公开(公告)号：US20060141382A1

公开(公告)日：2006-06-29

申请号：US10531883

申请日：2003-12-18

申请人： Masaru Takeshita ,  Miwa Miyairi ,  Hideo Hada ,  Takeshi Iwai

发明人： Masaru Takeshita ,  Miwa Miyairi ,  Hideo Hada ,  Takeshi Iwai

IPC分类号： G03C1/76

CPC分类号： G03F7/0392 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0397

摘要： There are provided a resist composition that produces a resist pattern of good shape, and a method of forming a resist pattern that uses such a resist composition. The resist composition comprises a resin component (A) that undergoes a change in alkali solubility under the action of acid, an acid generator component (B) that generates acid on exposure, and an organic solvent (C), wherein the component (B) comprises a compound represented by a general formula (I) shown below [wherein, R1 to R3 each represent, independently, a methyl group or an ethyl group; and X− represents an anion].

摘要翻译： 提供了产生良好形状的抗蚀剂图案的抗蚀剂组合物，以及形成使用这种抗蚀剂组合物的抗蚀剂图案的方法。 抗蚀剂组合物包含在酸作用下碱溶性变化的树脂组分（A），暴露时产生酸的酸产生剂组分（B）和有机溶剂（C），其中组分（B） 包含由以下所示的通式（I）表示的化合物[其中，R 1至R 3各自独立地表示甲基或乙基; 和X - 代表阴离子]。

公开(公告)号：US07771911B2

公开(公告)日：2010-08-10

申请号：US10536047

申请日：2003-12-18

申请人： Hideo Hada ,  Takeshi Iwai ,  Masaaki Shimazaki ,  Masaaki Muroi ,  Kota Atsuchi ,  Hiroaki Tomida ,  Hirokazu Ozaki

发明人： Hideo Hada ,  Takeshi Iwai ,  Masaaki Shimazaki ,  Masaaki Muroi ,  Kota Atsuchi ,  Hiroaki Tomida ,  Hirokazu Ozaki

IPC分类号： G03C1/00 ,  C02F1/44

CPC分类号： B01D61/58 ,  B01D69/02 ,  B01D71/26 ,  B01D71/56 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/16 ,  G03F7/162

摘要： A technique to acquire a photoresist composition which can reduce occurrence of defects of a resist pattern after development is provided. Further, a technique to obtain a photoresist composition having excellent storage stability characteristics as a resist solution (storage stability); and a technique to obtain a photoresist composition which reduces the change of sensitivity and resist pattern size after treatment almost completely are provided. A photoresist composition containing a resin component (A), an acid-generating component (B) for generating an acid under exposure, and an organic solvent (C) is passed through a first filter 2a equipped with a first membrane having zeta potential of more than −20 mV but no more than 15 mV in distilled water of pH 7.0.

摘要翻译： 提供了获得能够减少显影后的抗蚀剂图案的缺陷发生的光致抗蚀剂组合物的技术。 此外，获得具有优异的储存稳定性特性的光致抗蚀剂组合物作为抗蚀剂溶液的技术（保存稳定性）; 并且提供了一种获得光刻胶组合物的技术，其提供了几乎完全降低了处理后的灵敏度变化和抗蚀剂图案尺寸的技术。 含有树脂组分（A），产生暴露酸的产酸组分（B）和有机溶剂（C）的光致抗蚀剂组合物通过配备有具有更多ζ电位的第一膜的第一过滤器2a 在pH 7.0的蒸馏水中为-20mV，但不超过15mV。

公开(公告)号：US07316885B2

公开(公告)日：2008-01-08

申请号：US10535533

申请日：2003-12-01

申请人： Hideo Hada ,  Miwa Miyairi ,  Naotaka Kubota ,  Takeshi Iwai

发明人： Hideo Hada ,  Miwa Miyairi ,  Naotaka Kubota ,  Takeshi Iwai

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/30

CPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111

摘要： There are provided a method of forming a resist pattern that enables the resist pattern to be formed with good control of the pattern size, as well as a positive resist composition used in the method, and a layered product formed using the positive resist composition. In the above method a positive resist composition comprising a resin component (A), which contains a structural unit (a1) derived from a (meth)acrylate ester represented by a general formula (I) shown below, and displays increased alkali solubility under action of acid, and an acid generator component (B) that generates acid on exposure is applied to a substrate, a prebake is conducted, the resist composition is selectively exposed, post exposure baking (PEB) is conducted, alkali developing is then used to form a resist pattern, and the pattern size of the thus produced resist pattern is then narrowed by heat treatment.

摘要翻译： 提供一种形成抗蚀剂图案的方法，其能够形成对图案尺寸的良好控制，以及该方法中使用的正性抗蚀剂组合物和使用正性抗蚀剂组合物形成的层叠体。 在上述方法中，含有含有由下述通式（I）表示的（甲基）丙烯酸酯衍生的结构单元（a1））的树脂成分（A）的正型抗蚀剂组合物在动作中显示出增加的碱溶解性 的酸，并且在基材上产生酸的酸发生剂组分（B）施加到基材上，进行预烘烤，选择性地暴露抗蚀剂组合物，进行曝光后烘烤（PEB），然后用碱显影形成 抗蚀剂图案，然后通过热处理使由此制得的抗蚀剂图案的图案尺寸变窄。

公开(公告)号：US07312015B2

公开(公告)日：2007-12-25

申请号：US10543263

申请日：2004-01-28

申请人： Hideo Hada ,  Takeshi Iwai ,  Masaru Takeshita ,  Ryotaro Hayashi ,  Masaaki Muroi ,  Kota Atsuchi ,  Hiroaki Tomida ,  Kazuyuki Shiotani

发明人： Hideo Hada ,  Takeshi Iwai ,  Masaru Takeshita ,  Ryotaro Hayashi ,  Masaaki Muroi ,  Kota Atsuchi ,  Hiroaki Tomida ,  Kazuyuki Shiotani

IPC分类号： G03C1/76 ,  G03C1/492 ,  G03C1/494 ,  C08F6/00 ,  C08J3/00

CPC分类号： C08J3/14 ,  C08J2333/04 ,  G03F7/0397

摘要： A process is provided for effectively removing by-products such as oligomers contained within a crude resin for an electronic material, thus producing a resin for an electronic material. In this process, a crude resin for an electronic material containing (a1) structural units derived from a (meth)acrylate ester with a hydrophilic site is washed using (b1) an organic solvent which is capable of dissolving said crude resin for an electronic material and which separates into two layers when combined with water, and (b2) water.

摘要翻译： 提供了一种方法，用于有效地除去副产物，例如包含在用于电子材料的粗树脂中的低聚物，从而制备用于电子材料的树脂。 在该方法中，使用（b1）能够将所述粗树脂溶解在电子材料中的有机溶剂洗涤含有（a1）衍生自具有亲水部位的（甲基）丙烯酸酯的结构单元的电子材料用粗制树脂 当与水结合时分离成两层，（b2）水。

公开(公告)号：US20060194141A1

公开(公告)日：2006-08-31

申请号：US10563501

申请日：2004-06-30

申请人： Hideo Hada ,  Miwa Miyairi ,  Takeshi Iwai

发明人： Hideo Hada ,  Miwa Miyairi ,  Takeshi Iwai

IPC分类号： G03C1/76

CPC分类号： G03F7/0397 ,  C08F220/28

摘要： A resist composition is disclosed which is capable of suppressing the surface roughness that occurs within a resist pattern, either following etching or following developing, or preferably following both processes. A resist pattern is formed using a positive resist composition that includes: a resin component (A), which contains at least one structural unit (a1) containing a lactone represented by one of the general formulas (1) through (4) shown below: (wherein, R represents a hydrogen atom or a methyl group, and m is either 0 or 1), and exhibits increased alkali solubility under the action of acid; an acid generator component (B) that generates acid on exposure; and an organic solvent (C).

摘要翻译： 公开了抗蚀剂组合物，其能够抑制在抗蚀剂图案之后发生的表面粗糙度，无论是在蚀刻之后还是在显影之后，或优选在两种方法之后。 使用正型抗蚀剂组合物形成抗蚀剂图案，所述抗蚀剂图案包括：含有至少一种含有由下述通式（1）至（4）之一表示的内酯的结构单元（a1）的树脂组分（A）： （其中，R表示氢原子或甲基，m为0或1），在酸的作用下表现出增加的碱溶解性; 在暴露时产生酸的酸发生剂组分（B）; 和有机溶剂（C）。

公开(公告)号：US07855044B2

公开(公告)日：2010-12-21

申请号：US11993005

申请日：2006-06-16

申请人： Masaru Takeshita ,  Hideo Hada ,  Takeshi Iwai

发明人： Masaru Takeshita ,  Hideo Hada ,  Takeshi Iwai

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/30

CPC分类号： G03F7/0397 ,  C08F220/28 ,  G03F7/0045 ,  Y10S430/111

摘要： A positive resist composition including a resin component (A) and an acid generator component (B), the resin component (A) including a copolymer (A1) having a structural unit (a1) derived from an acrylate ester having a monocyclic or polycyclic group-containing acid dissociable, dissolution inhibiting group, a structural unit (a2) derived from an acrylate ester having a lactone-containing cyclic group, a structural unit (a3) derived from an acrylate ester having a hydroxyl group and/or cyano group-containing polycyclic group, and a structural unit (a4) represented by general formula (a4-1) shown below: wherein R represents a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group or a halogenated lower alkyl group; R′ represents a hydrogen atom, a lower alkyl group or an alkoxy group of 1 to 5 carbon atoms; and f represents 0 or 1.

摘要翻译： 包含树脂组分（A）和酸产生剂组分（B）的正型抗蚀剂组合物，所述树脂组分（A）包含具有衍生自具有单环或多环基团的丙烯酸酯的结构单元（a1）的共聚物（A1） 含有可离解的溶解抑制基团，衍生自具有含内酯环状基团的丙烯酸酯的结构单元（a2），衍生自具有羟基和/或含氰基的丙烯酸酯的结构单元（a3） 多环基和由以下通式（a4-1）表示的结构单元（a4）：其中R表示氢原子，卤素原子，低级烷基或卤代低级烷基; R'表示氢原子，低级烷基或碳原子数1〜5的烷氧基。 f表示0或1。

公开(公告)号：US07482108B2

公开(公告)日：2009-01-27

申请号：US11572990

申请日：2005-07-01

申请人： Shogo Matsumaru ,  Masaru Takeshita ,  Takeshi Iwai ,  Hideo Hada

发明人： Shogo Matsumaru ,  Masaru Takeshita ,  Takeshi Iwai ,  Hideo Hada

IPC分类号： G30F7/00 ,  G30F7/004

CPC分类号： G03F7/0045 ,  C08F220/18 ,  C08F220/28 ,  C08F220/38 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/114

摘要： The invention provides a polymer compound capable of forming a positive resist composition that can form a high-resolution pattern with a reduced level of LER, an acid generator formed from such a polymer compound, a positive resist composition that includes such a polymer compound, and a method for forming a resist pattern that uses such a positive resist composition. The polymer compound includes a structural unit (a1) derived from an (α-lower alkyl) acrylate ester having an acid-dissociable, dissolution-inhibiting group, a structural unit (a2) represented by a general formula (a2-1) shown below [wherein, R represents a hydrogen atom or a lower alkyl group; A represents a divalent organic group; B represents a monovalent organic group; X represents a sulfur atom or iodine atom; n represents either 1 or 2; and Y represents a straight-chain, branched or cyclic alkyl group in which at least one hydrogen atom may be substituted with a fluorine atom], and a structural unit (a3) derived from an (α-lower alkyl) acrylate ester that contains a polar group-containing aliphatic polycyclic group.

摘要翻译： 本发明提供一种能够形成正性抗蚀剂组合物的高分子化合物，其可以形成具有降低的LER水平的高分辨率图案，由这种高分子化合物形成的酸发生剂，包含这种高分子化合物的正性抗蚀剂组合物和 形成使用这种正性抗蚀剂组合物的抗蚀剂图案的方法。 高分子化合物包括衍生自具有酸解离性，溶解抑制基团的（α-低级烷基）丙烯酸酯的结构单元（a1），由以下所示的通式（a2-1）表示的结构单元（a2） [式中，R表示氢原子或低级烷基; A表示二价有机基团; B表示一价有机基团; X表示硫原子或碘原子; n表示1或2; 和Y表示其中至少一个氢原子可被氟原子取代的直链，支链或环状烷基]和衍生自（α-低级烷基）丙烯酸酯的结构单元（a3），其包含 含极性基团的脂族多环基团。

公开(公告)号：US20060154181A1

公开(公告)日：2006-07-13

申请号：US10535533

申请日：2003-12-01

申请人： Hideo Hada ,  Miwa Miyairi ,  Naotaka Kubota ,  Takeshi Iwai

发明人： Hideo Hada ,  Miwa Miyairi ,  Naotaka Kubota ,  Takeshi Iwai

IPC分类号： G03C5/00

CPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111

摘要： There are provided a method of forming a resist pattern that enables the resist pattern to be formed with good control of the pattern size, as well as a positive resist composition used in the method, and a layered product formed using the positive resist composition. In the above method a positive resist composition comprising a resin component (A), which contains a structural unit (a1) derived from a (meth)acrylate ester represented by a general formula (I) shown below, and displays increased alkali solubility under action of acid, and an acid generator component (B) that generates acid on exposure is applied to a substrate, a prebake is conducted, the resist composition is selectively exposed, post exposure baking (PEB) is conducted, alkali developing is then used to form a resist pattern, and the pattern size of the thus produced resist pattern is then narrowed by heat treatment.

摘要翻译： 提供一种形成抗蚀剂图案的方法，其能够形成对图案尺寸的良好控制，以及该方法中使用的正性抗蚀剂组合物和使用正性抗蚀剂组合物形成的层叠体。 在上述方法中，含有含有由下述通式（I）表示的（甲基）丙烯酸酯衍生的结构单元（a1））的树脂成分（A）的正型抗蚀剂组合物在动作中显示出增加的碱溶解性 的酸，并且在基材上产生酸的酸发生剂组分（B）施加到基材上，进行预烘烤，选择性地暴露抗蚀剂组合物，进行曝光后烘烤（PEB），然后用碱显影形成 抗蚀剂图案，然后通过热处理使由此制得的抗蚀剂图案的图案尺寸变窄。

公开(公告)号：US20060141384A1

公开(公告)日：2006-06-29

申请号：US10543263

申请日：2004-01-28

申请人： Hideo Hada ,  Takeshi Iwai ,  Masaru Takeshita ,  Ryotaro Hayashi ,  Masaaki Muroi ,  Kota Atsuchi ,  Hiroaki Tomida ,  Kazuyuki Shiotani

发明人： Hideo Hada ,  Takeshi Iwai ,  Masaru Takeshita ,  Ryotaro Hayashi ,  Masaaki Muroi ,  Kota Atsuchi ,  Hiroaki Tomida ,  Kazuyuki Shiotani

IPC分类号： G03C1/76

CPC分类号： C08J3/14 ,  C08J2333/04 ,  G03F7/0397

摘要： A process is provided for effectively removing by-products such as oligomers contained within a crude resin for an electronic material, thus producing a resin for an electronic material. In this process, a crude resin for an electronic material containing (a1) structural units derived from a (meth)acrylate ester with a hydrophilic site is washed using (b1) an organic solvent which is capable of dissolving said crude resin for an electronic material and which separates into two layers when combined with water, and (b2) water.

摘要翻译： 提供了一种方法，用于有效地除去副产物，例如包含在用于电子材料的粗树脂中的低聚物，从而制备用于电子材料的树脂。 在该方法中，使用（b1）能够将所述粗树脂溶解在电子材料中的有机溶剂洗涤含有（a1）衍生自具有亲水部位的（甲基）丙烯酸酯的结构单元的电子材料用粗制树脂 当与水结合时分离成两层，（b2）水。

公开(公告)号：US07276575B2

公开(公告)日：2007-10-02

申请号：US10544324

申请日：2004-01-29

申请人： Hideo Hada ,  Takeshi Iwai ,  Miwa Miyairi ,  Masaaki Muroi ,  Kota Atsuchi ,  Hiroaki Tomida

发明人： Hideo Hada ,  Takeshi Iwai ,  Miwa Miyairi ,  Masaaki Muroi ,  Kota Atsuchi ,  Hiroaki Tomida

IPC分类号： C08F6/00

CPC分类号： G03F7/0397 ,  C08F6/06 ,  C08F6/12

摘要： A process for refining a crude resin for a resist which is capable of effectively removing by-products such as polymers and oligomers contained within the crude resin. The refining process for the crude resin of resist resin (A) used in a photoresist composition includes at least the resist resin (A) and an acid generator (B) dissolved in a first organic solvent (C1), such that if the concentration of the component (A) in the photoresist composition is labeled X, and the crude resin concentration of the component (A) in a crude resin solution including the crude resin of the component (A) dissolved in a second organic solvent (C2) is labeled Y, then (i) the crude resin solution is prepared so that Y is smaller than X, and (ii) the crude resin solution is subsequently filtered.

摘要翻译： 用于精制抗蚀剂粗树脂的方法，其能够有效地除去粗树脂中所含的聚合物和低聚物等副产物。 用于光致抗蚀剂组合物中的抗蚀剂树脂（A）的粗树脂的精制方法至少包含溶解在第一有机溶剂（C 1）中的抗蚀剂树脂（A）和酸产生剂（B），使得如果浓度 在光致抗蚀剂组合物中的组分（A）的标记为X，并且包含溶解在第二有机溶剂（C 2）中的组分（A）的粗树脂的粗树脂溶液中的组分（A）的粗树脂浓度 被标记为Y，然后（i）制备粗制树脂溶液使得Y小于X，和（ii）随后过滤粗树脂溶液。