公开(公告)号：US20110259914A1

公开(公告)日：2011-10-27

申请号：US13092744

申请日：2011-04-22

申请人： Kang Joon LEE ,  Ho Kyung Park

发明人： Kang Joon LEE ,  Ho Kyung Park

IPC分类号： B65D35/22 ,  B32B38/00

CPC分类号： B29D22/003 ,  B29C53/40 ,  B29C65/3644 ,  B29C65/3656 ,  B29C65/368 ,  B29C66/112 ,  B29C66/131 ,  B29C66/43123 ,  B29C66/432 ,  B29C66/4322 ,  B29C66/5412 ,  B29C66/547 ,  B29C66/71 ,  B29C66/72321 ,  B29C67/0014 ,  B29D23/20 ,  B29L2023/20 ,  B29L2031/601 ,  B65B3/027 ,  B65B2220/16 ,  B65B2230/02 ,  B65D35/10 ,  B65D35/22 ,  Y10T156/1054 ,  B29K2023/06

摘要： A dual-structure tube vessel and a method of producing the tube vessel are disclosed. The dual-structure tube vessel includes a cylindrical vessel body and a neck integrated with the vessel body into a single structure, and further includes: a body partitioning sheet provided in the vessel body and partitioning the interior of the vessel body into two sections; and a neck partitioning sheet provided in the neck and partitioning the interior of the neck into two sections. The vessel body and the body partitioning sheet may be fabricated using three sheets of material or one sheet of material. Further, the body partitioning sheet has a width equal to an inner circumference of a larger one of the two sections of the vessel body. Further, each of the vessel body and the body partitioning sheet is made of a threefold laminated sheet with a polyethylene/aluminum/polyethylene layered structure.

摘要翻译： 公开了一种双重结构的管式容器及其制造方法。 双结构管容器包括圆柱形容器主体和与容器主体成一体的颈部成为单一结构，并且还包括：设置在容器主体中并将容器主体内部分隔成两部分的主体分隔片; 颈部分隔片设置在颈部并将颈部内部分成两部分。 容器体和身体分隔片可以使用三片材料或一片材料制造。 此外，主体分隔片的宽度等于容器主体的两个部分中较大的一个的内周。 此外，容器主体和身体分隔片中的每一个由具有聚乙烯/铝/聚乙烯层状结构的三层叠片制成。

公开(公告)号：US20080166865A1

公开(公告)日：2008-07-10

申请号：US12021181

申请日：2008-01-28

申请人： Hyun-Sang Hwang ,  Ho-Kyung Park ,  Man Jang ,  Min-Seok Jo

发明人： Hyun-Sang Hwang ,  Ho-Kyung Park ,  Man Jang ,  Min-Seok Jo

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L21/28282

摘要： A method of fabricating a flash memory is provided. The method includes forming a tunneling insulating film, a charge storage film, and a blocking insulating film on a semiconductor substrate; performing High Temperature (HT) anneal for the resultant semiconductor substrate; and performing Low Temperature (LT) wet vapor anneal for the resultant semiconductor substrate.

摘要翻译： 提供一种制造闪速存储器的方法。 该方法包括在半导体衬底上形成隧道绝缘膜，电荷存储膜和阻挡绝缘膜; 对所得半导体衬底进行高温（HT）退火; 并对所得的半导体衬底进行低温（LT）湿蒸气退火。

公开(公告)号：US07528039B2

公开(公告)日：2009-05-05

申请号：US12021181

申请日：2008-01-28

申请人： Hyun-Sang Hwang ,  Ho-Kyung Park ,  Man Jang ,  Min-Seok Jo

发明人： Hyun-Sang Hwang ,  Ho-Kyung Park ,  Man Jang ,  Min-Seok Jo

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/28282

摘要： A method of fabricating a flash memory is provided. The method includes forming a tunneling insulating film, a charge storage film, and a blocking insulating film on a semiconductor substrate; performing High Temperature (HT) anneal for the resultant semiconductor substrate; and performing Low Temperature (LT) wet vapor anneal for the resultant semiconductor substrate.

摘要翻译： 提供一种制造闪速存储器的方法。 该方法包括在半导体衬底上形成隧道绝缘膜，电荷存储膜和阻挡绝缘膜; 对所得半导体衬底进行高温（HT）退火; 并对所得的半导体衬底进行低温（LT）湿蒸气退火。