公开(公告)号：US20160308025A1

公开(公告)日：2016-10-20

申请号：US14685944

申请日：2015-04-14

申请人： GLOBALFOUNDRIES INC.

发明人： Michael P. Chudzik ,  Siddarth A. Krishnan ,  Unoh Kwon ,  Vijay Narayanan ,  Jeffrey W. Sleight

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L21/02 ,  H01L29/20 ,  H01L29/88 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02617 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/20 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66151 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/785 ,  H01L29/88

摘要： A semiconductor structure includes a substrate and an intrinsic replacement channel. A tunneling field effect transistor (TFET) fin may be formed by the intrinsic replacement channel, a p-fin and an n-fin formed upon the substrate. The p-fin may serve as the source of the TFET and the n-fin may serve as the drain of the TFET. The replacement channel may be formed in place of a sacrificial channel of a diode fin that includes the p-fin, the n-fin, and the sacrificial channel at the p-fin and n-fin junction.

摘要翻译： 半导体结构包括衬底和固有置换通道。 隧道场效应晶体管（TFET）鳍可以由本征替换沟道，形成在衬底上的p鳍和n鳍形成。 p鳍可以用作TFET的源极，并且n鳍可以用作TFET的漏极。 可以形成替代通道来代替在p鳍和n鳍结上包括p鳍，n鳍和牺牲沟道的二极管鳍片的牺牲通道。

公开(公告)号：US09397187B2

公开(公告)日：2016-07-19

申请号：US14543349

申请日：2014-11-17

申请人： Micron Technology, Inc.

发明人： Gurtej S. Sandhu ,  Chandra Mouli

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/44 ,  H01L29/66 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/417 ,  H01L29/872 ,  H01L45/00 ,  H01L49/02

CPC分类号： H01L29/66151 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L28/90 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/08 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/872 ,  H01L29/88 ,  H01L45/00

摘要： Some embodiments include methods of forming diodes in which a first electrode is formed to have a pedestal extending upwardly from a base. At least one layer is deposited along an undulating topography that extends across the pedestal and base, and a second electrode is formed over the least one layer. The first electrode, at least one layer, and second electrode together form a structure that conducts current between the first and second electrodes when voltage of one polarity is applied to the structure, and that inhibits current flow between the first and second electrodes when voltage having a polarity opposite to said one polarity is applied to the structure. Some embodiments include diodes having a first electrode that contains two or more projections extending upwardly from a base, having at least one layer over the first electrode, and having a second electrode over the at least one layer.

公开(公告)号：US20160172463A1

公开(公告)日：2016-06-16

申请号：US14908899

申请日：2013-07-31

申请人： EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC

发明人： Aya Seike

IPC分类号： H01L29/66 ,  C23C14/24 ,  G03F7/32 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  H01L21/67 ,  C23C14/54

CPC分类号： H01L29/66151 ,  C23C14/24 ,  C23C14/54 ,  G03F7/162 ,  G03F7/20 ,  G03F7/32 ,  H01L21/67069 ,  H01L29/861 ,  H01L45/00

摘要： Provided herein are embodiments relating to metal-insulator-metal diodes and their method of manufacture. In some embodiments, the metal-insulator-metal diodes can be made, in part, via the use of an evanescent wave on a photo resist. In some embodiments, this allows for finer manipulation of the photo resist and allows for the separation of one piece of metal into a first and second piece of metal. The first piece of metal can then be differentially treated from the second (for example, by annealing another metal to the first piece), to allow for a difference in the work function of the two pieces of metal.

摘要翻译： 本文提供了涉及金属 - 绝缘体 - 金属二极管及其制造方法的实施例。 在一些实施例中，金属 - 绝缘体 - 金属二极管可以部分地通过在抗蚀剂上使用ev逝波来制造。 在一些实施例中，这允许对光致抗蚀剂进行更精细的操作并且允许将一片金属分离成第一和第二金属片。 然后可以将第一块金属与第二块金属（例如，通过将另一种金属退火到第一块）进行差异化处理，以允许两块金属的功函数不同。

公开(公告)号：US20150102289A1

公开(公告)日：2015-04-16

申请号：US14575311

申请日：2014-12-18

申请人： International Business Machines Corporation

发明人： Ali Afzali-Ardakani ,  Damon Farmer

IPC分类号： H01L29/45 ,  H01L29/66 ,  H01L29/68 ,  H01L29/88

CPC分类号： H01L29/88 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66037 ,  H01L29/66151 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/66977 ,  H01L29/68 ,  H01L29/7311

摘要： A gate tunable diode is provided. The gate tunable diode includes a gate dielectric formed on a gate electrode and a graphene electrode formed on the gate dielectric. Also, the gate tunable diode includes a tunnel dielectric formed on the graphene electrode and a tunnel electrode formed on the tunnel dielectric.

摘要翻译： 提供了一个门极可调二极管。 栅极可调二极管包括形成在栅电极上的栅极电介质和形成在栅极电介质上的石墨烯电极。 此外，栅极可调二极管包括形成在石墨烯电极上的隧道电介质和形成在隧道电介质上的隧道电极。

公开(公告)号：US08908251B2

公开(公告)日：2014-12-09

申请号：US13754140

申请日：2013-01-30

申请人： HRL Laboratories, LLC

发明人： Keyvan Sayyah ,  James H. Schaffner ,  Pamela R. Patterson

IPC分类号： G02F1/03 ,  H01P7/00 ,  G02F1/29 ,  H01L31/0216 ,  H01P7/08

CPC分类号： H04B10/615 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  G02B1/002 ,  G02F1/0018 ,  G02F1/0316 ,  G02F1/19 ,  G02F1/218 ,  G02F1/2257 ,  G02F1/29 ,  G02F1/292 ,  G02F2001/0151 ,  G02F2001/212 ,  G02F2001/291 ,  G02F2202/30 ,  G02F2203/12 ,  G02F2203/13 ,  G02F2203/15 ,  G02F2203/24 ,  H01L21/84 ,  H01L29/66151 ,  H01L31/02161 ,  H01P7/082 ,  H01P7/088 ,  H01Q15/002 ,  H01Q15/0086

摘要： A tunable metamaterial has a two dimensional array of resonant annular ring elements; and a plurality of voltage controllable electrical tuning elements disposed in or adjacent openings in each of said ring elements, each of said voltage controllable electrical tuning element ohmically contacting portions of only one of said ring elements. The voltage controllable electrical tuning elements may comprise highly doped semiconductor tunnel diodes, or the charge accumulation layer at the semiconductor/insulator interface of a metal-insulator-semiconductor structure, or nanoelectromechanical (NEMs) capacitors. The tunable metamaterial may be used, for example, in an optical beam steering device using the aforementioned tunable optical metamaterial in which a free-space optical beam is coupled into a receiving portion of a plane of the optical metamaterial and is steered out of a transmitter portion of the plane of the optical metamaterial in controllable azimuthal and elevational directions. The tunable metamaterial additionally has other applications.

摘要翻译： 可调谐超材料具有谐振环形环元件的二维阵列; 以及设置在每个所述环形元件中或相邻开口中的多个电压可控电调谐元件，每个所述电压可控电调谐元件欧姆接触仅一个所述环形元件的部分。 电压可控电调谐元件可以包括高度掺杂的半导体隧道二极管，或金属 - 绝缘体 - 半导体结构的半导体/绝缘体界面处的电荷累积层，或纳米机电（NEM））电容器。 可调谐超材料可以用于例如使用上述可调谐光学超材料的光束转向装置，其中自由空间光束耦合到光学超材料的平面的接收部分中并被转向发射器 光学超材料的平面部分在可控的方位角和高度方向。 可调谐超材料另外还有其他应用。

公开(公告)号：US20140211298A1

公开(公告)日：2014-07-31

申请号：US13754140

申请日：2013-01-30

申请人： HRL LABORATORIES, LLC

发明人： Keyvan Sayyah ,  James H. Schaffner ,  Pamela R. Patterson

IPC分类号： G02F1/29 ,  H01L31/0216

CPC分类号： H04B10/615 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  G02B1/002 ,  G02F1/0018 ,  G02F1/0316 ,  G02F1/19 ,  G02F1/218 ,  G02F1/2257 ,  G02F1/29 ,  G02F1/292 ,  G02F2001/0151 ,  G02F2001/212 ,  G02F2001/291 ,  G02F2202/30 ,  G02F2203/12 ,  G02F2203/13 ,  G02F2203/15 ,  G02F2203/24 ,  H01L21/84 ,  H01L29/66151 ,  H01L31/02161 ,  H01P7/082 ,  H01P7/088 ,  H01Q15/002 ,  H01Q15/0086

摘要： A tunable metamaterial has a two dimensional array of resonant annular ring elements; and a plurality of voltage controllable electrical tuning elements disposed in or adjacent openings in each of said ring elements, each of said voltage controllable electrical tuning element ohmically contacting portions of only one of said ring elements. The voltage controllable electrical tuning elements may comprise highly doped semiconductor tunnel diodes, or the charge accumulation layer at the semiconductor/insulator interface of a metal-insulator-semiconductor structure, or nanoelectromechanical (NEMs) capacitors. The tunable metamaterial may be used, for example, in an optical beam steering device using the aforementioned tunable optical metamaterial in which a free-space optical beam is coupled into a receiving portion of a plane of the optical metamaterial and is steered out of a transmitter portion of the plane of the optical metamaterial in controllable azimuthal and elevational directions. The tunable metamaterial additionally has other applications.

摘要翻译： 可调谐超材料具有谐振环形环元件的二维阵列; 以及设置在每个所述环形元件中或相邻开口中的多个电压可控电调谐元件，每个所述电压可控电调谐元件欧姆接触仅一个所述环形元件的部分。 电压可控电调谐元件可以包括高度掺杂的半导体隧道二极管，或金属 - 绝缘体 - 半导体结构的半导体/绝缘体界面处的电荷累积层，或纳米机电（NEM））电容器。 可调谐超材料可以用于例如使用上述可调谐光学超材料的光束转向装置，其中自由空间光束耦合到光学超材料的平面的接收部分中并被转向发射器 光学超材料的平面部分在可控的方位角和高度方向。 可调谐超材料另外还有其他应用。

公开(公告)号：US08735271B2

公开(公告)日：2014-05-27

申请号：US13594037

申请日：2012-08-24

申请人： Ali Afzali-Ardakani ,  Damon Farmer

发明人： Ali Afzali-Ardakani ,  Damon Farmer

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/88 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66037 ,  H01L29/66151 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/66977 ,  H01L29/68 ,  H01L29/7311

摘要： A gate tunable diode is provided. The gate tunable diode includes a gate dielectric formed on a gate electrode and a graphene electrode formed on the gate dielectric. Also, the gate tunable diode includes a tunnel dielectric formed on the graphene electrode and a tunnel electrode formed on the tunnel dielectric.

摘要翻译： 提供了一个门极可调二极管。 栅极可调二极管包括形成在栅电极上的栅极电介质和形成在栅极电介质上的石墨烯电极。 此外，栅极可调二极管包括形成在石墨烯电极上的隧道电介质和形成在隧道电介质上的隧道电极。

公开(公告)号：US08164080B2

公开(公告)日：2012-04-24

申请号：US12659166

申请日：2010-02-26

申请人： Young-bae Kim

发明人： Young-bae Kim

IPC分类号： H01L29/88

CPC分类号： H01L29/6609 ,  H01L27/2409 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66151 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L29/88 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/146

摘要： A diode structure includes: a lower electrode and an insulating layer disposed on the lower electrode. The insulating layer includes aperture exposing a portion of the lower electrode. The diode structure further includes: a first layer and a second layer. The first layer is disposed in the aperture and having a depressed portion. The second layer is disposed in the depressed portion of the first layer. A resistive random access memory (RRAM) device includes the above-described diode structure.

摘要翻译： 二极管结构包括：下电极和布置在下电极上的绝缘层。 绝缘层包括暴露下部电极的一部分的孔。 二极管结构还包括：第一层和第二层。 第一层设置在孔中并具有凹陷部分。 第二层设置在第一层的凹陷部分中。 电阻随机存取存储器（RRAM）装置包括上述二极管结构。

公开(公告)号：US20110220959A1

公开(公告)日：2011-09-15

申请号：US12721624

申请日：2010-03-11

申请人： Robert H. Blick ,  Chulki Kim ,  Jonghoo Park

发明人： Robert H. Blick ,  Chulki Kim ,  Jonghoo Park

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L21/329

CPC分类号： H01L29/88 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/66151 ,  H01L29/7613

摘要： A high-frequency metal-insulator-metal (MIM) type diode is constructed as a bridge suspended above a substrate to significantly reduce parasitic capacitances affecting the operation frequency of the diode thereby permitting improved high-frequency rectification, demodulation, or the like.

摘要翻译： 高频金属 - 绝缘体 - 金属（MIM）型二极管被构造为悬挂在衬底上的桥，以显着降低影响二极管的工作频率的寄生电容，从而允许改进的高频整流，解调等。

公开(公告)号：US07847315B2

公开(公告)日：2010-12-07

申请号：US11684261

申请日：2007-03-09

申请人： Roman J. Hamerski ,  Zerui Chen ,  James Man-Fai Hong ,  Johnny Duc Van Chiem ,  Christopher D. Hruska ,  Timothy Eastman

发明人： Roman J. Hamerski ,  Zerui Chen ,  James Man-Fai Hong ,  Johnny Duc Van Chiem ,  Christopher D. Hruska ,  Timothy Eastman

IPC分类号： H01L29/36 ,  H01L29/86

CPC分类号： H01L29/365 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66151 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8618 ,  H01L29/868 ,  H01L29/88

摘要： A high-efficiency power semiconductor rectifier device (10) comprising a δP++ layer (12), a P-body (14), an N-drift region (16), an N+ substrate (18), an anode (20), and a cathode (22). The method of fabricating the device (10) comprises the steps of depositing the N-drift region (16) on the N+ substrate (18), implanting boron into the N-drift region (16) to create a P-body region (14), forming a layer of titanium silicide (56) on the P-body region (14), and concentrating a portion of the implanted boron at the interface region between the layer of titanium silicide (56) and the P-body region (14) to create the δP++ layer (12) of supersaturated P-doped silicon.

摘要翻译： 一种高效率功率半导体整流器件（10），包括δP++层（12），P体（14），N漂移区（16），N +衬底（18），阳极（20）和 阴极（22）。 制造器件（10）的方法包括以下步骤：在N +衬底（18）上沉积N漂移区（16），将硼注入N漂移区（16）以产生P体区（14） ），在P体区域（14）上形成硅化钛层（56），并将一部分注入的硼在硅化钛层（56）和P体区域（14）之间的界面区域集中 ）以产生过饱和P掺杂硅的δP++层（12）。