公开(公告)号：US06982227B2

公开(公告)日：2006-01-03

申请号：US10687294

申请日：2003-10-16

申请人： Edward C. Cooney, III ,  Robert M. Geffken ,  Vincent J. McGahay ,  William T. Motsiff ,  Mark P. Murray ,  Amanda L. Piper ,  Anthony K. Stamper ,  David C. Thomas ,  Christy S. Tyberg ,  Elizabeth T. Webster

发明人： Edward C. Cooney, III ,  Robert M. Geffken ,  Vincent J. McGahay ,  William T. Motsiff ,  Mark P. Murray ,  Amanda L. Piper ,  Anthony K. Stamper ,  David C. Thomas ,  Christy S. Tyberg ,  Elizabeth T. Webster

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/76808 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76892 ,  H01L23/525 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1031 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of reworking BEOL (back end of a processing line) metallization levels of damascene metallurgy comprises forming a plurality of BEOL metallization levels over a substrate, forming line and via portions in the BEOL metallization levels, selectively removing at least one of the BEOL metallization levels to expose the line and via portions, and replacing the removed BEOL metallization levels with at least one new BEOL metallization level, wherein the BEOL metallization levels comprise a first dielectric layer and a second dielectric layer, and wherein the first dielectric layer comprising a lower dielectric constant material than the second dielectric layer.

摘要翻译： 一种重新加工BEOL（处理线的后端）金刚石冶金的金​​属化水平的方法包括在衬底上形成多个BEOL金属化水平，在BEOL金属化水平中形成线和通孔部分，选择性地去除BEOL金属化中的至少一个 以暴露线路和通孔部分，并且用至少一个新的BEOL金属化水平替换去除的BEOL金属化水平，其中BEOL金属化水平包括第一介电层和第二介电层，并且其中第一介电层包括下部 介电常数材料比第二介电层。

公开(公告)号：US08288828B2

公开(公告)日：2012-10-16

申请号：US10711298

申请日：2004-09-09

申请人： Michael M. Iwatake ,  Kevin E. Mello ,  Matthew W. Oonk ,  Amanda L. Piper ,  Yun Y. Wang ,  Keith K. Wong

发明人： Michael M. Iwatake ,  Kevin E. Mello ,  Matthew W. Oonk ,  Amanda L. Piper ,  Yun Y. Wang ,  Keith K. Wong

IPC分类号： H01L23/52

CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L21/76877

摘要： A via contact is provided to a diffusion region at a top surface of a substrate which includes a single-crystal semiconductor region. The via contact includes a first layer which consists essentially of a silicide of a first metal in contact with the diffusion region at the top surface. A dielectric region overlies the first layer, the dielectric region having an outer surface and an opening extending from the outer surface to the top surface of the substrate. A second layer lines the opening and contacts the top surface of the substrate in the opening, the second layer including a second metal which lines a sidewall of the opening and a silicide of the second metal which is self-aligned to the top surface of the substrate in the opening. A diffusion barrier layer overlies the second layer within the opening. A third layer including a third metal overlies the diffusion barrier layer and fills the opening.

摘要翻译： 通孔接触被提供到包括单晶半导体区域的衬底的顶表面处的扩散区域。 通孔接触包括第一层，其基本上由与顶表面上的扩散区接触的第一金属的硅化物组成。 电介质区域覆盖在第一层上，电介质区域具有外表面和从衬底的外表面延伸到顶表面的开口。 第二层将开口划线并与开口中的基板的顶表面接触，第二层包括将开口的侧壁排列的第二金属和与第二金属的顶表面自对准的第二金属的硅化物 基材在开口处。 扩散阻挡层覆盖开口内的第二层。 包括第三金属的第三层覆盖扩散阻挡层并填充开口。

公开(公告)号：US06674168B1

公开(公告)日：2004-01-06

申请号：US10248452

申请日：2003-01-21

申请人： Edward C. Cooney, III ,  Robert M Geffken ,  Vincent J McGahay ,  William T. Motsiff ,  Mark P. Murray ,  Amanda L. Piper ,  Anthony K. Stamper ,  David C. Thomas ,  Christy S. Tyberg ,  Elizabeth T. Webster

发明人： Edward C. Cooney, III ,  Robert M Geffken ,  Vincent J McGahay ,  William T. Motsiff ,  Mark P. Murray ,  Amanda L. Piper ,  Anthony K. Stamper ,  David C. Thomas ,  Christy S. Tyberg ,  Elizabeth T. Webster

IPC分类号： H01L2100

CPC分类号： H01L21/76808 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76892 ,  H01L23/525 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1031 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of reworking BEOL (back end of a processing line) metallization levels of damascene metallurgy comprises forming a plurality of BEOL metallization levels over a substrate, forming line and via portions in the BEOL metallization levels, selectively removing at least one of the BEOL metallization levels to expose the line and via portions, and replacing the removed BEOL metallization levels with at least one new BEOL metallization level, wherein the BEOL metallization levels comprise a first dielectric layer and a second dielectric layer, and wherein the first dielectric layer comprising a lower dielectric constant material than the second dielectric layer.

摘要翻译： 一种重新加工BEOL（处理线的后端）金刚石冶金的金​​属化水平的方法包括在衬底上形成多个BEOL金属化水平，在BEOL金属化水平中形成线和通孔部分，选择性地去除BEOL金属化中的至少一个 以暴露线路和通孔部分，并且用至少一个新的BEOL金属化水平替换去除的BEOL金属化水平，其中BEOL金属化水平包括第一介电层和第二介电层，并且其中第一介电层包括下部 介电常数材料比第二介电层。