公开(公告)号：US20110129991A1

公开(公告)日：2011-06-02

申请号：US12629722

申请日：2009-12-02

申请人： Kyle Armstrong ,  David A. Kewley ,  Duane Goodner ,  Mark Kiehlbauch ,  Zengtao Liu

发明人： Kyle Armstrong ,  David A. Kewley ,  Duane Goodner ,  Mark Kiehlbauch ,  Zengtao Liu

IPC分类号： H01L21/28 ,  G03F7/20

CPC分类号： H01L21/31138 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/28132 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/11517 ,  H01L27/11521

摘要： Some embodiments include methods of patterning materials. A mass may be formed over a material, and a first mask may be formed over the mass. First spacers may be formed along features of the first mask, and then the first mask may be removed to leave a second mask corresponding to the first spacers. A pattern of the second mask may be partially transferred into the mass to form an upper portion of the mass into a third mask. The first spacers may be removed from over the third mask, and then second spacers be formed along features of the third mask. The second spacers are a fourth mask. A pattern of the fourth mask may be transferred into a bottom portion of the mass, and then the bottom portion may be used as a mask during processing of the underlying material.

摘要翻译： 一些实施例包括图案化材料的方法。 可以在材料上形成质量，并且可以在物质上方形成第一掩模。 可以沿着第一掩模的特征形成第一间隔物，然后可以去除第一掩模以留下对应于第一间隔物的第二掩模。 第二掩模的图案可以部分地转移到质量体中以形成质量的上部成为第三掩模。 可以从第三掩模上方移除第一间隔物，然后沿着第三掩模的特征形成第二间隔物。 第二间隔物是第四掩模。 第四掩模的图案可以被转移到质量的底部，然后底部可以在下面的材料的加工期间用作掩模。