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公开(公告)号：US20080217721A1
公开(公告)日：2008-09-11
申请号：US11684261
申请日：2007-03-09
申请人： Roman J. Hamerski , Zerui Chen , James Man-Fai Hong , Johnny Duc Van Chiem , Christopher D. Hruska , Timothy Eastman
发明人： Roman J. Hamerski , Zerui Chen , James Man-Fai Hong , Johnny Duc Van Chiem , Christopher D. Hruska , Timothy Eastman
IPC分类号： H01L31/00 , H01L21/425
CPC分类号： H01L29/365 , H01L29/0619 , H01L29/66136 , H01L29/66151 , H01L29/66356 , H01L29/7391 , H01L29/861 , H01L29/8618 , H01L29/868 , H01L29/88
摘要： A high-efficiency power semiconductor rectifier device (10) comprising a δP++ layer (12), a P-body (14), an N-drift region (16), an N+ substrate (18), an anode (20), and a cathode (22). The method of fabricating the device (10) comprises the steps of depositing the N-drift region (16) on the N+ substrate (18), implanting boron into the N-drift region (16) to create a P-body region (14), forming a layer of titanium silicide (56) on the P-body region (14), and concentrating a portion of the implanted boron at the interface region between the layer of titanium silicide (56) and the P-body region (14) to create the δP++ layer (12) of supersaturated P-doped silicon.
摘要翻译： 一种高效率功率半导体整流器件（10），包括δP++层（12），P体（14），N漂移区（16），N +衬底（18），阳极（20）和 阴极（22）。 制造器件（10）的方法包括以下步骤：在N +衬底（18）上沉积N漂移区（16），将硼注入N漂移区（16）以产生P体区（14） ），在P体区域（14）上形成硅化钛层（56），并将一部分注入的硼在硅化钛层（56）和P体区域（14）之间的界面区域集中 ）以产生过饱和P掺杂硅的δP++层（12）。
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公开(公告)号：US07847315B2
公开(公告)日：2010-12-07
申请号：US11684261
申请日：2007-03-09
申请人： Roman J. Hamerski , Zerui Chen , James Man-Fai Hong , Johnny Duc Van Chiem , Christopher D. Hruska , Timothy Eastman
发明人： Roman J. Hamerski , Zerui Chen , James Man-Fai Hong , Johnny Duc Van Chiem , Christopher D. Hruska , Timothy Eastman
CPC分类号： H01L29/365 , H01L29/0619 , H01L29/66136 , H01L29/66151 , H01L29/66356 , H01L29/7391 , H01L29/861 , H01L29/8618 , H01L29/868 , H01L29/88
摘要： A high-efficiency power semiconductor rectifier device (10) comprising a δP++ layer (12), a P-body (14), an N-drift region (16), an N+ substrate (18), an anode (20), and a cathode (22). The method of fabricating the device (10) comprises the steps of depositing the N-drift region (16) on the N+ substrate (18), implanting boron into the N-drift region (16) to create a P-body region (14), forming a layer of titanium silicide (56) on the P-body region (14), and concentrating a portion of the implanted boron at the interface region between the layer of titanium silicide (56) and the P-body region (14) to create the δP++ layer (12) of supersaturated P-doped silicon.
摘要翻译： 一种高效率功率半导体整流器件（10），包括δP++层（12），P体（14），N漂移区（16），N +衬底（18），阳极（20）和 阴极（22）。 制造器件（10）的方法包括以下步骤：在N +衬底（18）上沉积N漂移区（16），将硼注入N漂移区（16）以产生P体区（14） ），在P体区域（14）上形成硅化钛层（56），并将一部分注入的硼在硅化钛层（56）和P体区域（14）之间的界面区域集中 ）以产生过饱和P掺杂硅的δP++层（12）。
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公开(公告)号：US5385097A
公开(公告)日：1995-01-31
申请号：US92648
申请日：1993-07-16
摘要： Disclosed is an electroexplosive device including a semiconductor igniter chip with improved crack detection features and which fires in a known location. The chip includes diffused regions so that cracks formed therethrough will result in high leakage currents which are easily detected.
摘要翻译： 公开了一种包括具有改进的裂纹检测特征并且在已知位置发射的半导体点火器芯片的电炸药装置。 芯片包括扩散区域，使得通过其形成的裂纹将导致容易检测到的高漏电流。
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公开(公告)号：US20090297409A1
公开(公告)日：2009-12-03
申请号：US12130146
申请日：2008-05-30
IPC分类号： B01J19/08
CPC分类号： H05H1/2406 , H05H2001/2412
摘要： The present invention is generally directed to a single or dual dielectric barrier discharge reactor for generating flow discharge plasmas at atmospheric pressure or higher pressures. In particular, the present invention relates to a providing stable, energy efficient, glow discharge plasmas having a controlled discharge gap.
摘要翻译： 本发明一般涉及用于在大气压或更高压力下产生流动放电等离子体的单或双电介质阻挡放电反应器。 特别地，本发明涉及提供具有受控放电间隙的稳定的，能量高效的辉光放电等离子体。
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