公开(公告)号：US07847315B2

公开(公告)日：2010-12-07

申请号：US11684261

申请日：2007-03-09

申请人： Roman J. Hamerski ,  Zerui Chen ,  James Man-Fai Hong ,  Johnny Duc Van Chiem ,  Christopher D. Hruska ,  Timothy Eastman

发明人： Roman J. Hamerski ,  Zerui Chen ,  James Man-Fai Hong ,  Johnny Duc Van Chiem ,  Christopher D. Hruska ,  Timothy Eastman

IPC分类号： H01L29/36 ,  H01L29/86

CPC分类号： H01L29/365 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66151 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8618 ,  H01L29/868 ,  H01L29/88

摘要： A high-efficiency power semiconductor rectifier device (10) comprising a δP++ layer (12), a P-body (14), an N-drift region (16), an N+ substrate (18), an anode (20), and a cathode (22). The method of fabricating the device (10) comprises the steps of depositing the N-drift region (16) on the N+ substrate (18), implanting boron into the N-drift region (16) to create a P-body region (14), forming a layer of titanium silicide (56) on the P-body region (14), and concentrating a portion of the implanted boron at the interface region between the layer of titanium silicide (56) and the P-body region (14) to create the δP++ layer (12) of supersaturated P-doped silicon.

摘要翻译： 一种高效率功率半导体整流器件（10），包括δP++层（12），P体（14），N漂移区（16），N +衬底（18），阳极（20）和 阴极（22）。 制造器件（10）的方法包括以下步骤：在N +衬底（18）上沉积N漂移区（16），将硼注入N漂移区（16）以产生P体区（14） ），在P体区域（14）上形成硅化钛层（56），并将一部分注入的硼在硅化钛层（56）和P体区域（14）之间的界面区域集中 ）以产生过饱和P掺杂硅的δP++层（12）。

公开(公告)号：US20080217721A1

公开(公告)日：2008-09-11

申请号：US11684261

申请日：2007-03-09

申请人： Roman J. Hamerski ,  Zerui Chen ,  James Man-Fai Hong ,  Johnny Duc Van Chiem ,  Christopher D. Hruska ,  Timothy Eastman

发明人： Roman J. Hamerski ,  Zerui Chen ,  James Man-Fai Hong ,  Johnny Duc Van Chiem ,  Christopher D. Hruska ,  Timothy Eastman

IPC分类号： H01L31/00 ,  H01L21/425

CPC分类号： H01L29/365 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66151 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8618 ,  H01L29/868 ,  H01L29/88

摘要： A high-efficiency power semiconductor rectifier device (10) comprising a δP++ layer (12), a P-body (14), an N-drift region (16), an N+ substrate (18), an anode (20), and a cathode (22). The method of fabricating the device (10) comprises the steps of depositing the N-drift region (16) on the N+ substrate (18), implanting boron into the N-drift region (16) to create a P-body region (14), forming a layer of titanium silicide (56) on the P-body region (14), and concentrating a portion of the implanted boron at the interface region between the layer of titanium silicide (56) and the P-body region (14) to create the δP++ layer (12) of supersaturated P-doped silicon.

摘要翻译： 一种高效率功率半导体整流器件（10），包括δP++层（12），P体（14），N漂移区（16），N +衬底（18），阳极（20）和 阴极（22）。 制造器件（10）的方法包括以下步骤：在N +衬底（18）上沉积N漂移区（16），将硼注入N漂移区（16）以产生P体区（14） ），在P体区域（14）上形成硅化钛层（56），并将一部分注入的硼在硅化钛层（56）和P体区域（14）之间的界面区域集中 ）以产生过饱和P掺杂硅的δP++层（12）。