公开(公告)号：US08709548B1

公开(公告)日：2014-04-29

申请号：US12907783

申请日：2010-10-19

申请人： A. Piers Newbery ,  Timothy Kueper ,  Daniel R. Juliano

发明人： A. Piers Newbery ,  Timothy Kueper ,  Daniel R. Juliano

IPC分类号： B05D1/02

CPC分类号： C23C14/3414 ,  B22F3/115 ,  C22C1/0425 ,  C23C4/123 ,  C23C4/185

摘要： A method of making a sputtering target includes providing a backing structure, and forming a copper indium gallium sputtering target material on the backing structure by spray forming.

摘要翻译： 制造溅射靶的方法包括提供背衬结构，以及通过喷涂形成在背衬结构上形成铜铟镓溅射靶材料。

公开(公告)号：US20110089030A1

公开(公告)日：2011-04-21

申请号：US12588578

申请日：2009-10-20

申请人： Daniel R. Juliano ,  Bao Nguyen ,  A. Piers Newbery ,  Asit Rairkar ,  Johannes Vlcek ,  Abdelouahab Ziani

发明人： Daniel R. Juliano ,  Bao Nguyen ,  A. Piers Newbery ,  Asit Rairkar ,  Johannes Vlcek ,  Abdelouahab Ziani

IPC分类号： C25B11/04 ,  B05D1/36 ,  B23K15/00 ,  B23K26/00 ,  B22D19/00 ,  B22D18/00 ,  B22F3/02

CPC分类号： C23C14/3414 ,  B22D11/0614 ,  B22D17/007 ,  B22D18/06 ,  B22F3/22 ,  C22C1/04 ,  C22C28/00

摘要： A sputtering target includes a copper indium gallium sputtering target material on a backing structure. The sputtering target material has a density of at least 100% or more as defined by the rule of mixtures applied to densities of component elements of the sputtering target material. The sputtering target material has an overall uniform composition.

摘要翻译： 溅射靶包括背衬结构上的铜铟镓溅射靶材料。 溅射靶材料具有至少100％以上的密度，其由施加到溅射靶材料的组分元素的密度的混合物的规则所定义。 溅射靶材料具有总体均匀的组成。