公开(公告)号：US08053773B2

公开(公告)日：2011-11-08

申请号：US12155106

申请日：2008-05-29

申请人： Hyun-soo Shin ,  Yeon-gon Mo ,  Jae-kyeong Jeong ,  Jin-seong Park ,  Hun-jung Lee ,  Jong-han Jeong

发明人： Hyun-soo Shin ,  Yeon-gon Mo ,  Jae-kyeong Jeong ,  Jin-seong Park ,  Hun-jung Lee ,  Jong-han Jeong

IPC分类号： H01L29/49 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/78606 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/501 ,  G02F2202/10 ,  H01L27/12 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

摘要： A thin film transistor includes a gate electrode, a first insulating layer on the gate electrode, a semiconductor layer on the gate electrode and separated from the gate electrode by the first insulating layer, the semiconductor layer including a channel region corresponding to the gate electrode, a source region, and a drain region, a hydrogen diffusion barrier layer on the semiconductor layer, the hydrogen diffusion barrier layer covering the channel region and exposing the source and drain regions, and a second insulation layer on the source and drain regions and on the hydrogen diffusion barrier layer, such that the hydrogen diffusion barrier layer is between the second insulation layer and the channel region.

摘要翻译： 薄膜晶体管包括栅电极，栅电极上的第一绝缘层，栅电极上的半导体层，并通过第一绝缘层与栅电极分离，半导体层包括与栅电极相对应的沟道区， 源极区域和漏极区域，在半导体层上的氢扩散阻挡层，覆盖沟道区域的氢扩散阻挡层和暴露源极和漏极区域，以及在源极和漏极区域上以及在源极区域和漏极区域上的第二绝缘层 氢扩散阻挡层，使得氢扩散阻挡层位于第二绝缘层和沟道区之间。

公开(公告)号：US08030844B2

公开(公告)日：2011-10-04

申请号：US11407018

申请日：2006-04-19

申请人： Hyun-Soo Shin ,  Jae-Bon Koo ,  Yeon-Gon Mo ,  Jae-Kyeong Jeong

发明人： Hyun-Soo Shin ,  Jae-Bon Koo ,  Yeon-Gon Mo ,  Jae-Kyeong Jeong

IPC分类号： H01L51/00 ,  H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56 ,  H01J9/26 ,  H01J9/32

CPC分类号： H01L51/0097 ,  H01L51/5243 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/5253 ,  H01L2251/5315 ,  H01L2251/5338 ,  H01L2251/566 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

摘要： Provided is a flat panel display which has improved flexibility by using a metal substrate or a conductive substrate, wherein the substrate is protected from external exposure. Also provided is a method of manufacturing the flat panel display. The flat panel display includes a substrate, a first insulator with which one surface of the substrate is covered, a display unit disposed on the other surface of the substrate, and a second insulator with which edges of the substrate are covered to prevent exposure.

摘要翻译： 提供一种平板显示器，其通过使用金属基板或导电基板具有改进的柔性，其中基板被保护免受外部曝光。 还提供了一种制造平板显示器的方法。 平板显示器包括基板，覆盖基板的一个表面的第一绝缘体，设置在基板的另一个表面上的显示单元和覆盖基板的边缘以防止曝光的第二绝缘体。

公开(公告)号：US08016513B2

公开(公告)日：2011-09-13

申请号：US12593761

申请日：2008-01-17

申请人： Hyun-Soo Shin

发明人： Hyun-Soo Shin

IPC分类号： E01F15/00

CPC分类号： E01F15/146

摘要： An apparatus for absorbing the impact of a vehicle collision is disclosed. The apparatus includes a partition moving speed control member (10), which is provided in the frontmost partition, and a guide rod (20), which is inserted into a hole (10a) in the member (10), such that the front end of the guide rod is fastened to rails, and the rear end of the guide rod does not reach the rearmost partition. The apparatus further includes a locking rod (120), which is coupled to the guide rod (20) such that the rear end of the locking rod (120) is placed through the rearmost partition, and a locker, which is provided on the rearmost partition so that, when the vehicle collision occurs, the locking rod freely passes over the locker, but, after the vehicle collision is finished, the locking rod is prevented from being returned to the original position thereof.

摘要翻译： 公开了一种用于吸收车辆碰撞冲击的装置。 该装置包括设置在最前面的隔板中的分隔移动速度控制构件（10）和插入到构件（10）中的孔（10a）中的导向杆（20），使得前端 导杆固定在导轨上，导杆后端未到达最后面的分隔。 该装置还包括锁定杆（120），该锁定杆联接到导杆（20），使得锁定杆（120）的后端通过最后面的分隔件放置，并且储物柜设置在最后面 使得当发生车辆碰撞时，锁定杆自由地通过储物柜，但是在车辆碰撞完成之后，防止锁定杆返回到其初始位置。

公开(公告)号：US07915101B2

公开(公告)日：2011-03-29

申请号：US12118345

申请日：2008-05-09

申请人： Jae-kyeong Jeong ,  Yeon-gon Mo ,  Jin-seong Park ,  Hyun-soo Shin ,  Hun-jung Lee ,  Jong-han Jeong

发明人： Jae-kyeong Jeong ,  Yeon-gon Mo ,  Jin-seong Park ,  Hyun-soo Shin ,  Hun-jung Lee ,  Jong-han Jeong

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/84 ,  H01L29/10 ,  H01L29/12

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/66969

摘要： Thin film transistors and organic light emitting displays using the same are provided. The thin film transistor may include a substrate, a semiconductor layer, a gate electrode, and source/drain electrodes on the substrate. The semiconductor layer is composed of a P-type semiconductor layer obtained by diffusing phosphorus into a zinc oxide semiconductor. The phosphorus is doped in the semiconductor layer to a concentration ranging from about 1×1014 to about 1×1018 cm−3.

摘要翻译： 提供薄膜晶体管和使用其的有机发光显示器。 薄膜晶体管可以包括衬底，半导体层，栅电极和衬底上的源/漏电极。 半导体层由将磷扩散到氧化锌半导体中而获得的P型半导体层构成。 磷在半导体层中掺杂至约1×1014至约1×1018cm-3的浓度。

公开(公告)号：US07903187B2

公开(公告)日：2011-03-08

申请号：US11635501

申请日：2006-12-08

申请人： Hyun Soo Shin ,  Yeon Gon Mo ,  Jae Kyeong Jeong ,  Se Yeoul Kwon

发明人： Hyun Soo Shin ,  Yeon Gon Mo ,  Jae Kyeong Jeong ,  Se Yeoul Kwon

IPC分类号： G02F1/1333 ,  H01L27/13

CPC分类号： H01L27/0248 ,  G02F1/136204 ,  H01L27/12 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3276

摘要： A static electricity preventing assembly for an electronic device, may include a substrate, a buffer layer on the substrate, the buffer layer including a plurality of contact holes exposing respective regions of the substrate, a shorting bar on the buffer layer, pad electrodes on the buffer layer, metal wiring lines on the buffer layer, wherein a first portion of each of the metal wiring lines may be electrically connected to the substrate through the contact holes, a second portion of each of the metal wiring lines may be connected to a respective one of the pad electrodes, and a third portion of each of the metal wiring lines may be connected to the shorting bar, wherein the first portion may be between the second portion and the third portion.

摘要翻译： 一种用于电子设备的静电防止组件可以包括衬底，衬底上的缓冲层，缓冲层包括暴露衬底各自区域的多个接触孔，缓冲层上的短路棒， 缓冲层，缓冲层上的金属布线，其中每个金属布线的第一部分可以通过接触孔电连接到基板，每个金属布线的第二部分可以连接到相应的 焊盘电极中的一个，并且每个金属布线的第三部分可以连接到短路棒，其中第一部分可以在第二部分和第三部分之间。

公开(公告)号：US07803699B2

公开(公告)日：2010-09-28

申请号：US11507606

申请日：2006-08-22

申请人： Jae Kyeong Jeong ,  Hyun Soo Shin ,  Yeon Gon Mo

发明人： Jae Kyeong Jeong ,  Hyun Soo Shin ,  Yeon Gon Mo

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765

摘要： A polysilicon thin film transistor (TFT) may include a substrate, at least one insulating layer, a semiconductor layer, a gate electrode, a source electrode, a drain electrode, and a heat retaining layer formed to contact the semiconductor layer. The heat retaining layer may reduce and/or prevent a reduction in a melt duration time of amorphous silicon during a crystallization process for forming a polysilicon layer of the TFT.

摘要翻译： 多晶硅薄膜晶体管（TFT）可以包括基板，至少一个绝缘层，半导体层，栅电极，源电极，漏电极和形成为接触半导体层的保温层。 在用于形成TFT的多晶硅层的结晶工艺期间，保温层可以减少和/或防止非晶硅的熔融持续时间的减少。

公开(公告)号：US07593086B2

公开(公告)日：2009-09-22

申请号：US11523607

申请日：2006-09-20

申请人： Jae-Kyeong Jeong ,  Jae-Bon Koo ,  Hyun-Soo Shin ,  Se-Yeoul Kwon ,  Yeon-Gon Mo

发明人： Jae-Kyeong Jeong ,  Jae-Bon Koo ,  Hyun-Soo Shin ,  Se-Yeoul Kwon ,  Yeon-Gon Mo

IPC分类号： G02F1/1345

CPC分类号： H01L27/3276 ,  H01L2251/5338

摘要： A flexible flat panel display prevents electronic units, such as a flexible printed circuit board and a driving IC, from being separated from the flexible flat panel display even when the display unit is bent. The flexible flat panel display includes: a flexible display unit including a display area adapted to display an image, a first side and a second side parallel to edges of the display area, and a third side and a fourth side perpendicular to the first and second sides, the third side and the fourth being adapted to being bent; and electronic units arranged solely on at least one of the first and second sides and absent the third and fourth sides.

摘要翻译： 即使显示单元弯曲，柔性平板显示器也可防止电子单元，例如柔性印刷电路板和驱动IC与柔性平板显示器分离。 柔性平板显示器包括：柔性显示单元，包括适于显示图像的显示区域，平行于显示区域边缘的第一侧面和第二侧面，以及垂直于第一和第二侧面的第三侧面和第四侧面 侧面，第三面和第四面适于弯曲; 以及仅在第一和第二侧中的至少一个上排列并且不存在第三和第四侧的电子单元。

公开(公告)号：US20090057674A1

公开(公告)日：2009-03-05

申请号：US12222497

申请日：2008-08-11

申请人： Jong-han Jeong ,  Jae-kyeong Jeong ,  Yeon-gon Mo ,  Jin-seong Park ,  Hun-jung Lee ,  Hyun-soo Shin

发明人： Jong-han Jeong ,  Jae-kyeong Jeong ,  Yeon-gon Mo ,  Jin-seong Park ,  Hun-jung Lee ,  Hyun-soo Shin

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： A thin film transistor (TFT) includes an N-type oxide semiconductor layer on a substrate, a gate electrode spaced apart from the N-type oxide semiconductor layer by a gate dielectric layer, a source electrode contacting a first portion of the N-type oxide semiconductor layer, and a drain electrode contacting a second portion of the N-type oxide semiconductor layer. The first and second portions each have a doped region containing ions of at least one Group 1 element, and the ions of the at least one Group 1 element in the doped region may have a work function that is less than that of an N-type oxide semiconductor material included in the semiconductor layer.

摘要翻译： 薄膜晶体管（TFT）包括在基板上的N型氧化物半导体层，通过栅极电介质层与N型氧化物半导体层间隔开的栅电极，与N型氧化物半导体层的第一部分接触的源电极 氧化物半导体层，以及与N型氧化物半导体层的第二部分接触的漏电极。 第一和第二部分各自具有包含至少一个第一族元素的离子的掺杂区，并且掺杂区中的至少一个第一族元素的离子可具有小于N型的功函数 氧化物半导体材料。

公开(公告)号：US20080303020A1

公开(公告)日：2008-12-11

申请号：US12155106

申请日：2008-05-29

申请人： Hyun-soo Shin ,  Yeon-gon Mo ,  Jae-kyeong Jeong ,  Jin-seong Park ,  Hun-jung Lee ,  Jong-han Jeong

发明人： Hyun-soo Shin ,  Yeon-gon Mo ,  Jae-kyeong Jeong ,  Jin-seong Park ,  Hun-jung Lee ,  Jong-han Jeong

IPC分类号： H01L29/49 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/78606 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/501 ,  G02F2202/10 ,  H01L27/12 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

摘要： A thin film transistor includes a gate electrode, a first insulating layer on the gate electrode, a semiconductor layer on the gate electrode and separated from the gate electrode by the first insulating layer, the semiconductor layer including a channel region corresponding to the gate electrode, a source region, and a drain region, a hydrogen diffusion barrier layer on the semiconductor layer, the hydrogen diffusion barrier layer covering the channel region and exposing the source and drain regions, and a second insulation layer on the source and drain regions and on the hydrogen diffusion barrier layer, such that the hydrogen diffusion barrier layer is between the second insulation layer and the channel region.

摘要翻译： 薄膜晶体管包括栅电极，栅电极上的第一绝缘层，栅电极上的半导体层，并通过第一绝缘层与栅电极分离，半导体层包括与栅电极相对应的沟道区， 源极区域和漏极区域，在半导体层上的氢扩散阻挡层，覆盖沟道区域的氢扩散阻挡层和暴露源极和漏极区域，以及在源极和漏极区域上以及在源极区域和漏极区域上的第二绝缘层 氢扩散阻挡层，使得氢扩散阻挡层位于第二绝缘层和沟道区之间。

公开(公告)号：US07463399B2

公开(公告)日：2008-12-09

申请号：US11528414

申请日：2006-09-28

申请人： Hyun Soo Shin ,  Jae Kyeong Jeong ,  Yeon Gon Mo ,  Dong Un Jin

发明人： Hyun Soo Shin ,  Jae Kyeong Jeong ,  Yeon Gon Mo ,  Dong Un Jin

IPC分类号： G02F1/15 ,  G02F1/153 ,  G09G3/34 ,  G09G5/00

CPC分类号： H01L27/3244 ,  G02F1/167 ,  G02F2001/133342 ,  H01L27/3232 ,  H01L2251/5323

摘要： The flat panel display includes an electrochromic device that is a controlling unit. The electrochromic device reversibly makes electrolytic oxidizing and reducing reactions so that coloring and decoloring can be made reversibly, when voltage is applied. With such the construction, the flat panel display controls the voltage applied to the electrochromic device, enabling to selectively display an image on front side or two sides.

摘要翻译： 平板显示器包括作为控制单元的电致变色装置。 电致变色装置可逆地进行电解氧化和还原反应，使得当施加电压时可以可逆地着色和脱色。 通过这样的结构，平板显示器控制施加到电致变色装置的电压，能够在前侧或两侧选择性地显示图像。