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公开(公告)号：US20130330902A1
公开(公告)日：2013-12-12
申请号：US13494693
申请日：2012-06-12
IPC分类号： H01L21/02
摘要： A metal oxide first electrode material for a MIM DRAM capacitor is formed wherein the first and/or second electrode materials or structures contain layers having one or more dopants up to a total doping concentration that will not prevent the electrode materials from crystallizing during a subsequent anneal step. Advantageously, the electrode doped with one or more of the dopants has a work function greater than about 5.0 eV. Advantageously, the electrode doped with one or more of the dopants has a resistivity less than about 1000 μΩ cm. Advantageously, the electrode materials are conductive molybdenum oxide.
摘要翻译： 形成用于MIM DRAM电容器的金属氧化物第一电极材料，其中第一和/或第二电极材料或结构包含具有一个或多个掺杂剂的层，直到总掺杂浓度，其将不会阻止电极材料在随后的退火期间结晶 步。 有利地，掺杂有一种或多种掺杂剂的电极具有大于约5.0eV的功函数。 有利地，掺杂有一种或多种掺杂剂的电极具有小于约1000μΩmΩ的电阻率。 有利地，电极材料是导电性氧化钼。
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公开(公告)号：US08647943B2
公开(公告)日：2014-02-11
申请号：US13494693
申请日：2012-06-12
IPC分类号： H01L21/8242
摘要： A metal oxide first electrode material for a MIM DRAM capacitor is formed wherein the first and/or second electrode materials or structures contain layers having one or more dopants up to a total doping concentration that will not prevent the electrode materials from crystallizing during a subsequent anneal step. Advantageously, the electrode doped with one or more of the dopants has a work function greater than about 5.0 eV. Advantageously, the electrode doped with one or more of the dopants has a resistivity less than about 1000 μΩ cm. Advantageously, the electrode materials are conductive molybdenum oxide.
摘要翻译： 形成用于MIM DRAM电容器的金属氧化物第一电极材料，其中第一和/或第二电极材料或结构包含具有一个或多个掺杂剂的层，直到总掺杂浓度，其将不会阻止电极材料在随后的退火期间结晶 步。 有利地，掺杂有一种或多种掺杂剂的电极具有大于约5.0eV的功函数。 有利地，掺杂有一种或多种掺杂剂的电极具有小于约1000μΩmΩ的电阻率。 有利地，电极材料是导电性氧化钼。
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公开(公告)号：US08530348B1
公开(公告)日：2013-09-10
申请号：US13482573
申请日：2012-05-29
申请人： Sandra G. Malhotra , Hanhong Chen , Wim Y. Deweerd , Edward L. Haywood , Hiroyuki Ode , Gerald Richardson
发明人： Sandra G. Malhotra , Hanhong Chen , Wim Y. Deweerd , Edward L. Haywood , Hiroyuki Ode , Gerald Richardson
IPC分类号： H01L21/4763
摘要： A method for forming a capacitor stack is described. In some embodiments of the present invention, a first electrode structure is comprised of multiple materials. A first material is formed above the substrate. A portion of the first material is etched. A second material is formed above the first material. A portion of the second material is etched. Optionally, the first electrode structure receives an anneal treatment. A dielectric material is formed above the first electrode structure. Optionally, the dielectric material receives an anneal treatment. A second electrode material is formed above the dielectric material. Typically, the capacitor stack receives an anneal treatment.
摘要翻译： 描述形成电容器堆叠的方法。 在本发明的一些实施例中，第一电极结构由多种材料构成。 在基板上方形成第一材料。 蚀刻第一材料的一部分。 在第一材料上方形成第二材料。 蚀刻第二材料的一部分。 可选地，第一电极结构接受退火处理。 介电材料形成在第一电极结构之上。 可选地，电介质材料接受退火处理。 在电介质材料上方形成第二电极材料。 通常，电容器堆叠接收退火处理。
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公开(公告)号：US08835273B2
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：US13622947
申请日：2012-09-19
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L29/92 , C23C16/45525 , H01L21/28562 , H01L28/65 , H01L28/75
摘要： A first electrode layer for a Metal-Insulator-Metal (MIM) DRAM capacitor is formed wherein the first electrode layer contains a conductive metal oxide formed using a high temperature, low pressure ALD process. The high temperature ALD process results in a layer with enhanced crystallinity, higher density, reduced shrinkage, and lower carbon contamination. The high temperature ALD process can be used for either or both the bottom electrode and the top electrode layers.
摘要翻译： 形成金属绝缘体金属（MIM）DRAM电容器的第一电极层，其中第一电极层含有使用高温低压ALD工艺形成的导电金属氧化物。 高温ALD工艺产生了具有增强的结晶度，较高密度，降低的收缩率和较低的碳污染的层。 高温ALD工艺可以用于底部电极和顶部电极层中的一个或两个。
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公开(公告)号：US20140080284A1
公开(公告)日：2014-03-20
申请号：US13622947
申请日：2012-09-19
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L29/92 , C23C16/45525 , H01L21/28562 , H01L28/65 , H01L28/75
摘要： A first electrode layer for a Metal-Insulator-Metal (MIM) DRAM capacitor is formed wherein the first electrode layer contains a conductive metal oxide formed using a high temperature, low pressure ALD process. The high temperature ALD process results in a layer with enhanced crystallinity, higher density, reduced shrinkage, and lower carbon contamination. The high temperature ALD process can be used for either or both the bottom electrode and the top electrode layers.
摘要翻译： 形成金属绝缘体金属（MIM）DRAM电容器的第一电极层，其中第一电极层含有使用高温低压ALD工艺形成的导电金属氧化物。 高温ALD工艺产生了具有增强的结晶度，较高密度，降低的收缩率和较低的碳污染的层。 高温ALD工艺可以用于底部电极和顶部电极层中的一个或两个。
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