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    Method for processing a layer of material while using insitu monitoring and control
    2.
    发明授权
    Method for processing a layer of material while using insitu monitoring and control 失效
    在使用现场监控和控制时处理材料层的方法

    公开(公告)号：US5372673A

    公开(公告)日：1994-12-13

    申请号：US8034

    申请日：1993-01-25

    申请人： Charles W. Stager ,  Paul M. Winebarger ,  Gregory S. Ferguson ,  Christopher A. Turman

    发明人： Charles W. Stager ,  Paul M. Winebarger ,  Gregory S. Ferguson ,  Christopher A. Turman

    IPC分类号： C23F1/00 ,  C23F4/00 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/306

    CPC分类号： H01L21/31053

    摘要： A method for planarizing a layer (18) begins by forming a layer (18) over a wafer having a substrate (12). Layer (18) has a surface topography which is not planar. A layer of material (20) is formed over the layer (18). The layer of material (20) has a surface which is more planar than the surface of layer (18). The surface of material (20) is transferred into the layer (18) by etching the layer (18) and the material (20) at approximately the same etch rate. The same etch rate is achieved by monitoring one of either the surface of the wafer or the etch environment of an etch system chamber. A computer-controlled feedback path alters an etch chemistry or etch environment to maintain the etch rates within an etch rate tolerance which is also referred to as a process window. By monitoring and altering the etch environment and/or the etch chemistry to maintain a process window, an optimal planar surface is achieved for layer (18).

    摘要翻译： 用于平坦化层（18）的方法开始于在具有衬底（12）的晶片上形成层（18）。 层（18）具有不平面的表面形貌。 在层（18）之上形成一层材料（20）。 材料层（20）具有比层（18）的表面更平的表面。 通过以大致相同的蚀刻速率蚀刻层（18）和材料（20）将材料（20）的表面转移到层（18）中。 通过监测晶片的表面或蚀刻系统室的蚀刻环境之一来实现相同的蚀刻速率。 计算机控制的反馈路径改变蚀刻化学或蚀刻环境，以将蚀刻速率保持在也被称为处理窗口的蚀刻速率容限内。 通过监测和改变蚀刻环境和/或蚀刻化学以维持工艺窗口，对层（18）实现最佳平面。

    Preparation of thin silica films with controlled thickness and tunable refractive index
    4.
    发明授权
    Preparation of thin silica films with controlled thickness and tunable refractive index 失效
    制备具有可控厚度和可调折射率的薄二氧化硅薄膜

    公开(公告)号：US06808742B2

    公开(公告)日：2004-10-26

    申请号：US10384188

    申请日：2003-03-07

    申请人： Jason H. Rouse ,  Gregory S. Ferguson

    发明人： Jason H. Rouse ,  Gregory S. Ferguson

    IPC分类号： B05D506

    CPC分类号： G02B1/10 ,  C03C17/006 ,  C03C17/25 ,  C03C2217/213 ,  C03C2217/425 ,  C03C2218/113 ,  C03C2218/32

    摘要： A method of forming a porous silica film includes the following steps: a) providing a substrate; b) coating, on a surface of the substrate, a layer of charged polyelectrolyte; and c) applying an aged silica-bearing non-colloidal solution to the coated surface of the substrate to adsorb porous silica thereon. The adsorption cycle of steps (b) and (c) is repeated a number of times to control film thickness. The age and concentration of the silica-bearing solution are selected to control the porosity and the index of refraction of the porous silica film.

    摘要翻译： 形成多孔二氧化硅膜的方法包括以下步骤：a）提供基材; b）在基材的表面上涂覆带电的聚电解质层; 以及c）将含老化的含二氧化硅的非胶体溶液施加到所述基材的涂覆表面上以在其上吸附多孔二氧化硅。 步骤（b）和（c）的吸附循环重复多次以控制膜厚度。 选择含硅溶液的年龄和浓度来控制多孔二氧化硅膜的孔隙率和折射率。