公开(公告)号：US20130130115A1

公开(公告)日：2013-05-23

申请号：US13484025

申请日：2012-05-30

申请人： Jin-hwan PARK ,  Dongmok WHANG ,  Sun-hwak WOO

发明人： Jin-hwan PARK ,  Dongmok WHANG ,  Sun-hwak WOO

IPC分类号： H01M4/583 ,  H01M4/04 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

CPC分类号： H01M4/364 ,  H01M4/133 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1393 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/366 ,  H01M4/38 ,  H01M4/386 ,  H01M4/587 ,  H01M10/0525 ,  Y02T10/7011

摘要： A composite negative active material including metal nanostructures disposed on one or more of a surface and inner pores of a porous carbon-based material, a method of preparing the material, and a lithium secondary battery including the material.

摘要翻译： 一种复合负极活性材料，包括设置在多孔碳基材料的表面和内孔中的一个或多个上的金属纳米结构，该材料的制备方法以及包含该材料的锂二次电池。

公开(公告)号：US08207521B2

公开(公告)日：2012-06-26

申请号：US12708027

申请日：2010-02-18

申请人： Eun Kyung Lee ,  Dongmok Whang ,  Byoung Lyong Choi ,  Byung Sung Kim

发明人： Eun Kyung Lee ,  Dongmok Whang ,  Byoung Lyong Choi ,  Byung Sung Kim

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  C30B25/00 ,  C30B29/06 ,  C30B29/60 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/89 ,  Y10S977/891 ,  Y10S977/892 ,  Y10S977/893

摘要： Disclosed herein is a method for producing catalyst-free single crystal silicon nanowires. According to the method, nanowires can be produced in a simple and economical manner without the use of any metal catalyst. In addition, impurities contained in a metal catalyst can be prevented from being introduced into the nanowires, contributing to an improvement in the electrical and optical properties of the nanowires. Also disclosed herein are nanowires produced by the method and nanodevice comprising the nanowires.

摘要翻译： 本文公开了一种生产无催化剂的单晶硅纳米线的方法。 根据该方法，可以简单且经济地制造纳米线，而不使用任何金属催化剂。 此外，可以防止包含在金属催化剂中的杂质被引入纳米线中，有助于纳米线的电学和光学性质的改善。 本文还公开了通过包括纳米线的方法和纳米器件制备的纳米线。

公开(公告)号：US20100140584A1

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：US12708027

申请日：2010-02-18

申请人： Eun Kyung LEE ,  Dongmok WHANG ,  Byoung Lyong CHOI ,  Byung Sung KIM

发明人： Eun Kyung LEE ,  Dongmok WHANG ,  Byoung Lyong CHOI ,  Byung Sung KIM

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  C30B25/00 ,  C30B29/06 ,  C30B29/60 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/89 ,  Y10S977/891 ,  Y10S977/892 ,  Y10S977/893

摘要： Disclosed herein is a method for producing catalyst-free single crystal silicon nanowires. According to the method, nanowires can be produced in a simple and economical manner without the use of any metal catalyst. In addition, impurities contained in a metal catalyst can be prevented from being introduced into the nanowires, contributing to an improvement in the electrical and optical properties of the nanowires. Also disclosed herein are nanowires produced by the method and nanodevice comprising the nanowires.

摘要翻译： 本文公开了一种生产无催化剂的单晶硅纳米线的方法。 根据该方法，可以简单且经济地制造纳米线，而不使用任何金属催化剂。 此外，可以防止包含在金属催化剂中的杂质被引入纳米线中，有助于纳米线的电学和光学性质的改善。 本文还公开了通过包括纳米线的方法和纳米器件制备的纳米线。

公开(公告)号：US20090152527A1

公开(公告)日：2009-06-18

申请号：US12128362

申请日：2008-05-28

申请人： Eun Kyung LEE ,  Dongmok WHANG ,  Byoung Lyong CHOI ,  Byung Sung KIM

发明人： Eun Kyung LEE ,  Dongmok WHANG ,  Byoung Lyong CHOI ,  Byung Sung KIM

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  C30B25/00 ,  C30B29/06 ,  C30B29/60 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/89 ,  Y10S977/891 ,  Y10S977/892 ,  Y10S977/893

摘要： Disclosed herein is a method for producing catalyst-free single crystal silicon nanowires. According to the method, nanowires can be produced in a simple and economical manner without the use of any metal catalyst. In addition, impurities contained in a metal catalyst can be prevented from being introduced into the nanowires, contributing to an improvement in the electrical and optical properties of the nanowires. Also disclosed herein are nanowires produced by the method and nanodevice comprising the nanowires.

摘要翻译： 本文公开了一种生产无催化剂的单晶硅纳米线的方法。 根据该方法，可以简单且经济地制造纳米线，而不使用任何金属催化剂。 此外，可以防止包含在金属催化剂中的杂质被引入纳米线中，有助于纳米线的电学和光学性质的改善。 本文还公开了通过包括纳米线的方法和纳米器件制备的纳米线。

公开(公告)号：US20110132002A1

公开(公告)日：2011-06-09

申请号：US12957075

申请日：2010-11-30

申请人： Eun-kyung LEE ,  Byoung-lyong CHOI ,  Dongmok WHANG ,  Sang-jin LEE ,  Jong-woon LEE

发明人： Eun-kyung LEE ,  Byoung-lyong CHOI ,  Dongmok WHANG ,  Sang-jin LEE ,  Jong-woon LEE

IPC分类号： F25B21/02 ,  H01L35/32 ,  H01L35/34

CPC分类号： H01L35/32 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L35/26

摘要： A core-shell nanowire with an uneven surface structure can be advantageously used in thermoelectric devices. The core-shell nanowire with the uneven surface structure includes a core region and a shell region, wherein the uneven surface structure is formed in the shell region.

摘要翻译： 具有不均匀表面结构的核 - 壳纳米线可有利地用于热电装置。 具有不均匀表面结构的核 - 壳纳米线包括芯区域和壳区域，其中不均匀表面结构形成在壳区域中。

公开(公告)号：US20050253137A1

公开(公告)日：2005-11-17

申请号：US10995075

申请日：2004-11-22

申请人： Dongmok Whang ,  Song Jin ,  Yue Wu ,  Michael McAlpine ,  Robin Friedman ,  Charles Lieber

发明人： Dongmok Whang ,  Song Jin ,  Yue Wu ,  Michael McAlpine ,  Robin Friedman ,  Charles Lieber

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L51/00

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L51/0034 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0052

摘要： The present invention relates generally to nanotechnology and sub-microelectronic circuitry, and more particularly to nanoelectronics. One aspect of the invention is directed to nanostructures on substrates. In some cases, the substrate may be or comprise glass and/or polymers, and in some cases, the substrate may be flexible and/or transparent. The present invention is also directed, according to another aspect, to techniques for fabricating nanostructures on substrates. For example, monolayers of nanoscale semiconductors may be etched, e.g. photolithographically, to yield discrete and/or predetermined arrays of nanoscale semiconductors and other articles on a substrate. In one embodiment, the array may include hundreds, thousands, or more of electronic components such as field-effect transistors. Such arrays may be connected to electrodes using photolithographic techniques, and in some cases, without the need for registering individual semiconductor-metal contacts.

摘要翻译： 本发明一般涉及纳米技术和亚微电子电路，更具体地涉及纳米电子学。 本发明的一个方面涉及衬底上的纳米结构。 在一些情况下，基底可以是或包括玻璃和/或聚合物，并且在一些情况下，基底可以是柔性的和/或透明的。 根据另一方面，本发明还涉及用于在基底上制造纳米结构的技术。 例如，可以蚀刻纳米尺度半导体的单层。 光刻，以产生在衬底上的纳米尺度半导体和其它制品的离散和/或预定阵列。 在一个实施例中，阵列可以包括数百个，数千个或更多个诸如场效应晶体管的电子部件。 这样的阵列可以使用光刻技术连接到电极，并且在一些情况下，不需要注册各个半导体 - 金属触点。