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    Chemically-amplified positive resist composition and patterning process thereof
    61.
    发明授权
    Chemically-amplified positive resist composition and patterning process thereof 有权
    化学扩增的正型抗蚀剂组合物及其构图工艺

    公开(公告)号：US08202677B2

    公开(公告)日：2012-06-19

    申请号：US12457327

    申请日：2009-06-08

    申请人： Takanobu Takeda ,  Satoshi Watanabe ,  Youichi Ohsawa ,  Masaki Ohashi ,  Takeshi Kinsho

    发明人： Takanobu Takeda ,  Satoshi Watanabe ,  Youichi Ohsawa ,  Masaki Ohashi ,  Takeshi Kinsho

    IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/04 ,  G03F7/028 ,  G03F7/40

    CPC分类号： G03F7/0395 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0392 ,  Y10S430/114

    摘要： There is disclosed a chemically-amplified positive resist composition comprising, as main components, (A) a base polymer, which contains one or more kinds of a monomer unit represented by the following general formula (1) and the like, and is an alkali-insoluble polymer whose hydroxyl group is partly protected by an acetal group while alkali-soluble when deprotected by an acid catalyst, (B) a sulfonium salt containing a sulfonate anion, (C) a basic component, and (D) an organic solvent. In a lithography technology by a photo resist, an extremely high temporal stability is necessary. In addition, it must give a good pattern profile not dependent on a substrate and have a high resolution power. There can be provided a chemically-amplified positive resist composition which can solve these problems simultaneously, a resist patterning process using the same, and a method for producing a photo mask blank.

    摘要翻译： 公开了一种化学增幅正型抗蚀剂组合物，其包含作为主要成分的（A）基质聚合物，其包含一种或多种由以下通式（1）表示的单体单元等，并且为碱 （B）含有磺酸根阴离子的锍盐，（C）碱性成分和（D）有机溶剂，其羟基部分被缩醛基保护而碱溶性的不溶性聚合物。 在通过光刻胶的光刻技术中，需要非常高的时间稳定性。 另外，它必须给出不依赖于衬底并且具有高分辨率功率的良好图案轮廓。 可以提供能够同时解决这些问题的化学放大正性抗蚀剂组合物，使用其的抗蚀剂图案形成工艺以及制造光掩模坯料的方法。

    Novel sulfonate salts and derivatives, photoacid generators, resist compositions, and patterning process
    64.
    发明申请
    Novel sulfonate salts and derivatives, photoacid generators, resist compositions, and patterning process 有权
    新型磺酸盐和衍生物，光酸产生剂，抗蚀剂组合物和图案化方法

    公开(公告)号：US20070099113A1

    公开(公告)日：2007-05-03

    申请号：US11588414

    申请日：2006-10-27

    申请人： Katsuhiro Kobayashi ,  Youichi Ohsawa ,  Takeshi Kinsho ,  Takeru Watanabe ,  Masaki Ohashi

    发明人： Katsuhiro Kobayashi ,  Youichi Ohsawa ,  Takeshi Kinsho ,  Takeru Watanabe ,  Masaki Ohashi

    IPC分类号： G03C1/00

    CPC分类号： G03F7/0045 ,  C07C309/08 ,  C07C381/12 ,  G03F7/0392 ,  Y10S430/114 ,  Y10S430/115

    摘要： Sulfonate salts have the formula: CF3—CH(OH)—CF2SO3−M+ wherein M+ is a Li, Na, K, ammonium or tetramethylammonium ion. Because of inclusion within the molecule of a hydroxyl group which is a polar group, the sulfonic acids are effective for restraining the length of acid diffusion through hydrogen bond or the like. The photoacid generators that generate these sulfonic acids perform well during the device fabrication process including coating, pre-baking, exposure, post-exposure baking, and developing steps. The photoacid generators are little affected by water left on the wafer during the ArF immersion lithography.

    摘要翻译： 磺酸盐具有下式：CF 3 -CH（OH）-CF 2 SO 3 SO 2 - > + +其中M + +是Li，Na，K，铵或四甲基铵离子。 由于在分子内包含作为极性基团的羟基，所以磺酸对于抑制通过氢键等的酸扩散的长度是有效的。 产生这些磺酸的光酸产生剂在器件制造过程中表现良好，包括涂层，预烘烤，曝光，曝光后烘烤和显影步骤。 在ArF浸没光刻期间，光致酸发生器几乎不受水晶体上剩余的水分的影响。

    DOUBLE PATTERNING PROCESS
    66.
    发明申请
    DOUBLE PATTERNING PROCESS 有权
    双重图案处理

    公开(公告)号：US20100062380A1

    公开(公告)日：2010-03-11

    申请号：US12549792

    申请日：2009-08-28

    申请人： Katsuya Takemura ,  Tsunehiro Nishi ,  Jun Hatakeyama ,  Masaki Ohashi ,  Takeshi Kinsho

    发明人： Katsuya Takemura ,  Tsunehiro Nishi ,  Jun Hatakeyama ,  Masaki Ohashi ,  Takeshi Kinsho

    IPC分类号： G03F7/20

    CPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/322

    摘要： A double pattern is formed by coating a first positive resist composition onto a substrate, patternwise exposure to radiation, and development with alkaline developer to form a first resist pattern; applying heat and/or radiation to render the first resist pattern insoluble in a second solvent and in a second developer; coating a second resist composition on the first resist pattern, patternwise exposure to radiation, and development with second developer to form a second resist pattern. The resin in the first resist composition comprises recurring units of formula (1) wherein R1 is H, CH3 or CF3, m=1 or 2, n=0 or 1.

    摘要翻译： 通过将第一正性抗蚀剂组合物涂布在基材上，图案地暴露于辐射并用碱性显影剂显影以形成第一抗蚀剂图案形成双重图案; 施加热和/或辐射以使第一抗蚀剂图案不溶于第二溶剂和第二显影剂; 在第一抗蚀剂图案上涂覆第二抗蚀剂组合物，图案地暴露于辐射，并用第二显影剂显影以形成第二抗蚀剂图案。 第一抗蚀剂组合物中的树脂包含式（1）的重复单元，其中R 1是H，CH 3或CF 3，m = 1或2，n = 0或1。

    NOVEL PHOTOACID GENERATOR, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
    67.
    发明申请
    NOVEL PHOTOACID GENERATOR, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS 有权
    新型光电发生器，电阻组合和图案处理

    公开(公告)号：US20090061358A1

    公开(公告)日：2009-03-05

    申请号：US12204685

    申请日：2008-09-04

    申请人： Masaki OHASHI ,  Youichi Ohsawa ,  Takeru Watanabe ,  Takeshi Kinsho

    发明人： Masaki OHASHI ,  Youichi Ohsawa ,  Takeru Watanabe ,  Takeshi Kinsho

    IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/20 ,  C07J5/00 ,  C07J43/00

    CPC分类号： C07J31/006 ,  C07J41/0055 ,  C07J43/003 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2041 ,  Y10S430/114

    摘要： Photoacid generators generate sulfonic acids of formula (1a) or (1c) upon exposure to high-energy radiation. R1—COOCH(CF3)CF2SO3+H+  (1a) R1—O—COOCH(CF3)CF2SO3−H+  (1c) R1 is a C20-C50 hydrocarbon group having a steroid structure. The photoacid generators are compatible with resins and can control acid diffusion and are thus suited for use in chemically amplified resist compositions.

    摘要翻译： 光生酸发生剂在暴露于高能量辐射时产生式（1a）或（1c）的磺酸。 <？in-line-formula description =“In-line formula”end =“lead”？> R1-COOCH（CF3）CF2SO3 + H +（1a）<？in-line-formula description =“In-line Formulas”end =“tail”？> <？in-line-formula description =“In-line Formulas”end =“lead”？> R1-O-COOCH（CF3）CF2SO3-H +（1c） =“内联式”末端=“尾”→R1是具有类固醇结构的C20-C50烃基。 光致酸产生剂与树脂相容并且可以控制酸扩散，因此适用于化学增幅抗蚀剂组合物。

    Sulfonate and its derivative, photosensitive acid generator, and resist composition and patterning process using the same
    69.
    发明授权
    Sulfonate and its derivative, photosensitive acid generator, and resist composition and patterning process using the same 有权
    磺酸盐及其衍生物，光敏酸产生剂，以及使用其的抗蚀剂组合物和图案化方法

    公开(公告)号：US08283104B2

    公开(公告)日：2012-10-09

    申请号：US12706450

    申请日：2010-02-16

    申请人： Masaki Ohashi ,  Takeshi Kinsho ,  Youichi Ohsawa

    发明人： Masaki Ohashi ,  Takeshi Kinsho ,  Youichi Ohsawa

    IPC分类号： G03F7/004 ,  C07C309/00

    CPC分类号： G03F7/0045 ,  C07C25/18 ,  C07C309/08 ,  C07C309/12 ,  C07C381/12 ,  C07C2603/74 ,  G03F1/50 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0392

    摘要： There is disclosed a sulfonate shown by the following general formula (2). R1—COOC(CF3)2—CH2SO3−M+  (2) (In the formula, R1 represents a linear, a branched, or a cyclic monovalent hydrocarbon group having 1 to 50 carbon atoms optionally containing a hetero atom. M+ represents a cation.) There can be provided: a novel sulfonate which is effective for a chemically amplified resist composition having a sufficiently high solubility (compatibility) in a resist solvent and a resin, a good storage stability, a PED stability, a further wider depth of focus, a good sensitivity, in particular a high resolution and a good pattern profile form; a photosensitive acid generator; a resist composition using this; a photomask blank, and a patterning process.

    摘要翻译： 公开了由以下通式（2）表示的磺酸盐。 R1-COOC（CF3）2-CH2SO3-M +（2）（式中，R1表示任选含有杂原子的碳原子数1〜50的直链状，支链状或环状的一价烃基，M +表示阳离子。 ）可以提供：对抗蚀剂溶剂和树脂具有足够高的溶解度（相容性）的化学放大型抗蚀剂组合物有效的新型磺酸盐，良好的储存稳定性，PED稳定性，进一步更宽的聚焦深度， 良好的灵敏度，特别是高分辨率和良好的图案轮廓形式; 光敏酸发生器; 使用该抗蚀剂组合物 光掩模坯料和图案化工艺。