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公开(公告)号：US3496029A
公开(公告)日：1970-02-17
申请号：US3496029D
申请日：1966-10-12
Applicant: ION PHYSICS CORP
Inventor： KING WILLIAM J , SOLOMON STANLEY J
CPC classification number: H01L21/00 , H01J29/845 , H01J37/3171 , H01L31/00 , Y10S136/29
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2.发明授权High power field emission microwave tube having a cathode delivering nanosecond relativistic electron beams 失效具有传递纳米级相关电子束的CATHODE的高功率场发射微波管
公开(公告)号：US3489944A
公开(公告)日：1970-01-13
申请号：US3489944D
申请日：1966-05-27
Applicant: ION PHYSICS CORP
Inventor： DENHOLM ALEC S , NABLO SAMUEL V
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3.发明授权Method and apparatus for forming deposits on a substrate by cathode sputtering using a focussed ion beam 失效通过使用聚焦离子束通过阴极溅射形成沉积在基底上的方法和装置
公开(公告)号：US3472751A
公开(公告)日：1969-10-14
申请号：US3472751D
申请日：1965-06-16
Applicant: ION PHYSICS CORP
Inventor： KING WILLIAM J
CPC classification number: H01J37/34 , C23C14/46 , H01J37/08 , Y10S148/084
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公开(公告)号：US3413531A
公开(公告)日：1968-11-26
申请号：US57743466
申请日：1966-09-06
Applicant: ION PHYSICS CORP
Inventor： LEITH FRANK A
IPC: H01L21/265 , H01L21/74 , H01L29/00
CPC classification number: H01L21/743 , H01L21/2652 , H01L29/00
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5.发明授权
公开(公告)号：US3230021A
公开(公告)日：1966-01-18
申请号：US32892063
申请日：1963-12-09
Applicant: ION PHYSICS CORP
Inventor： NABLO SAMUEL V , COURTNEY WILLIAM J
CPC classification number: F16C33/109 , F16C33/1045 , F16N15/00
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Patent Agency Ranking6.发明授权System for generating intense pulses of microwave power using traveling wave acceleration means 失效使用行波加速方式产生微波功率的脉冲脉冲系统
公开(公告)号：US3489943A
公开(公告)日：1970-01-13
申请号：US3489943D
申请日：1966-11-14
Applicant: ION PHYSICS CORP
Inventor： DENHOLM ALEC S
CPC classification number: H01J25/10
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7.发明授权
公开(公告)号：US3376449A
公开(公告)日：1968-04-02
申请号：US61059667
申请日：1967-01-20
Applicant: ION PHYSICS CORP
Inventor： STANLEY HARRISON
IPC: G21K1/087
CPC classification number: G21K1/087
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公开(公告)号：US3653977A
公开(公告)日：1972-04-04
申请号：US3653977D
申请日：1968-04-10
Applicant: ION PHYSICS CORP
Inventor： GALE ALFRED J
IPC: H01L21/00 , H01L21/265 , H01L7/00
CPC classification number: H01L21/00 , H01L21/265 , Y10S257/906
Abstract: The invention discloses a method of preventing ion channelling in crystalline materials by preirradiating the material with sufficiently energetic electrons, X-rays or gamma rays to produce a sufficient density of crystal imperfections known as point defects. These defects are readily annealed away at temperatures insufficient to diffuse dopant atoms or produce a chemical or electrical effect in the material.
Abstract translation: 本发明公开了一种通过用足够高能的电子X射线或γ射线预辐射材料以产生称为点缺陷的足够密度的晶体缺陷来防止结晶材料中的离子通道的方法。 这些缺陷在不足以扩散掺杂剂原子或在材料中产生化学或电学效应的温度下容易地退火掉。
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公开(公告)号：US3434894A
公开(公告)日：1969-03-25
申请号：US3434894D
申请日：1965-10-06
Applicant: ION PHYSICS CORP
Inventor： GALE ALFRED J
IPC: C23C14/48 , H01J37/317 , H01L21/00 , H01L7/54
CPC classification number: H01J37/3171 , C23C14/48 , H01J2237/31711 , H01L21/00
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公开(公告)号：US3347604A
公开(公告)日：1967-10-17
申请号：US34598364
申请日：1964-02-19
Applicant: ION PHYSICS CORP
Inventor： LAVELLE JOSEPH E , COURTNEY WILLIAM J , DENHOLM ALEC S
IPC: F16C33/80 , F16J15/447
CPC classification number: F16J15/4476 , F16C33/748 , F16C33/80 , F16C2300/62
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