公开(公告)号：US20080277642A1

公开(公告)日：2008-11-13

申请号：US11814800

申请日：2006-01-19

申请人： Michael A., A. In T Zandt ,  Martijn H., R. Lankhorst ,  Robertus A. M. Wolters ,  Hans Kwinten

发明人： Michael A., A. In T Zandt ,  Martijn H., R. Lankhorst ,  Robertus A. M. Wolters ,  Hans Kwinten

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1691

摘要： A phase change resistor device has a phase change material (PCM) for which the phase transition occurs inside the PCM and not at the interface with a contact electrode. For ease of manufacturing the PCM is an elongate line structure (210, 215) surrounded by the conductive electrode portions (200, 240) at its lateral sides, and is formed in a CMOS backend process. An alternative is to form the device coupled directly to other circuit parts without the electrodes. In each case, there is a line of PCM which has a constant diameter or cross section, formed with reduced dimensions by using a spacer as a hard mask. The first contact electrode and the second contact electrode are electrically connected by a “one dimensional” layer of the PCM. The contact resistance between the one-dimensional layer of PCM and the first contact electrode at the second contact electrode is lower than the resistance of a central or intervening portion of the line.

摘要翻译： 相变电阻器件具有相变材料（PCM），在该相变材料（PCM）中，相变发生在PCM内部，而不在与接触电极的界面处。 为了便于制造，PCM是由导电电极部分（200,240）在其侧面环绕的细长线结构（210,215），并且以CMOS后端工艺形成。 一种替代方案是形成直接连接到没有电极的其它电路部件的装置。 在每种情况下，存在具有恒定直径或横截面的PCM线，其通过使用间隔件作为硬掩模以减小的尺寸形成。 第一接触电极和第二接触电极通过PCM的“一维”层电连接。 PCM的一维层和第二接触电极处的第一接触电极之间的接触电阻低于线的中心部分或中间部分的电阻。

公开(公告)号：US08257912B2

公开(公告)日：2012-09-04

申请号：US12375945

申请日：2007-07-31

申请人： Hans Kwinten ,  Peter Zandbergen ,  David Van Steenwinckel ,  Anja Vanleenhove

发明人： Hans Kwinten ,  Peter Zandbergen ,  David Van Steenwinckel ,  Anja Vanleenhove

IPC分类号： G03F7/26

CPC分类号： G03F7/38

摘要： The invention relates to a method of photolithography comprising the steps of: providing a substrate and forming a layer of a photoresist on the substrate, performing a first exposure in which a predetermined part of the layer of photoresist is irradiated through a mask having a pattern for forming a latent image of said pattern in the layer of the photoresist, performing a pretreatment on the layer of the photoresist to remove a predetermined part of the latent image before performing the fixation. The method provides an improved process window. The invention further relates to a photoresist for use within the method of the invention.

摘要翻译： 本发明涉及一种光刻方法，包括以下步骤：提供衬底并在衬底上形成光致抗蚀剂层，进行第一曝光，其中光刻胶层的预定部分通过具有图案的掩模照射 在光致抗蚀剂层中形成所述图案的潜像，在执行定影之前对光致抗蚀剂层进行预处理以去除潜像的预定部分。 该方法提供了一个改进的过程窗口。 本发明还涉及在本发明的方法中使用的光致抗蚀剂。

公开(公告)号：US20090311623A1

公开(公告)日：2009-12-17

申请号：US12375945

申请日：2007-07-31

申请人： Hans Kwinten ,  Peter Zanbergen ,  David Van Steenwinckel ,  Anja Monique Vanleenhove

发明人： Hans Kwinten ,  Peter Zanbergen ,  David Van Steenwinckel ,  Anja Monique Vanleenhove

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F7/004

CPC分类号： G03F7/38

摘要： The invention relates to a method of photolithography comprising the steps of: providing a substrate and forming a layer of a photoresist (100) on the substrate, performing a first exposure (120) in which a predetermined part of the layer of photoresist is irradiated through a mask having a pattern for forming a latent image of said pattern in the layer of the photoresist, performing a pretreatment (130) on the layer of the photoresist to remove a predetermined part of the latent image before performing the fixation (140). The method provides an improved process window. The invention further relates to a photoresist for use within the method of the invention.

摘要翻译： 本发明涉及一种光刻方法，包括以下步骤：提供衬底并在衬底上形成光致抗蚀剂层（100），进行第一曝光（120），其中光刻胶层的预定部分被照射通过 具有用于在所述光致抗蚀剂层中形成所述图案的潜像的图案的掩模，在进行所述固定（140）之前对所述光致抗蚀剂层进行预处理（130）以去除所述潜像的预定部分。 该方法提供了一个改进的过程窗口。 本发明还涉及在本发明的方法中使用的光致抗蚀剂。