公开(公告)号：US6020675A

公开(公告)日：2000-02-01

申请号：US38145

申请日：1998-03-11

申请人： Yohachi Yamashita ,  Senji Shimanuki ,  Kouichi Harada ,  Shiroh Saitoh ,  Mamoru Izumi ,  Tsuyoshi Kobayashi ,  Masaru Kawachi

发明人： Yohachi Yamashita ,  Senji Shimanuki ,  Kouichi Harada ,  Shiroh Saitoh ,  Mamoru Izumi ,  Tsuyoshi Kobayashi ,  Masaru Kawachi

IPC分类号： B06B1/06 ,  H01L41/08

CPC分类号： B06B1/0622 ,  H01L41/18 ,  H01L41/183 ,  H01L41/37

摘要： An ultrasonic probe provided with an ultrasonic wave-transmitting/receiving element comprising a 1-3 type or 2-2 type composite piezoelectric body exposing a piezoelectric monocrystal from at least one of the faces of the composite piezoelectric body, and an electrode mounted on at least one of the faces of the composite piezoelectric body, wherein the composite piezoelectric body comprises a piezoelectric monocrystal whose electromechanical coupling coefficient ratio k.sub.33 /k.sub.t is 1.6 or more, and a resin whose acoustic impedance Zp is 4.times.10.sup.6 kg/m.sup.2 s or less.

摘要翻译： 一种超声波探头，其具有超声波收发元件，该超声波收发元件包括从复合压电体的至少一个表面露出压电单晶的1-3型或2-2型复合压电体，以及安装在复合压电体的电极 复合压电体的至少一个面，其中复合压电体包括机电耦合系数比k33 / kt为1.6以上的压电单晶，声阻抗Zp为4×10 6 kg / m 2·s以下的树脂。

公开(公告)号：US5763292A

公开(公告)日：1998-06-09

申请号：US484892

申请日：1995-06-07

申请人： Kouichi Harada ,  Junichi Furukawa ,  Kazushi Wada ,  Takaaki Sarai

发明人： Kouichi Harada ,  Junichi Furukawa ,  Kazushi Wada ,  Takaaki Sarai

IPC分类号： H01L27/148 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L27/14887 ,  H01L27/14806 ,  H01L27/14831

摘要： A CCD solid state imaging device can reduce a smear component. This CCD solid state imaging device comprises a plurality of photosensor sections (10) arranged in a matrix fashion, a vertical transfer register (5) having a transfer electrode (16) disposed at every column of the photosensor sections, a shunt line layer (33) connected to the transfer electrode (16) on the vertical transfer register (5), and a photo-shield layer (38) formed so as to surround the photosensor section 10 through an interlayer insulating layer (37) which covers the shunt layer (33), in which the interlayer insulating layer (37) is formed under an overhang portion (38a) of the photo-shield layer (38) to the photosensor section (10).

摘要翻译： CCD固态成像装置可以减少拖尾部件。 该CCD固态成像装置包括以矩阵方式布置的多个光电传感器部分（10），具有设置在光电传感器部分的每列处的转移电极（16）的垂直传送寄存器（5），分流线层 ）连接到垂直传送寄存器（5）上的转印电极（16），以及光掩模层（38），其通过覆盖分流层的层间绝缘层（37）形成为围绕光电传感器部分10 33），其中层间绝缘层（37）形成在光屏蔽层（38）的悬垂部分（38a）下面到光电传感器部分（10）。

公开(公告)号：US5670813A

公开(公告)日：1997-09-23

申请号：US540074

申请日：1995-10-06

申请人： Kouichi Harada ,  Tetsuya Iizuka ,  Hiroshi Hibi

发明人： Kouichi Harada ,  Tetsuya Iizuka ,  Hiroshi Hibi

IPC分类号： H01L29/762 ,  H01L21/331 ,  H01L21/339 ,  H01L21/822 ,  H01L27/02 ,  H01L27/04 ,  H01L29/73 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L27/0251

摘要： In a semiconductor device such as a CCD solid-state imager having terminals connected with protection transistors, a strength against a static electricity applied between a terminal and a ground (GND) and a strength against a static electricity applied between a terminal and a substrate and a strength against a static electricity between terminals can be improved.

摘要翻译： 在诸如具有与保护晶体管连接的端子的CCD固态成像器的半导体器件中，抵抗施加在端子和接地（GND）之间的静电的强度和抵抗端子与衬底之间施加的静电的强度，以及 可以提高终端之间的静电强度。