuu ,  Ho-Ching Chien ,  Dun-Nian Yaung

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L27/14632 ,  H01L27/1462

摘要： A plurality of apertures is formed in at least one first insulating layer disposed over a sensor formed in a semiconductor substrate. A second insulating layer is disposed over the at least one first insulating layer and the plurality of apertures in the at least one first insulating layer. The apertures form hollow regions in the at least one first insulating layer over the sensor, allowing more light or energy to pass through the at least one first insulating layer to the sensor, and increasing the sensitivity of the sensor.

摘要翻译： 在设置在形成于半导体衬底中的传感器上的至少一个第一绝缘层中形成多个孔。 第二绝缘层设置在至少一个第一绝缘层和至少一个第一绝缘层中的多个孔之上。 所述孔在所述传感器上的所述至少一个第一绝缘层中形成中空区域，允许更多的光或能量穿过所述至少一个第一绝缘层到所述传感器，并且增加所述传感器的灵敏度。

公开(公告)号：US07232697B2

公开(公告)日：2007-06-19

申请号：US10818312

申请日：2004-04-05

申请人： Tzu-Hsuan Hsu ,  Dun-Nian Yaung ,  Shou-Gwo Wuu ,  Ho-Ching Chien ,  Chien-Hsien Tseng ,  Jeng-Shyan Lin

发明人： Tzu-Hsuan Hsu ,  Dun-Nian Yaung ,  Shou-Gwo Wuu ,  Ho-Ching Chien ,  Chien-Hsien Tseng ,  Jeng-Shyan Lin

IPC分类号： H01L21/339

CPC分类号： H01L27/14689 ,  H01L27/1463

摘要： Provided are a semiconductor device and a method for its manufacture. In one example, the method includes forming an isolation structure having a first refraction index over a sensor embedded in a substrate. A first layer having a second refraction index that is different from the first refraction index is formed over the isolation structure. The first layer is removed from at least a portion of the isolation structure. A second layer having a third refraction index is formed over the isolation structure after the first layer is removed. The third refraction index is substantially similar to the first refraction index.

摘要翻译： 提供半导体器件及其制造方法。 在一个示例中，该方法包括在嵌入基板中的传感器上形成具有第一折射率的隔离结构。 在隔离结构上形成具有与第一折射率不同的第二折射率的第一层。 从隔离结构的至少一部分去除第一层。 在去除第一层之后，在隔离结构上形成具有第三折射率的第二层。 第三折射率基本上类似于第一折射率。

公开(公告)号：US07122840B2

公开(公告)日：2006-10-17

申请号：US10868827

申请日：2004-06-17

申请人： Tzu-Hsuan Hsu ,  Dun-Nian Yaung ,  Yean-Kuen Fang

发明人： Tzu-Hsuan Hsu ,  Dun-Nian Yaung ,  Yean-Kuen Fang

IPC分类号： H01L27/15 ,  H01L29/26 ,  H01L31/12 ,  H01L33/00 ,  H01L31/00

CPC分类号： H01L27/1462 ,  H01L25/167 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/15 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An image sensor device and fabrication method thereof wherein a substrate having at least one shallow trench isolation structure therein is provided. At least one photosensor and at least one light emitting element, e.g., such as MOS or LED, are formed in the substrate. The photosensor and the light emitting element are isolated by the shallow trench isolation structure. An opening is formed in the shallow trench isolation structure to expose part of the substrate. An opaque shield is formed in the opening to prevent photons from the light emitting element from striking the photosensor.

摘要翻译： 一种图像传感器装置及其制造方法，其中提供其中具有至少一个浅沟槽隔离结构的基板。 在衬底中形成至少一个光电传感器和至少一个发光元件，例如MOS或LED。 光传感器和发光元件通过浅沟槽隔离结构隔离。 在浅沟槽隔离结构中形成开口以暴露部分衬底。 在开口中形成不透明屏蔽物，以防止来自发光元件的光子撞击光传感器。

公开(公告)号：US20050199921A1

公开(公告)日：2005-09-15

申请号：US10799986

申请日：2004-03-12

申请人： Tzu-Hsuan Hsu ,  Shou-Gwo Wuu ,  Ho-Ching Chien ,  Dun-Nian Yaung

发明人： Tzu-Hsuan Hsu ,  Shou-Gwo Wuu ,  Ho-Ching Chien ,  Dun-Nian Yaung

IPC分类号： H01L21/82 ,  H01L27/146 ,  H01L31/062

CPC分类号： H01L27/14632 ,  H01L27/1462

摘要： A plurality of apertures is formed in at least one first insulating layer disposed over a sensor formed in a semiconductor substrate. A second insulating layer is disposed over the at least one first insulating layer and the plurality of apertures in the at least one first insulating layer. The apertures form hollow regions in the at least one first insulating layer over the sensor, allowing more light or energy to pass through the at least one first insulating layer to the sensor, and increasing the sensitivity of the sensor.

摘要翻译： 在设置在形成于半导体衬底中的传感器上的至少一个第一绝缘层中形成多个孔。 第二绝缘层设置在所述至少一个第一绝缘层和所述至少一个第一绝缘层中的多个孔之上。 所述孔在所述传感器上的所述至少一个第一绝缘层中形成中空区域，允许更多的光或能量穿过所述至少一个第一绝缘层到所述传感器，并且增加所述传感器的灵敏度。

公开(公告)号：US08525286B2

公开(公告)日：2013-09-03

申请号：US12537167

申请日：2009-08-06

申请人： Tzu-Hsuan Hsu ,  Chris Hsieh ,  Dun-Nian Yaung ,  Chung-Yi Yu

发明人： Tzu-Hsuan Hsu ,  Chris Hsieh ,  Dun-Nian Yaung ,  Chung-Yi Yu

IPC分类号： H01L31/00

CPC分类号： H01L31/18 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/148

摘要： An integrated circuit device is provided. The integrated circuit device can include a substrate; a first radiation-sensing element disposed over a first portion of the substrate; and a second radiation-sensing element disposed over a second portion of the substrate. The first portion comprises a first radiation absorption characteristic, and the second portion comprises a second radiation absorption characteristic different from the first radiation absorption characteristic.

摘要翻译： 提供集成电路装置。 集成电路器件可以包括衬底; 设置在所述基板的第一部分上的第一辐射感测元件; 以及设置在所述基板的第二部分上的第二辐射感测元件。 第一部分包括第一辐射吸收特性，第二部分包括与第一辐射吸收特性不同的第二辐射吸收特性。

公开(公告)号：US07973380B2

公开(公告)日：2011-07-05

申请号：US11532674

申请日：2006-09-18

申请人： Tzu-Hsuan Hsu ,  Dun-Nian Yaung

发明人： Tzu-Hsuan Hsu ,  Dun-Nian Yaung

IPC分类号： H01L31/00

CPC分类号： H01L27/14618 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L31/0203 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of providing metal extension in a backside illuminated image sensor is provided in the present disclosure. In one embodiment, a first set of pads and a second set of pads, and a metal layer are provided in a backside illuminated image sensor. The first set of pads are electrically coupled to the second set of pads through the metal layer, and a pad in the second set of pads is exposed to the surface of the backside illuminated image sensor for testing. In an alternative embodiment, a first set of pads, at least one second pad directly positioned over the first set of pads are provided in a backside illuminated image sensor. The first set of pads are electrically coupled to the at least one second pad and the at least one second pad is exposed to the surface of the backside illuminated image sensor for testing.

摘要翻译： 在本公开中提供了在背面照明图像传感器中提供金属延伸的方法。 在一个实施例中，第一组焊盘和第二组焊盘以及金属层设置在背面照明的图像传感器中。 第一组焊盘通过金属层电耦合到第二组焊盘，并且第二组焊盘中的焊盘暴露于背面照射的图像传感器的表面用于测试。 在替代实施例中，第一组焊盘，至少一个第二焊盘，直接位于第一组焊盘上方，设置在背面照明的图像传感器中。 第一组焊盘电耦合到至少一个第二焊盘，并且至少一个第二焊盘暴露于背面照射的图像传感器的表面用于测试。

公开(公告)号：US07638852B2

公开(公告)日：2009-12-29

申请号：US11626664

申请日：2007-01-24

申请人： Tzu-Hsuan Hsu ,  Chris Hsieh ,  Dun-Nian Yaung ,  Chung-Yi Yu

发明人： Tzu-Hsuan Hsu ,  Chris Hsieh ,  Dun-Nian Yaung ,  Chung-Yi Yu

IPC分类号： H01L31/00

CPC分类号： H01L31/18 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/148

摘要： A backside illuminated sensor includes a semiconductor substrate having a front surface and a back surface, and a plurality of pixels formed on the front surface of the semiconductor substrate. The sensor further includes a plurality of absorption depths formed within the back surface of the semiconductor substrate. Each of the plurality of absorption depths is arranged according to each of the plurality of pixels. A method for forming a backside illuminated includes providing a semiconductor substrate having a front surface and a back surface and forming a first, second, and third pixel on the front surface of the semiconductor substrate. The method further includes forming a first, second, and third thickness within the back surface of the semiconductor substrate, wherein the first, second, and third thickness lies beneath the first, second, and third pixel, respectively.

摘要翻译： 背面照明传感器包括具有前表面和后表面的半导体衬底和形成在半导体衬底的前表面上的多个像素。 传感器还包括形成在半导体衬底的后表面内的多个吸收深度。 多个吸收深度中的每一个根据多个像素中的每一个排列。 用于形成背面照明的方法包括提供具有前表面和后表面的半导体衬底，并在半导体衬底的前表面上形成第一，第二和第三像素。 该方法还包括在半导体衬底的后表面内形成第一，第二和第三厚度，其中第一，第二和第三厚度分别位于第一，第二和第三像素的下方。

公开(公告)号：US20090078973A1

公开(公告)日：2009-03-26

申请号：US11859848

申请日：2007-09-24

申请人： Tzu-Hsuan Hsu ,  Dun-Nian Yaung ,  Ching-Chun Wang

发明人： Tzu-Hsuan Hsu ,  Dun-Nian Yaung ,  Ching-Chun Wang

IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L31/062

CPC分类号： H01L27/14625 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/1464

摘要： Provides is a backside-illuminated sensor including a semiconductor substrate having a front surface and a back surface. A plurality of image sensor elements are formed on the front surface of the semiconductor substrate. At least one of the image sensor elements includes a transfer transistor and a photodetector. The gate of the transfer transistor includes an optically reflective layer. The gate of the transfer transistor, including the optically reflective layer, overlies the photodetector. In one embodiment, the gate overlies the photodetector by at least 5%.

摘要翻译： 提供一种背面照明传感器，其包括具有前表面和后表面的半导体衬底。 多个图像传感器元件形成在半导体衬底的前表面上。 图像传感器元件中的至少一个包括传输晶体管和光电检测器。 转移晶体管的栅极包括光反射层。 包括光反射层的传输晶体管的栅极覆盖在光电检测器上。 在一个实施例中，栅极覆盖光电探测器至少5％。