公开(公告)号：US09431557B2

公开(公告)日：2016-08-30

申请号：US14115453

申请日：2012-04-26

Applicant: Andrea Knigge ,  Markus Weyers ,  Hans-Joachim Wurfl

Inventor： Andrea Knigge ,  Markus Weyers ,  Hans-Joachim Wurfl

IPC: H01L31/00 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/108 ,  H01L31/102

CPC classification number: H01L31/035272 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/03048 ,  H01L31/035209 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/102 ,  H01L31/1085 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: The present invention relates to a UV photodetector having a high sensitivity and a low dark current. The object of the present invention is to specify a UV photodetector that has a high sensitivity and a low dark current. According to the invention, the fingers of the first electrode structure and the fingers of the second electrode structure have a cover layer made of a second semiconducting material, wherein the cover layer is arranged on the absorber layer and directly contacts the absorber layer in the region of the fingers, and the first semiconducting material and the second semiconducting material are designed in such a manner that a two-dimensional electron gas (2DEG) is formed at the boundary layer between the absorber layer and the cover layer in the region of the fingers.

Abstract translation: 本发明涉及具有高灵敏度和低暗电流的紫外光检测器。 本发明的目的是指定具有高灵敏度和低暗电流的UV光电检测器。 根据本发明，第一电极结构的指状物和第二电极结构的指状物具有由第二半导体材料制成的覆盖层，其中覆盖层布置在吸收层上并直接接触区域中的吸收层 的手指，并且第一半导体材料和第二半导体材料被设计成使得在手指区域中的吸收层和覆盖层之间的边界层处形成二维电子气（2DEG） 。

公开(公告)号：US20140070272A1

公开(公告)日：2014-03-13

申请号：US14115453

申请日：2012-04-26

Applicant: Andrea Knigge ,  Markus Weyers ,  Hans-Joachim Wurfl

Inventor： Andrea Knigge ,  Markus Weyers ,  Hans-Joachim Wurfl

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/035272 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/03048 ,  H01L31/035209 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/102 ,  H01L31/1085 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: The present invention relates to a UV photodetector having a high sensitivity and a low dark current. The object of the present invention is to specify a UV photodetector that has a high sensitivity and a low dark current. According to the invention, the fingers of the first electrode structure and the fingers of the second electrode structure have a cover layer made of a second semiconducting material, wherein the cover layer is arranged on the absorber layer and directly contacts the absorber layer in the region of the fingers, and the first semiconducting material and the second semiconducting material are designed in such a manner that a two-dimensional electron gas (2DEG) is formed at the boundary layer between the absorber layer and the cover layer in the region of the fingers.

Abstract translation: 本发明涉及具有高灵敏度和低暗电流的紫外光检测器。 本发明的目的是指定具有高灵敏度和低暗电流的UV光电检测器。 根据本发明，第一电极结构的指状物和第二电极结构的指状物具有由第二半导体材料制成的覆盖层，其中覆盖层布置在吸收层上并直接接触区域中的吸收层 的手指，并且第一半导体材料和第二半导体材料被设计成使得在手指区域中的吸收层和覆盖层之间的边界层处形成二维电子气（2DEG） 。

公开(公告)号：US20110228805A1

公开(公告)日：2011-09-22

申请号：US12968727

申请日：2010-12-15

Applicant: Günther TRÄNKLE ,  Joachim PIPREK ,  Hans WENZEL ,  Götz ERBERT ,  Markus WEYERS ,  Andrea KNIGGE

Inventor： Günther TRÄNKLE ,  Joachim PIPREK ,  Hans WENZEL ,  Götz ERBERT ,  Markus WEYERS ,  Andrea KNIGGE

IPC: H01S5/183

CPC classification number: H01S5/183 ,  H01S5/026 ,  H01S5/041 ,  H01S5/14 ,  H01S5/4025 ,  H01S5/4087

Abstract: A the vertical-cavity surface-emitting laser includes a stripe-shaped active medium (10) having an emission maximum at a first wavelength (λ1), wherein a first reflector (18) is arranged below the stripe-shaped active medium (10) and a second reflector (20) is arranged above the stripe-shaped active medium (10), with the first reflector (18) facing the second reflector (20), wherein the first reflector (18) and a second reflector (20) have a reflectivity maximum in the region of the first wavelength (λ1), wherein a third reflector (12) and a fourth reflector (13) are each arranged on a side above or next to the stripe-shaped active medium (10), wherein the third reflector (12) faces the fourth reflector (13), and wherein the third reflector (12) and the fourth reflector (13) have a reflectivity maximum in the region of a second wavelength (λ2), wherein the first wavelength (λ1)) is greater than the second wavelength (λ2).

Abstract translation: 垂直腔表面发射激光器包括具有第一波长（λ1）的发射最大值的条形有源介质（10），其中第一反射器（18）布置在条形活性介质（10）的下方， 并且第二反射器（20）布置在条形有源介质（10）的上方，第一反射器（18）面向第二反射器（20），其中第一反射器（18）和第二反射器（20）具有 在第一波长区域（λ1）的反射率最大值，其中第三反射器（12）和第四反射器（13）分别布置在条状活性介质（10）上方或旁边的一侧，其中， 第三反射器（12）面向第四反射器（13），并且其中第三反射器（12）和第四反射器（13）在第二波长（λ2）的区域中具有反射率最大值，其中第一波长（λ1） ）大于第二波长（λ2）。

公开(公告)号：US08824518B2

公开(公告)日：2014-09-02

申请号：US12968727

申请日：2010-12-15

Applicant: Günther Tränkle ,  Joachim Piprek ,  Hans Wenzel ,  Götz Erbert ,  Markus Weyers ,  Andrea Knigge

Inventor： Günther Tränkle ,  Joachim Piprek ,  Hans Wenzel ,  Götz Erbert ,  Markus Weyers ,  Andrea Knigge

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/14 ,  H01S5/04 ,  H01S5/026 ,  H01S5/40

CPC classification number: H01S5/183 ,  H01S5/026 ,  H01S5/041 ,  H01S5/14 ,  H01S5/4025 ,  H01S5/4087

Abstract: A the vertical-cavity surface-emitting laser includes a stripe-shaped active medium (10) having an emission maximum at a first wavelength (λ1), wherein a first reflector (18) is arranged below the stripe-shaped active medium (10) and a second reflector (20) is arranged above the stripe-shaped active medium (10), with the first reflector (18) facing the second reflector (20), wherein the first reflector (18) and a second reflector (20) have a reflectivity maximum in the region of the first wavelength (λ1), wherein a third reflector (12) and a fourth reflector (13) are each arranged on a side above or next to the stripe-shaped active medium (10), wherein the third reflector (12) faces the fourth reflector (13), and wherein the third reflector (12) and the fourth reflector (13) have a reflectivity maximum in the region of a second wavelength (λ2), wherein the first wavelength (λ1) is greater than the second wavelength (λ2).

Abstract translation: 垂直腔表面发射激光器包括具有第一波长（λ1）的发射最大值的条形有源介质（10），其中第一反射器（18）布置在条形活性介质（10）的下方， 并且第二反射器（20）布置在条形有源介质（10）的上方，第一反射器（18）面向第二反射器（20），其中第一反射器（18）和第二反射器（20）具有 在第一波长区域（λ1）的反射率最大值，其中第三反射器（12）和第四反射器（13）分别布置在条状活性介质（10）上方或旁边的一侧，其中， 第三反射器（12）面向第四反射器（13），并且其中第三反射器（12）和第四反射器（13）在第二波长（λ2）的区域中具有反射率最大值，其中第一波长（λ1） 大于第二波长（λ2）。