公开(公告)号：US20060211259A1

公开(公告)日：2006-09-21

申请号：US11087079

申请日：2005-03-21

申请人： Jan Maes ,  Hilde Witte ,  Christophe Pomarede

发明人： Jan Maes ,  Hilde Witte ,  Christophe Pomarede

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/28194 ,  C23C16/401 ,  C23C16/405 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/482 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： A method for forming an integrated circuit structure on a semiconductor substrate comprises depositing a high k gate dielectric material over the substrate using an atomic layer deposition process. A silicon oxide capping layer is deposited over the gate dielectric material in a rapid thermal chemical vapor deposition process. A gate electrode is formed over the silicon oxide capping layer.

摘要翻译： 一种用于在半导体衬底上形成集成电路结构的方法包括使用原子层沉积工艺在衬底上沉积高k栅极电介质材料。 在快速热化学气相沉积工艺中，在栅极电介质材料上沉积氧化硅覆盖层。 在氧化硅覆盖层上形成栅电极。