-
1.发明授权公开(公告)号：US08117986B2
公开(公告)日：2012-02-21
申请号：US11581000
申请日：2006-10-16
IPC分类号： C23C16/00
CPC分类号： H01J37/32477 , Y10S156/916
摘要： The present invention presents an improved deposition shield for surrounding a process space in a plasma processing system, wherein the design and fabrication of the deposition shield advantageously provides for a clean processing plasma in the process space with substantially minimal erosion of the deposition shield.
摘要翻译： 本发明提出了一种用于围绕等离子体处理系统中的处理空间的改进的沉积屏蔽，其中沉积屏蔽的设计和制造有利地在处理空间中提供清洁的处理等离子体，同时具有基本上最小的沉积屏蔽侵蚀。
-
2.发明授权Method and apparatus for an improved bellows shield in a plasma processing system 有权用于等离子体处理系统中改进的波纹管屏蔽的方法和装置公开(公告)号：US07678226B2
公开(公告)日：2010-03-16
申请号：US11671282
申请日：2007-02-05
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/32477
摘要： The present invention presents an improved bellows shield for a plasma processing system, wherein the design and fabrication of the bellows shield coupled to a substrate holder electrode advantageously provides protection of a bellows with substantially minimal erosion of the bellows shield.
摘要翻译： 本发明提出了一种用于等离子体处理系统的改进的波纹管屏蔽，其中耦合到衬底保持器电极的波纹管屏蔽的设计和制造有利地提供对波纹管屏蔽的基本上最小的侵蚀的波纹管的保护。
-
3.发明授权Method and apparatus for an improved upper electrode plate in a plasma processing system 有权等离子体处理系统中改进的上电极板的方法和装置公开(公告)号：US07166200B2
公开(公告)日：2007-01-23
申请号：US10259757
申请日：2002-09-30
IPC分类号： C23C14/00
CPC分类号： H01J37/32009 , H01J37/3244 , H01J37/3255
摘要： The present invention presents an improved upper electrode for a plasma processing system, wherein the design and fabrication of an electrode plate coupled to an upper assembly advantageously provides gas injection of a process gas with substantially minimal erosion of the electrode plate.
摘要翻译： 本发明提出了一种用于等离子体处理系统的改进的上电极，其中耦合到上部组件的电极板的设计和制造有利地提供了对电极板的基本上最小的侵蚀的工艺气体的气体注入。
-
4.发明授权Method and apparatus for an improved deposition shield in a plasma processing system 有权用于等离子体处理系统中改进的沉积屏蔽的方法和装置公开(公告)号：US07137353B2
公开(公告)日：2006-11-21
申请号：US10259353
申请日：2002-09-30
IPC分类号： C23C16/00
CPC分类号： H01J37/32477 , Y10S156/916
摘要： The present invention presents an improved deposition shield for surrounding a process space in a plasma processing system, wherein the design and fabrication of the deposition shield advantageously provides for a clean processing plasma in the process space with substantially minimal erosion of the deposition shield.
摘要翻译： 本发明提出了一种用于围绕等离子体处理系统中的处理空间的改进的沉积屏蔽，其中沉积屏蔽的设计和制造有利地在处理空间中提供清洁的处理等离子体，同时具有基本上最小的沉积屏蔽侵蚀。
-
5.发明授权Method and apparatus for an improved optical window deposition shield in a plasma processing system 有权用于等离子体处理系统中改进的光学窗口沉积屏蔽的方法和装置公开(公告)号：US07811428B2
公开(公告)日：2010-10-12
申请号：US11620289
申请日：2007-01-05
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/32458 , H01J37/32495 , H01J37/32972
摘要： The present invention presents an improved optical window deposition shield for optical access to a process space in a plasma processing system through a deposition shield, wherein the design and fabrication of the optical window deposition shield advantageously provides an optically clean access to the processing plasma in the process space while sustaining substantially minimal erosion of the optical window deposition shield.
摘要翻译： 本发明提出了一种改进的光学窗口沉积屏蔽，用于通过沉积屏蔽件对等离子体处理系统中的处理空间进行光学访问，其中光学窗口沉积屏蔽的设计和制造有利地提供光学干净地访问处理等离子体 同时维持光学窗口沉积屏蔽的基本上最小的侵蚀。
-
6.发明申请Method and apparatus for an improved deposition shield in a plasma processing system 有权用于等离子体处理系统中改进的沉积屏蔽的方法和装置公开(公告)号：US20070028839A1
公开(公告)日：2007-02-08
申请号：US11581000
申请日：2006-10-16
CPC分类号： H01J37/32477 , Y10S156/916
摘要： The present invention presents an improved deposition shield for surrounding a process space in a plasma processing system, wherein the design and fabrication of the deposition shield advantageously provides for a clean processing plasma in the process space with substantially minimal erosion of the deposition shield.
摘要翻译： 本发明提出了一种用于围绕等离子体处理系统中的处理空间的改进的沉积屏蔽，其中沉积屏蔽的设计和制造有利地在处理空间中提供清洁的处理等离子体，同时具有基本上最小的沉积屏蔽侵蚀。
-
7.发明授权Method and apparatus for an improved optical window deposition shield in a plasma processing system 有权用于等离子体处理系统中改进的光学窗口沉积屏蔽的方法和装置公开(公告)号：US06798519B2
公开(公告)日：2004-09-28
申请号：US10259352
申请日：2002-09-30
IPC分类号： G01N2123
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/32458 , H01J37/32495 , H01J37/32972
摘要： The present invention presents an improved optical window deposition shield an improved optical window deposition shield for optical access to a process space in a plasma processing system through a deposition shield, wherein the design and fabrication of the optical window deposition shield advantageously provides an optically clean access to the processing plasma in the process space while sustaining substantially minimal erosion of the optical window deposition shield.
摘要翻译： 本发明提出了一种改进的光学窗口沉积屏蔽，用于通过沉积屏蔽对光学访问等离子体处理系统中的处理空间的改进的光学窗口沉积屏蔽，其中光学窗口沉积屏蔽的设计和制造有利地提供光学干净的访问 涉及在处理空间中处理等离子体，同时维持基本上最小的光学窗口沉积屏蔽的侵蚀。
-
8.发明授权Method and apparatus for an improved upper electrode plate in a plasma processing system 有权等离子体处理系统中改进的上电极板的方法和装置公开(公告)号：US07566368B2
公开(公告)日：2009-07-28
申请号：US11567023
申请日：2006-12-05
CPC分类号： H01J37/32009 , H01J37/3244 , H01J37/3255
摘要： The present invention presents an improved upper electrode for a plasma processing system, wherein the design and fabrication of an electrode plate coupled to an upper assembly advantageously provides gas injection of a process gas with substantially minimal erosion of the electrode plate.
摘要翻译： 本发明提出了一种用于等离子体处理系统的改进的上电极，其中耦合到上部组件的电极板的设计和制造有利地提供了对电极板的基本上最小的侵蚀的工艺气体的气体注入。
-
9.发明授权Method and apparatus for an improved bellows shield in a plasma processing system 有权用于等离子体处理系统中改进的波纹管屏蔽的方法和装置公开(公告)号：US07204912B2
公开(公告)日：2007-04-17
申请号：US10259306
申请日：2002-09-30
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/32477
摘要： The present invention presents an improved bellows shield for a plasma processing system, wherein the design and fabrication of the bellows shield coupled to a substrate holder electrode advantageously provides protection of a bellows with substantially minimal erosion of the bellows shield.
摘要翻译： 本发明提出了一种用于等离子体处理系统的改进的波纹管屏蔽，其中耦合到衬底保持器电极的波纹管屏蔽的设计和制造有利地提供对波纹管屏蔽的基本上最小的侵蚀的波纹管的保护。
-
10.发明申请METHOD AND APPARATUS FOR AN IMPROVED BELLOWS SHIELD IN A PLASMA PROCESSING SYSTEM 有权用于改进等离子体处理系统中的贝壳屏蔽的方法和装置公开(公告)号：US20070125494A1
公开(公告)日：2007-06-07
申请号：US11671282
申请日：2007-02-05
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/32477
摘要： The present invention presents an improved bellows shield for a plasma processing system, wherein the design and fabrication of the bellows shield coupled to a substrate holder electrode advantageously provides protection of a bellows with substantially minimal erosion of the bellows shield.
摘要翻译： 本发明提出了一种用于等离子体处理系统的改进的波纹管屏蔽，其中耦合到衬底保持器电极的波纹管屏蔽的设计和制造有利地提供对波纹管屏蔽的基本上最小的侵蚀的波纹管的保护。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
16 条记录 (耗时 0.015 秒)
