公开(公告)号：US08837197B2

公开(公告)日：2014-09-16

申请号：US13369361

申请日：2012-02-09

申请人： Young-Hoon Oh ,  Young-Don Choi ,  Ick-Hyun Song

发明人： Young-Hoon Oh ,  Young-Don Choi ,  Ick-Hyun Song

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C13/00

CPC分类号： G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0023 ,  G11C13/0038 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0076 ,  G11C2013/0092

摘要： A circuit for generating a write signal includes a pre-emphasis signal generator that receives location information of a to-be-programmed memory cell and generates a pre-emphasis signal depending on the location information of the to-be-programmed memory cell, and a write driver that generates a program signal corresponding to data to be programmed in the to-be-programmed memory cell. A write signal is generated by combining the program signal with the pre-emphasis signal supplied from the pre-emphasis signal generator, and the write signal output to the to-be-programmed memory cell.

摘要翻译： 用于产生写信号的电路包括预加重信号发生器，其接收待编程存储器单元的位置信息，并根据待编程存储器单元的位置信息产生预加重信号;以及 写入驱动器，其产生与要编程的存储器单元中要编程的数据相对应的程序信号。 通过将编程信号与从预加重信号发生器提供的预加重信号组合，并将写入信号输出到被编程的存储单元，产生写入信号。

公开(公告)号：US20120033489A1

公开(公告)日：2012-02-09

申请号：US13178993

申请日：2011-07-08

申请人： Ick Hyun SONG ,  Ki Whan SONG ,  Jin-Young KIM

发明人： Ick Hyun SONG ,  Ki Whan SONG ,  Jin-Young KIM

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C7/00 ,  G11C7/12

CPC分类号： G11C7/12 ,  G11C8/08 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0026 ,  G11C13/004

摘要： A pre-charge controlling method and device are provided. The pre-charge controlling method includes pre-charging a first global bit line with a first pre-charge voltage by using at least a first pre-charge circuit located between a plurality of sub arrays included in a memory cell array and pre-charging the first global bit line with a second pre-charge voltage by using a second pre-charge circuit located outside the memory cell array.

摘要翻译： 提供了一种预充电控制方法和装置。 预充电控制方法包括通过使用位于存储单元阵列中包括的多个子阵列之间的至少第一预充电电路来对具有第一预充电电压的第一全局位线进行预充电，并对 通过使用位于存储单元阵列外部的第二预充电电路，具有第二预充电电压的第一全局位线。

公开(公告)号：US08861264B2

公开(公告)日：2014-10-14

申请号：US13178993

申请日：2011-07-08

申请人： Ick Hyun Song ,  Ki Whan Song ,  Jin-Young Kim

发明人： Ick Hyun Song ,  Ki Whan Song ,  Jin-Young Kim

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C13/00 ,  G11C8/08 ,  G11C7/12

CPC分类号： G11C7/12 ,  G11C8/08 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0026 ,  G11C13/004

摘要： A pre-charge controlling method and device are provided. The pre-charge controlling method includes pre-charging a first global bit line with a first pre-charge voltage by using at least a first pre-charge circuit located between a plurality of sub arrays included in a memory cell array and pre-charging the first global bit line with a second pre-charge voltage by using a second pre-charge circuit located outside the memory cell array.

摘要翻译： 提供了一种预充电控制方法和装置。 预充电控制方法包括通过使用位于存储单元阵列中包括的多个子阵列之间的至少第一预充电电路来对具有第一预充电电压的第一全局位线进行预充电，并对 通过使用位于存储单元阵列外部的第二预充电电路，具有第二预充电电压的第一全局位线。

公开(公告)号：US20130051120A1

公开(公告)日：2013-02-28

申请号：US13369361

申请日：2012-02-09

申请人： YOUNG-HOON OH ,  YOUNG-DON CHOI ,  ICK-HYUN SONG

发明人： YOUNG-HOON OH ,  YOUNG-DON CHOI ,  ICK-HYUN SONG

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C7/06

CPC分类号： G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0023 ,  G11C13/0038 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0076 ,  G11C2013/0092

摘要： A circuit for generating a write signal includes a pre-emphasis signal generator that receives location information of a to-be-programmed memory cell and generates a pre-emphasis signal depending on the location information of the to-be-programmed memory cell, and a write driver that generates a program signal corresponding to data to be programmed in the to-be-programmed memory cell. A write signal is generated by combining the program signal with the pre-emphasis signal supplied from the pre-emphasis signal generator, and the write signal output to the to-be-programmed memory cell.

摘要翻译： 用于产生写信号的电路包括预加重信号发生器，其接收待编程存储器单元的位置信息，并根据待编程存储器单元的位置信息产生预加重信号;以及 写入驱动器，其产生与要编程的存储器单元中要编程的数据相对应的程序信号。 通过将编程信号与从预加重信号发生器提供的预加重信号组合，并将写入信号输出到被编程的存储单元，产生写入信号。