公开(公告)号：USD681561S1

公开(公告)日：2013-05-07

申请号：US29418971

申请日：2012-04-24

Applicant: Chien-Fu Shen ,  Tsun-Kai Ko ,  Hui-Chun Yeh

Designer： Chien-Fu Shen ,  Tsun-Kai Ko ,  Hui-Chun Yeh

公开(公告)号：US20120049227A1

公开(公告)日：2012-03-01

申请号：US13221369

申请日：2011-08-30

Applicant: Chao-Hsing CHEN ,  Yu-Chen Yang ,  Li-Ping Jou ,  Hui-Chun Yeh ,  Yi-Wen Ku

Inventor： Chao-Hsing CHEN ,  Yu-Chen Yang ,  Li-Ping Jou ,  Hui-Chun Yeh ,  Yi-Wen Ku

IPC: H01L33/60

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L33/0012 ,  H01L33/20 ,  H01L33/30 ,  H01L33/38 ,  H01L33/382 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62

Abstract: A light-emitting device of an embodiment of the present application comprises a semiconductor layer sequence provided with a first main side, a second main side, and an active layer; a beveled trench formed in the semiconductor layer sequence, having a top end close to the second main side, a bottom end, and an inner sidewall connecting the top end and the bottom end. In the embodiment, the inner sidewall is an inclined surface. The light-emitting device further comprises a dielectric layer disposed on the inner sidewall of the beveled trench and the second main side; a first metal layer formed on the dielectric layer; a carrier substrate; and a first connection layer connecting the carrier substrate and the semiconductor layer sequence.

Abstract translation: 本申请的实施例的发光装置包括设置有第一主侧，第二主侧和有源层的半导体层序列; 形成在半导体层序列中的倾斜沟槽，具有靠近第二主侧的顶端，底端以及连接顶端和底端的内侧壁。 在该实施例中，内侧壁是倾斜表面。 发光装置还包括设置在斜面沟槽和第二主侧的内侧壁上的电介质层; 形成在所述电介质层上的第一金属层; 载体基板; 以及连接载体衬底和半导体层序列的第一连接层。

公开(公告)号：USD681568S1

公开(公告)日：2013-05-07

申请号：US29423291

申请日：2012-05-30

Applicant: Hui-chun Yeh ,  Chien-Fu Shen ,  Tsun-Kai Ko

Designer： Hui-chun Yeh ,  Chien-Fu Shen ,  Tsun-Kai Ko

公开(公告)号：USD681565S1

公开(公告)日：2013-05-07

申请号：US29423246

申请日：2012-05-30

Applicant: Hui-chun Yeh ,  Chien-Fu Shen ,  Tsun-Kai Ko

Designer： Hui-chun Yeh ,  Chien-Fu Shen ,  Tsun-Kai Ko

公开(公告)号：USD681562S1

公开(公告)日：2013-05-07

申请号：US29418974

申请日：2012-04-24

Applicant: Chien-Fu Shen ,  Tsun-Kai Ko ,  Hui-Chun Yeh

Designer： Chien-Fu Shen ,  Tsun-Kai Ko ,  Hui-Chun Yeh

公开(公告)号：US20130049051A1

公开(公告)日：2013-02-28

申请号：US13596528

申请日：2012-08-28

Applicant: Jia-Kuen Wang ,  Chien-Fu Shen ,  Chao-Hsing Chen ,  Yu-Chen Yang ,  Hui-Chun Yeh ,  Yl-Wen Ku ,  Hung-Che Chen ,  Chih-Nan Lin

Inventor： Jia-Kuen Wang ,  Chien-Fu Shen ,  Chao-Hsing Chen ,  Yu-Chen Yang ,  Hui-Chun Yeh ,  Yl-Wen Ku ,  Hung-Che Chen ,  Chih-Nan Lin

IPC: H01L33/60

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L33/385 ,  H01L33/42 ,  H01L33/44

Abstract: Disclosed is a light-emitting device comprising: a semiconductor stack layer; a reflective layer on the semiconductor stack layer; a first buffer layer comprising a compound comprising a metallic element and a non-metallic element on the reflective layer; a first electrode; and an electrical insulating layer disposed between the first buffer layer and the first electrode.

Abstract translation: 公开了一种发光器件，包括：半导体叠层层; 半导体堆叠层上的反射层; 第一缓冲层，包括在反射层上包含金属元素和非金属元素的化合物; 第一电极; 以及设置在第一缓冲层和第一电极之间的电绝缘层。

公开(公告)号：USD684550S1

公开(公告)日：2013-06-18

申请号：US29424224

申请日：2012-06-08

Applicant: Hui-chun Yeh ,  Chien-fu Shen ,  Tsun-kai Ko

Designer： Hui-chun Yeh ,  Chien-fu Shen ,  Tsun-kai Ko

公开(公告)号：USD681569S1

公开(公告)日：2013-05-07

申请号：US29425030

申请日：2012-06-19

Applicant: Hui-chun Yeh ,  Chien-Fu Shen ,  Tsun-Kai Ko

Designer： Hui-chun Yeh ,  Chien-Fu Shen ,  Tsun-Kai Ko

公开(公告)号：USD681560S1

公开(公告)日：2013-05-07

申请号：US29418970

申请日：2012-04-24

Applicant: Chien-Fu Shen ,  Tsun-Kai Ko ,  Hui-Chun Yeh

Designer： Chien-Fu Shen ,  Tsun-Kai Ko ,  Hui-Chun Yeh

公开(公告)号：USD689447S1

公开(公告)日：2013-09-10

申请号：US29418973

申请日：2012-04-24

Applicant: Chien-Fu Shen ,  Tsun-Kai Ko ,  Hui-Chun Yeh

Designer： Chien-Fu Shen ,  Tsun-Kai Ko ,  Hui-Chun Yeh