公开(公告)号：US20070011581A1

公开(公告)日：2007-01-11

申请号：US11434494

申请日：2006-05-16

申请人： Masahiro Nakanishi ,  Manabu Inoue ,  Masayuki Toyama ,  Tomoaki Izumi ,  Tetsushi Kasahara ,  Kazuaki Tamura ,  Kiminori Matsuno

发明人： Masahiro Nakanishi ,  Manabu Inoue ,  Masayuki Toyama ,  Tomoaki Izumi ,  Tetsushi Kasahara ,  Kazuaki Tamura ,  Kiminori Matsuno

IPC分类号： G11C29/00

CPC分类号： G11C29/82 ,  G11C11/5621 ,  G11C16/04 ,  G11C2029/0409

摘要： With nonvolatile memory device employing a nonvolatile memory such as multiple-valued NAND flash memory or the like in which each memory cell holds data in a plurality of pages, there is such a problem that, if an error occurred under writing data, data stored in other page in the same group of the current page is changed, and hence the object of the present invention is to solve this problem. In writing data into a nonvolatile memory 110, when error occurred under writing data into a certain page, an error page identification part 128 identifies an error type and a physical address of the page where error occurred. An error corrector 129 then corrects errors occurred in other pages belonging to the same group of error occurrence page.

摘要翻译： 对于采用诸如多值NAND闪速存储器等非易失性存储器的非易失性存储器件，其中每个存储器单元保持多个页面中的数据，存在如下问题：如果在写入数据时发生错误，则存储在 当前页面的同一组中的其他页面被改变，因此本发明的目的是解决这个问题。 在将数据写入非易失性存储器110时，当在特定页面中写入数据时发生错误时，错误页识别部件128识别错误发生的页面的错误类型和物理地址。 错误校正器129然后校正属于同一组错误发生页面的其他页面中发生的错误。

公开(公告)号：US20060050593A1

公开(公告)日：2006-03-09

申请号：US11204316

申请日：2005-08-16

申请人： Masayuki Toyama ,  Tokuzo Kiyohara

发明人： Masayuki Toyama ,  Tokuzo Kiyohara

IPC分类号： G11C8/00

CPC分类号： G11C16/20 ,  G11C7/1015 ,  G11C7/1045 ,  G11C16/06

摘要： A non-volatile memory device is disclosed that can reduce the time required for the initialization process. A non-volatile memory device includes a non-volatile memory array having a plurality of pages. Each page includes a plurality of non-volatile memory cells, a first region for storing data, and a second region for storing control data that is associated with the data of the first region. The non-volatile memory device further includes a read out unit for reading out data from the pages, and a data buffer for temporarily storing data that has been read out from the pages by the read out unit. When reading out the control data, the read out unit reads out the second regions, across a plurality of pages, at one time.

摘要翻译： 公开了可以减少初始化过程所需时间的非易失性存储器件。 非易失性存储器件包括具有多页的非易失性存储器阵列。 每个页面包括多个非易失性存储器单元，用于存储数据的第一区域和用于存储与第一区域的数据相关联的控制数据的第二区域。 非易失性存储装置还包括用于从页面读出数据的读出单元和用于临时存储由读出单元从页面读出的数据的数据缓冲器。 当读出控制数据时，读出单元一次读出多个页面中的第二区域。

公开(公告)号：US20050013154A1

公开(公告)日：2005-01-20

申请号：US10496622

申请日：2003-09-29

申请人： Toshiyuki Honda ,  Masayuki Toyama ,  Keisuke Sakai

发明人： Toshiyuki Honda ,  Masayuki Toyama ,  Keisuke Sakai

IPC分类号： G06F11/14 ,  G06F12/02 ,  G11C16/10 ,  G11C16/16 ,  G11C11/22

CPC分类号： G06F12/0246 ,  G06F2212/1032 ,  G11C16/102 ,  G11C16/16

摘要： A control method of a non-volatile memory apparatus, which can execute data writing normally after the next startup even when a process is interrupted because of the occurrences of abnormal conditions such as power shut down during data writing or data erasing is provided. The control method of a non-volatile memory apparatus of the present invention comprises: a first flag writing step of writing a fixed value, which indicates that data is written, on a first flag existing in a redundancy area on a first page of a physical block and indicating whether or not data is written on the first page; and a data writing step of writing data on the physical block, when the data is written on the non-volatile memory consisting of a plurality of physical blocks.

摘要翻译： 提供了一种非易失性存储装置的控制方法，其可以在下一次启动时正常执行数据写入，即使当由于在数据写入或数据擦除期间电源关闭等异常情况发生而中断处理时。 本发明的非易失性存储装置的控制方法包括：第一标志写入步骤，其在存在于物理的第一页上的冗余区域中的第一标志上写入表示数据的固定值 阻止并指示数据是否写在第一页上; 以及当将数据写入由多个物理块组成的非易失性存储器时，在物理块上写入数据的数据写入步骤。