公开(公告)号：US06670283B2

公开(公告)日：2003-12-30

申请号：US09989389

申请日：2001-11-20

申请人： Faye D. Baker ,  Casey J. Grant ,  Mousa H. Ishaq ,  Joel M. Sharrow ,  James D. Weil

发明人： Faye D. Baker ,  Casey J. Grant ,  Mousa H. Ishaq ,  Joel M. Sharrow ,  James D. Weil

IPC分类号： H01L2131

CPC分类号： H01L21/02164 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31612

摘要： Disclosed is a method of fabricating a semiconductor device, comprising: (a) providing a bare semiconductor substrate, the substrate having a frontside and a backside; (b) forming one or more protective films on the backside of the substrate; and (c) performing one or more wafer fabrication steps. Some or all the protective films may be removed and the method repeated multiple times during fabrication of the semiconductor device.

摘要翻译： 公开了一种制造半导体器件的方法，包括：（a）提供裸半导体衬底，所述衬底具有前侧和后侧; （b）在衬底的背面形成一个或多个保护膜; 和（c）执行一个或多个晶片制造步骤。 可以去除一些或全部保护膜，并且在制造半导体器件期间该方法重复多次。

公开(公告)号：US06541351B1

公开(公告)日：2003-04-01

申请号：US09989585

申请日：2001-11-20

申请人： Peter H. Bartlau ,  Marc W. Cantell ,  Jerome B. Lasky ,  James D. Weil

发明人： Peter H. Bartlau ,  Marc W. Cantell ,  Jerome B. Lasky ,  James D. Weil

IPC分类号： H01L2176

CPC分类号： H01L21/31105 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/76283

摘要： A method for limiting divot formation in shallow trench isolation structures. The method includes: providing a trench formed in a silicon region with a deposited oxide; oxidizing a top layer of the silicon region to form a layer of thermal oxide on top of the silicon region; and selectively etching the thermal oxide with respect to the deposited oxide.

摘要翻译： 一种用于限制浅沟槽隔离结构中的凹陷形成的方法。 该方法包括：在沉积氧化物的硅区中形成沟槽; 氧化所述硅区域的顶层以在所述硅区域的顶部上形成热氧化层; 并且相对于沉积的氧化物选择性地蚀刻热氧化物。