公开(公告)号：US06368567B2

公开(公告)日：2002-04-09

申请号：US09167269

申请日：1998-10-07

申请人： Paul B. Comita ,  Rekha Ranganathan ,  David K. Carlson ,  Dale R. DuBois ,  Hali J. L. Forstner

发明人： Paul B. Comita ,  Rekha Ranganathan ,  David K. Carlson ,  Dale R. DuBois ,  Hali J. L. Forstner

IPC分类号： C01B700

CPC分类号： C23C16/4412

摘要： A method and an apparatus is provided for removing wafer processing by-products from gas fluid exhaust systems utilizing an energy source placed within an exhaust channel either alone or in combination with a cleaning gas. The placement of the energy source in an exhaust channel enables emitted energy to react with wafer processing by-products to convert the by-product residues to more removable forms. Additionally provided is a cleaning gas source internal to the exhaust channel to further react with and convert exiting by-product residues to gaseous fluids.

摘要翻译： 提供了一种方法和装置，用于单独或与清洁气体组合地利用放置在排气通道内的能量源从气体流体排放系统中除去晶片加工副产物。 能量源在排气通道中的放置使得能够发射的能量与晶片加工副产物反应，以将副产物残余物转化为更可移除的形式。 另外提供了排气通道内部的清洁气体源，以进一步与离子副产物残留物反应并转化成气体流体。

公开(公告)号：US07642171B2

公开(公告)日：2010-01-05

申请号：US10990002

申请日：2004-11-16

申请人： Nitin K. Ingle ,  Zheng Yuan ,  Vikash Banthia ,  Xinyun Xia ,  Hali J. L. Forstner ,  Rong Pan

发明人： Nitin K. Ingle ,  Zheng Yuan ,  Vikash Banthia ,  Xinyun Xia ,  Hali J. L. Forstner ,  Rong Pan

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： H01L21/324 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76283

摘要： A method of annealing a substrate comprising a trench containing a dielectric material, the method including annealing the substrate at a first temperature of about 200° C. to about 800° C. in a first atmosphere comprising an oxygen containing gas, and annealing the substrate at a second temperature of about 800° C. to about 1400° C. in a second atmosphere lacking oxygen. In addition, a method of annealing a substrate comprising a trench containing a dielectric material, the method including annealing the substrate at a first temperature of about 400° C. to about 800° C. in the presence of an oxygen containing gas, purging the oxygen containing gas away from the substrate, and raising the substrate to a second temperature from about 900° C. to about 1100° C. to further anneal the substrate in an atmosphere that lacks oxygen.

摘要翻译： 一种退火包括含有电介质材料的沟槽的衬底的方法，所述方法包括在包含含氧气体的第一气氛中在大约200℃至大约800℃的第一温度下对衬底退火，以及退火衬底 在约800℃至约1400℃的第二温度下在不含氧气的第二气氛中。 另外，包括含有电介质材料的沟槽的衬底的退火方法，该方法包括在含氧气体存在下，在约400℃至约800℃的第一温度下退火衬底， 含氧气体离开衬底，并将衬底升高至约900℃至约1100℃的第二温度，以在缺氧的气氛中进一步对衬底进行退火。

公开(公告)号：US6042654A

公开(公告)日：2000-03-28

申请号：US6463

申请日：1998-01-13

申请人： Paul B. Comita ,  Hali J. L. Forstner ,  Rekha Ranganathan

发明人： Paul B. Comita ,  Hali J. L. Forstner ,  Rekha Ranganathan

IPC分类号： B01J3/00 ,  B01J19/00 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205 ,  C03C23/00 ,  B08B5/04

CPC分类号： C23C16/4405

摘要： A method of cleaning post deposition deposits from a processing chamber by providing a chlorine gas (Cl.sub.2), forming chlorine radicals and reacting the chlorine radicals with the deposits.

摘要翻译： 一种通过提供氯气（Cl2），从而形成氯自由基并使氯自由基与沉积物反应的方法，从处理室清洗沉积物沉积物。