公开(公告)号：US06967357B1

公开(公告)日：2005-11-22

申请号：US09684904

申请日：2000-10-10

申请人： Hironobu Kon ,  Yoshinori Iwano ,  Mitsuhiko Kitagawa ,  Shigeru Hasegawa ,  Michiaki Hiyoshi

发明人： Hironobu Kon ,  Yoshinori Iwano ,  Mitsuhiko Kitagawa ,  Shigeru Hasegawa ,  Michiaki Hiyoshi

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L23/48 ,  H01L27/04 ,  H01L29/739 ,  H03K17/16 ,  H01L29/74 ,  H01L31/111

CPC分类号： H01L24/72 ,  H01L29/7397 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H03K17/168 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48

摘要： A voltage-driven power semiconductor device includes a voltage-driven IEGT chip, a collector electrode plate, an emitter electrode plate, and an inductance material. The collector electrode plate is connected to the collector of the IEGT chip, and press-contacts the IEGT chip from its collector side. The emitter electrode plate press-contacts the IEGT chip from its emitter side. The inductance material has an inductance component and connects the emitter of the IEGT chip and the emitter electrode plate. In the voltage-driven power semiconductor device having this arrangement, an induced electromotive force is generated in the inductance material arranged between the emitter of the IEGT chip and the emitter electrode plate. This induced electromotive force can suppress a steep current change (di/dt) upon an OFF operation, and can further suppress a steep voltage change (dv/dt) caused by the current change (di/dt).

摘要翻译： 电压驱动功率半导体器件包括电压驱动的IEGT芯片，集电极板，发射极电极板和电感材料。 集电极板与IEGT芯片的集电极连接，并从集电极侧压接IEGT芯片。 发射极电极板从发射极侧压接IEGT芯片。 电感材料具有电感元件并连接IEGT芯片的发射极和发射极电极板。 在具有这种结构的电压驱动功率半导体器件中，在配置在IEGT芯片的发射极和发射极电极板之间的电感材料中产生感应电动势。 该感应电动势可以抑制在OFF操作时的陡峭电流变化（di / dt），并且可以进一步抑制由电流变化（di / dt）引起的陡峭的电压变化（dv / dt）。

公开(公告)号：US6147368A

公开(公告)日：2000-11-14

申请号：US115238

申请日：1998-07-14

申请人： Hironobu Kon ,  Yoshinoro Iwano ,  Mitsuhiko Kitagawa ,  Shigeru Hasegawa ,  Michiaki Hiyoshi

发明人： Hironobu Kon ,  Yoshinoro Iwano ,  Mitsuhiko Kitagawa ,  Shigeru Hasegawa ,  Michiaki Hiyoshi

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L23/48 ,  H01L27/04 ,  H01L29/739 ,  H03K17/16 ,  H01L29/74 ,  H01L31/111

CPC分类号： H01L24/72 ,  H01L29/7397 ,  H03K17/168 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107

摘要： A voltage-driven power semiconductor device includes a voltage-driven IEGT chip, a collector electrode plate, an emitter electrode plate, and an inductance material. The collector electrode plate is connected to the collector of the IEGT chip, and press-contacts the IEGT chip from its collector side. The emitter electrode plate press-contacts the IEGT chip from its emitter side. The inductance material has an inductance component and connects the emitter of the IEGT chip and the emitter electrode plate. In the voltage-driven power semiconductor device having this arrangement, an induced electromotive force is generated in the inductance material arranged between the emitter of the IEGT chip and the emitter electrode plate. This induced electromotive force can suppress a steep current change (di/dt) upon an OFF operation, and can further suppress a steep voltage change (dv/dt) caused by the current change (di/dt).

摘要翻译： 电压驱动功率半导体器件包括电压驱动的IEGT芯片，集电极板，发射极电极板和电感材料。 集电极板与IEGT芯片的集电极连接，并从集电极侧压接IEGT芯片。 发射极电极板从发射极侧压接IEGT芯片。 电感材料具有电感元件并连接IEGT芯片的发射极和发射极电极板。 在具有这种结构的电压驱动功率半导体器件中，在配置在IEGT芯片的发射极和发射极电极板之间的电感材料中产生感应电动势。 该感应电动势可以抑制在OFF操作时的陡峭电流变化（di / dt），并且可以进一步抑制由电流变化（di / dt）引起的陡峭的电压变化（dv / dt）。