公开(公告)号：US20120328771A1

公开(公告)日：2012-12-27

申请号：US13168649

申请日：2011-06-24

申请人： George Papasouliotis ,  Deven Raj ,  Harold Persing

发明人： George Papasouliotis ,  Deven Raj ,  Harold Persing

IPC分类号： C23C14/54 ,  C23C14/48

CPC分类号： H01J37/32412 ,  H01J37/32972

摘要： A plasma processing apparatus and method are disclosed which improve the repeatability of various plasma processes. The actual implanted dose is a function of implant conditions, as well as various other parameters. This method used knowledge of current implant conditions, as well as information about historical data to improve repeatability. In one embodiment, information about plasma composition and dose per pulse is used to control one or more operating parameters in the plasma chamber. In another embodiment, this information is combined with historical data to control one or more operating parameters in the plasma chamber.

摘要翻译： 公开了提高各种等离子体工艺的重复性的等离子体处理装置和方法。 实际的植入剂量是植入条件以及各种其他参数的函数。 该方法使用当前植入条件的知识，以及关于历史数据的信息以改善重复性。 在一个实施例中，关于等离子体组成和每脉冲剂量的信息用于控制等离子体室中的一个或多个操作参数。 在另一个实施例中，该信息与历史数据组合以控制等离子体室中的一个或多个操作参数。

公开(公告)号：US20080160212A1

公开(公告)日：2008-07-03

申请号：US11616314

申请日：2006-12-27

申请人： Bon-Woong Koo ,  Steven R. Walther ,  Christopher J. Leavitt ,  Justin Tocco ,  Sung-Hwan Hyun ,  Timothy J. Miller ,  Jay T. Scheuer ,  Atul Gupta ,  Vikram Singh ,  Deven Raj

发明人： Bon-Woong Koo ,  Steven R. Walther ,  Christopher J. Leavitt ,  Justin Tocco ,  Sung-Hwan Hyun ,  Timothy J. Miller ,  Jay T. Scheuer ,  Atul Gupta ,  Vikram Singh ,  Deven Raj

IPC分类号： B28B7/38 ,  C23C16/00

CPC分类号： H01J37/32706 ,  H01J37/32623 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/68714 ,  H01L21/68735

摘要： A method and apparatuses for providing improved electrical contact to a semiconductor wafer during plasma processing applications are disclosed. In one embodiment, an apparatus includes a wafer platen for supporting the wafer; and a plurality of electrical contact elements, each of the plurality of electrical contact elements are configured to provide a path for supplying a bias voltage from a bias power supply to the wafer on the wafer platen. The plurality of electrical contact elements are also geometrically arranged such that at least one electrical contact element contacts an inner surface region (e.g., region between a center of wafer and a distance approximately half of the radius of the wafer) and at least one electrical contact element contacts an outer annular surface region (e.g., region between an outer edge of wafer and a distance approximately half of the radius of the wafer).

摘要翻译： 公开了一种用于在等离子体处理应用期间提供与半导体晶片的改进的电接触的方法和装置。 在一个实施例中，一种装置包括用于支撑晶片的晶片台板; 以及多个电接触元件，所述多个电接触元件中的每一个被配置为提供用于将来自偏置电源的偏置电压提供给晶片台板上的晶片的路径。 多个电接触元件也被几何地布置成使得至少一个电接触元件接触内表面区域（例如，晶片的中心与晶片的半径的一半的距离）和至少一个电接触 元件接触外部环形表面区域（例如，晶片的外边缘之间的区域和晶片的半径的一半的距离）。