公开(公告)号：US20060024963A1

公开(公告)日：2006-02-02

申请号：US10903716

申请日：2004-07-30

申请人： Doufeng Yue ,  Noel Russell ,  Peijun Chen ,  Douglas Mercer

发明人： Doufeng Yue ,  Noel Russell ,  Peijun Chen ,  Douglas Mercer

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823443 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823835 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

摘要： The present invention provides a method of manufacturing a metal silicide electrode (100) for a semiconductor device (110). The method comprises depositing by physical vapor deposition, germanium atoms (120) and transition metal atoms (130) to form a metal-germanium alloy layer (140) on a semiconductor substrate (150). The metal-germanium alloy layer and the semiconductor substrate are reacted to form a metal silicide electrode. Other aspects of the present invention include a method of manufacturing an integrated circuit (400).

摘要翻译： 本发明提供一种制造用于半导体器件（110）的金属硅化物电极（100）的方法。 该方法包括通过物理气相沉积，锗原子（120）和过渡金属原子（130）沉积以在半导体衬底（150）上形成金属 - 锗合金层（140）。 使金属锗合金层和半导体基板反应形成金属硅化物电极。 本发明的其它方面包括制造集成电路（400）的方法。

公开(公告)号：US20050208762A1

公开(公告)日：2005-09-22

申请号：US10903805

申请日：2004-07-30

申请人： Peijun Chen ,  Duofeng Yue ,  Douglas Mercer ,  Noel Russell

发明人： Peijun Chen ,  Duofeng Yue ,  Douglas Mercer ,  Noel Russell

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L21/336 ,  H01L21/44 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823443 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823835 ,  H01L29/665 ,  H01L29/78

摘要： The present invention provides a method of manufacturing a metal silicide electrode (100) for a semiconductor device (110). The method comprises depositing by physical vapor deposition, halogen atoms (120) and transition metal atoms (130) to form a halogen-containing metal layer (140) on a semiconductor substrate (150). The halogen-containing metal layer and the semiconductor substrate are reacted to form a metal silicide electrode. Other aspects of the present invention include a method of manufacturing an integrated circuit (400) comprising the metal silicide electrode.

摘要翻译： 本发明提供一种制造用于半导体器件（110）的金属硅化物电极（100）的方法。 该方法包括通过物理气相沉积沉积卤素原子（120）和过渡金属原子（130）以在半导体衬底（150）上形成含卤素的金属层（140）。 使含卤素金属层和半导体基板反应形成金属硅化物电极。 本发明的其它方面包括制造包括金属硅化物电极的集成电路（400）的方法。

公开(公告)号：US20050136589A1

公开(公告)日：2005-06-23

申请号：US10738958

申请日：2003-12-17

申请人： Antonio Rotondaro ,  Douglas Mercer ,  Luigi Colombo ,  Mark Visokay ,  Haowen Bu ,  Malcolm Bevan

发明人： Antonio Rotondaro ,  Douglas Mercer ,  Luigi Colombo ,  Mark Visokay ,  Haowen Bu ,  Malcolm Bevan

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8242 ,  H01L29/51

CPC分类号： H01L21/28176 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659

摘要： Methods are disclosed that fabricating semiconductor devices with high-k dielectric layers. The invention removes portions of deposited high-k dielectric layers not below gates and covers exposed portions (e.g., sidewalls) of high-k dielectric layers during fabrication with an encapsulation layer, which mitigates defects in the high-k dielectric layers and contamination of process tools. The encapsulation layer can also be employed as an etch stop layer and, at least partially, in comprising sidewall spacers. As a result, a semiconductor device can be fabricated with a substantially uniform equivalent oxide thickness.

摘要翻译： 公开了制造具有高k电介质层的半导体器件的方法。 本发明除了不在门下方的沉积的高k电介质层的部分，并且在用封装层制造期间覆盖高k电介质层的暴露部分（例如，侧壁），这减轻了高k电介质层中的缺陷和工艺污染 工具 封装层也可以用作蚀刻停止层，并且至少部分地包括侧壁间隔物。 结果，可以制造具有基本均匀的等效氧化物厚度的半导体器件。