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    CMOS gates formed by integrating metals having different work functions and having a high-k gate dielectric
    1.
    发明授权
    CMOS gates formed by integrating metals having different work functions and having a high-k gate dielectric 有权
    通过集成具有不同功函数并且具有高k栅极电介质的金属形成的CMOS栅极

    公开(公告)号：US07176531B1

    公开(公告)日：2007-02-13

    申请号：US11020990

    申请日：2004-12-22

    申请人： Qi Xiang ,  Huicai Zhong ,  Jung-Suk Goo ,  Allison K. Holbrook ,  Joong S. Jeon ,  George J. Kluth

    发明人： Qi Xiang ,  Huicai Zhong ,  Jung-Suk Goo ,  Allison K. Holbrook ,  Joong S. Jeon ,  George J. Kluth

    IPC分类号： H01L29/76

    CPC分类号： H01L21/823857 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

    摘要： According to one exemplary embodiment, a method for integrating first and second metal layers on a substrate to form a dual metal NMOS gate and PMOS gate comprises depositing a dielectric layer over an NMOS region and a PMOS region of the substrate. The method further comprises depositing the first metal layer over dielectric layer. The method further comprises depositing the second metal layer over the first metal layer. The method further comprises implanting nitrogen in the NMOS region of substrate and converting a first portion of the first metal layer into a metal oxide layer and converting a second portion of the first metal layer into metal nitride layer. The method further comprises forming the NMOS gate and the PMOS gate, where the NMOS gate comprises a segment of metal nitride layer and the PMOS gate comprises a segment of the metal oxide layer.

    摘要翻译： 根据一个示例性实施例，一种用于在衬底上将第一和第二金属层集成以形成双金属NMOS栅极和PMOS栅极的方法包括在衬底的NMOS区域和PMOS区域上沉积介电层。 该方法还包括在电介质层上沉积第一金属层。 该方法还包括在第一金属层上沉积第二金属层。 该方法还包括在衬底的NMOS区域中注入氮气，并将第一金属层的第一部分转变为金属氧化物层，并将第一金属层的第二部分转换为金属氮化物层。 该方法还包括形成NMOS栅极和PMOS栅极，其中NMOS栅极包括金属氮化物层的一部分，PMOS栅极包括金属氧化物层的一部分。